标准解读

《GB/T 12964-2003 硅单晶抛光片》标准相比于《GB 12964-1996》，主要在以下几个方面进行了更新和调整：

  1. 范围扩展：新标准可能对硅单晶抛光片的适用范围进行了细化或拓展，以适应技术进步和市场需求的变化，涵盖了更广泛的硅单晶材料类型或增加了新的应用领域。

  2. 技术指标优化：针对硅单晶抛光片的物理、化学及电学性能指标进行了修订，可能包括尺寸精度、表面粗糙度、晶体缺陷密度、电阻率均匀性等方面的更严格要求，以提升产品质量和一致性。

  3. 检测方法改进：更新了检测和测量方法，引入了更先进、精确的测试技术和设备，确保测试结果的准确性和可重复性。这可能涉及光学测量、扫描电子显微镜（SEM）、四探针法电阻率测量等方面的技术更新。

  4. 质量控制增强：加强了生产过程中的质量控制要求，可能新增或修订了有关原材料筛选、生产环境、工艺控制、成品检验等方面的条款，以保证最终产品的高质量输出。

  5. 标准结构与表述：对标准的结构进行了调整，使其更加条理化、清晰易懂。同时，更新了术语定义，采用国际通用标准语言，提高了标准的国际化水平，便于国内外企业遵循和交流。

  6. 环保与安全要求：随着时代发展，新标准可能加入了环境保护和生产安全的相关要求，强调在硅单晶抛光片的制造过程中应遵循的环保规定和操作安全规范。

这些变化旨在适应科技进步、提升产品质量、促进产业升级，并与国际标准接轨，满足全球市场的需求。


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  • 被代替
  • 已被新标准代替，建议下载现行标准GB/T 12964-2018
  • 2003-06-16 颁布
  • 2004-01-01 实施
©正版授权
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文档简介

犐犆犛２９．０４５

犎８２

中华人民共和国国家标准

犌犅／犜１２９６４—２００３

代替ＧＢ／Ｔ１２９６４—１９９６

硅单晶抛光片

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２００３０６１６发布２００４０１０１实施

中华人民共和国发布

国家质量监督检验检疫总局

书

中华人民共和国

国家标准

硅单晶抛光片

ＧＢ／Ｔ１２９６４—２００３

中国标准出版社出版发行

北京西城区复兴门外三里河北街１６号

邮政编码：１０００４５

ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｂｚｃｂｓ．ｃｏｍ

电话：６３７８７３３７、６３７８７４４７

２００３年１０月第一版２００４年１１月电子版制作

书号：１５５０６６·１１９８６８

版权专有侵权必究

举报电话：（０１０）６８５３３５３３

书

犌犅／犜１２９６４—２００３

前言

本标准修改采用半导体设备和材料国际组织标准ＳＥＭＩＭ１—０９９７《硅单晶抛光片规范》中的有关

内容，对ＧＢ／Ｔ１２９６４—１９９６进行修订而成的。主要在原标准的内容上增加了直径２００ｍｍ直拉硅单

晶抛光片的内容。

本标准由中国有色金属工业协会提出。

本标准由中国有色金属工业标准计量质量研究所负责归口。

本标准由北京有色金属研究总院、洛阳单晶硅有限责任公司负责起草。

本标准主要起草人：翟富义、孙燕、董慧燕、卢立延、曹孜、孙文海。

本标准所代替标准的历次版本发布情况为：

———ＧＢ／Ｔ１２９６４—１９９１、ＧＢ／Ｔ１２９６４—１９９６。

Ⅰ

书

犌犅／犜１２９６４—２００３

硅单晶抛光片

１范围

本标准规定了硅单晶抛光片（简称硅抛光片）的必要的相关性术语、产品分类、技术要求、试验方法、

检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。

本标准适用于直拉硅单晶研磨片经腐蚀减薄后进行单面抛光制备的硅抛光片。产品主要用于制作

集成电路等半导体器件或做为硅外延沉积的衬底。

２规范性引用文件

下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有

的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究

是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。

ＧＢ／Ｔ１５５０—１９９７非本征半导体材料导电类型测试方法

ＧＢ／Ｔ１５５２—１９９５硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法

ＧＢ／Ｔ１５５４—１９９５硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法

ＧＢ／Ｔ１５５５—１９９７半导体单晶晶向测定方法

ＧＢ／Ｔ１５５８—１９８３测定硅晶体中代位碳含量的红外吸收方法

ＧＢ／Ｔ２８２８—１９８７逐批检查计数抽样程序及抽样表（适用于连续批的检查）

ＧＢ／Ｔ４０５８—１９９５硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法

ＧＢ／Ｔ６６１６—１９９５半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定非接触涡流法

ＧＢ／Ｔ６６１８—１９９５硅片厚度和总厚度变化测试方法

ＧＢ／Ｔ６６１９—１９９５硅片弯曲度测试方法

ＧＢ／Ｔ６６２０—１９９５硅片翘曲度非

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