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  • 1995-04-18 颁布
  • 1995-12-01 实施
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GB/T 6624-1995硅抛光片表面质量目测检验方法_第1页
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UDC669.782-415：056.9·620.191.3H21中华人民共和国国家标准GB/T6624-1995硅抛光片表面质量目测检验方法Standardmethodformeasuringthesurfacegualityofpolishedsiliconslicesbyvisualinspection1995-04-18发布1995-12-01实施国家技术监督局发布

中华人民共和国国家标准GB/T6624-1995硅抛光片表面质量目测检验方法代警GB6624-86Standardmethodformeasuringthesurfacegualttyofpolishedsiliconsltcesbyvtsualinspectlon主题内客与适用范围本标准规定了在一定光照条件下，用目测检验硅单品单面抛光片（以下简称抛光片）表面质量的方法本标准适用于硅抛光片表面质量检验2引用标准GB/T14264华导体材料术语方法原理硅抛光片表面质量缺陷在一定光照条件下可产生光的漫反射，且能目测观察，据此可目测检验其表面缺陷。目测检验的光照条件分成二类：直射汇寨光和大面积漫射光.目测检验的缺陷包括单晶的原生缺陷和抛光片制备及包装过程中所引入的缺陷4设各和器具4..1高强度汇聚光源：鸭丝灯。离光源100mm处汇聚光束斑直径20～40mm,照度不小于16000k.4.2大面积漫射光源：可调节光强度的荧光灯或乳白灯，使检测面上的光强度为430～650k。4.3净化台：大小能容纳检测设备，净化级别优于100级，高净化台正面边缘230mm处背景照度为50~650lx。4.4真空吸笔：吸笔头可拆卸清洗，地光片与其接触后不留下任何痕迹，不引入任何缺陷。4.5照度计：应可测到100～2200k。5试样按照规定的抽样方案或商定的抽样方案从清洗后的抛光片中抽取试样6检测程序6.1检测条件6.1.1在100级净化台内，用真空吸笔吸住抛光片背面,使抛光面向上，正对光源。光源、抛光片与检测人员位置如图所示。光源离抛光片距离为50～100mm。a角为45"士1

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