标准解读
《GB/T 6624-2009 硅抛光片表面质量目测检验方法》与《GB/T 6624-1995 硅抛光片表面质量目测检验方法》相比,在内容上进行了多方面的调整和完善。主要体现在以下几个方面:
-
术语定义的更新:2009版对一些专业术语进行了重新定义或增加了新的定义,以确保表述更加准确和符合行业内的通用理解。
-
检测条件的变化:对于目测检查时所要求的环境条件(如光照强度、观察角度等)做了更详细的规定,并可能引入了更先进的检测工具或技术建议,以提高检测结果的一致性和可靠性。
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缺陷分类及描述:新版标准中对硅抛光片可能出现的各种表面缺陷类型进行了更为详尽地列举,并对其特征进行了精确描述,有助于减少因主观判断差异而导致的评估不一致问题。
-
抽样方案:关于如何从一批产品中选取样本进行测试的方法也有所改进,新版本可能提供了更多科学合理的抽样策略,旨在保证样品能够更好地代表整个批次的质量状况。
-
记录与报告格式:针对检测过程中需要记录的信息以及最终形成的检验报告格式提出了新的要求,力求使信息传递更加清晰、完整。
如需获取更多详尽信息,请直接参考下方经官方授权发布的权威标准文档。
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- 现行
- 正在执行有效
- 2009-10-30 颁布
- 2010-06-01 实施
文档简介
犐犆犛29.045
犎80
中华人民共和国国家标准
犌犅/犜6624—2009
代替GB/T6624—1995
硅抛光片表面质量目测检验方法
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20091030发布20100601实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
发布
中国国家标准化管理委员会
书
犌犅/犜6624—2009
前言
本标准代替GB/T6624—1995《硅抛光片表面质量目测检验方法》。
本标准与原标准相比主要有如下变化:
———修改了高强度汇聚光源照度要求,由不小于16000lx改为不小于230000lx;
———增加了净化室级别要求;
———扩大了照度计测量范围为0lx~330000lx;
———增加了测量长度工具;
———更改检测条件中光源与硅片之间的距离要求。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准主要起草单位:上海合晶硅材料有限公司。
本标准主要起草人:徐新华、王珍。
本标准所替代标准的历次版本发布情况为:
———GB/T6624—1986、GB/T6624—1995。
Ⅰ
书
犌犅/犜6624—2009
硅抛光片表面质量目测检验方法
1范围
本标准规定了在一定光照条件下,用目测检验单晶抛光片(以下简称抛光片)表面质量的方法。
本标准适用于硅抛光片表面质量检验。外延片表面质量目测检验也可参考本方法进行。
2规范性引用文件
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有
的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究
是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。
GB/T14264半导体材料术语
3术语
本标准涉及的术语应符合GB/T14264的规定。
4方法原理
硅抛光片表面质量缺陷在一定光照条件下可以产生光的漫反射,且能通过目测观察,据此可目测检
验其表面缺陷。
5设备和器具
5.1高强度汇聚光源:照度不小于230000lx。
5.2大面积漫射光源:可调节光强度的荧光灯或乳白灯,使检测面上的光强度为430lx~650lx。
5.3净化室:净化室级别应该与硅片表面颗粒检测的水平相一致,不低于100级。
5.4净化台:大小能容纳检测设备,净化级别优于100级,离净化台正面边缘230mm处背景照度为
50lx~650lx。
5.5真空吸笔:吸笔头可拆卸清洗,抛光片与其接触后不留下任何痕迹,不引入任何缺陷。
5.6照度计:应可测到0lx~330000lx。
5.7公制尺:精度不低于1mm。
6试样
按照规定的抽样方案或商定的抽样方案从清洗后的抛光片中抽取试样。
7检测
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