标准解读

GB/T 16595-1996是一项中国国家标准,全称为《晶片通用网格规范》。该标准主要规定了半导体晶片在制造和使用过程中所采用的网格系统的通用要求、定义、以及标注方法,以确保晶片设计、制造、测试及封装等各个环节的一致性和互换性。以下是该标准的主要内容概述:

  1. 范围:明确了本标准适用于半导体晶片的网格系统,包括但不限于硅晶片和其他类型的半导体材料晶片,用于指导晶片的物理布局和电气特性设计。

  2. 术语和定义:对晶片制造和网格设计中涉及的关键术语进行了定义,如晶格(lattice)、晶向(crystal orientation)、晶格常数(lattice constant)等,以便统一行业内的交流语言。

  3. 晶片网格的基本要求:规定了晶片表面网格的设计应遵循的原则,包括网格的均匀性、对称性以及与晶格结构的匹配度,确保晶片的加工精度和性能一致性。

  4. 网格尺寸与标记:详细说明了晶片上网格的尺寸标准、间距要求及标记方法。这包括了网格线的宽度、间隔,以及如何在晶片上明确标注出参考点、坐标系等,便于后续工序中的定位和测量。

  5. 晶向标识:规定了晶片的主要晶向应如何标识,以便于识别和处理不同晶向的晶片,因为晶向直接影响到半导体器件的电学性能。

  6. 检验规则:提供了晶片网格系统检验的方法和标准,包括检验项目、检验工具、合格判定准则等,确保晶片网格的符合性。

  7. 包装、运输和储存:虽然这不是标准的主要内容,但也可能包含一些关于按照网格规范生产出的晶片在包装、运输和储存过程中的注意事项,以保护晶片不受损害,保持其网格的完整性。


如需获取更多详尽信息,请直接参考下方经官方授权发布的权威标准文档。

....

查看全部

  • 被代替
  • 已被新标准代替,建议下载现行标准GB/T 16595-2019
  • 1996-11-04 颁布
  • 1997-04-01 实施
©正版授权
GB/T 16595-1996晶片通用网格规范_第1页
GB/T 16595-1996晶片通用网格规范_第2页
GB/T 16595-1996晶片通用网格规范_第3页
GB/T 16595-1996晶片通用网格规范_第4页
免费预览已结束,剩余4页可下载查看

下载本文档

免费下载试读页

文档简介

ICS29.045H21中华人民共和国国家标准GB/r16595-1996晶片通用网格规范Specificationforauniversalwafergrid1996-11-04发布1997-04-01实施国家技术监督局发布

中华人民共和国国家标准品片通用网格规范GB/T16595-1996中国标准出版社出版发行北京西城区复兴门外三里河北街16号邮政编码:100045http//电话:63787337、637874471997年4月第一版2005年1月电子版制作书号:155066·1-13652版权专有侵权必究举报电话:(010)68533533

GB/r16595-1996本标准等效采用半导体设备和材料国际组织SEMIM17一90《品片通用网格规范》,结合我国的实际情况制定的,用于定量描述圆形半导体品片上非均勾分布的表面缺陷、本标准适用于定量GB/T12964、GB/T14139中品片的表面缺陷在引用标准中,SEMIM17中引用的凡已转化成我国标准的国外标准,都引用现行的我国标准。与本标准配套的规范有GB/T16596—1996《确定晶片坐标系规范》本标准由中国有色金属工业总公司提出。本标准由中国有色金属工业总公司标准计量研究所归口。本标准由中国有色金属工业总公司标准计量研究所负责起草,本标准主要起草人:吴福立。本标准1996年11月首次发布

中华人民共和国国家标准GB/T16595-1996规晶片格!范Specificationforauniversalwafergrid1范围1.1本标准规定了可用于定量描述公称圆形半导体品片表面缺陷的网格图形。网格规定包含1000个面积近似相等的网格单元,每个网格单元相当于受检表面固定优质区总面积的0.1%。根据晶片表面上有缺陷的面积百分比(或有效的面积百分比),可定量其非均勾分布的表面缺陷(例如,滑移)。1.2把透明的网格覆盖到晶片缺陷图形上或把被观测的品片缺陷图形映到网格上,定量有缺陷的面积,计算含有缺陷的网格单元的数量。该单元数除以10相当于有缺陷面积的百分比。也可将该网格叠加在CRT显示器、照片或计算机绘制的图上。使用时,网格的直径必须与所覆盖的晶片图形或图像尺寸成比例。1.3网格以晶片中心来定位。根据GB/T12964或SEMIMI规定的品片公称直径,使用“固定优质区”的概念。1.4外延层上滑移和其他非均匀分布的缺陷,最大允许值已在GB/T14139、SEMIM2和SEMIM11中规定,按照GB/T6624、GB/T14142和YS/T209进行观测。2引用标准下列标准所包含的条文,通过在本规范中引用而构成为本规范的条文。本规范出版时,所示版本均为有效。所有标准都会被修订,使用本规范的各方应探讨使用下列标准最新版本的可能性、2.1我国标准GB/T1554一1995硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法GB/T6624一1995硅抛光片表面质量目测检验方法GB/T12964-1991硅单晶抛光片GB/T14139-93硅单晶外延片GB/T14142—93硅外延层晶体完整性检验方法腐蚀法GB/T14264-93半导体材料术语YS/T209-94硅材料原生缺陷图谱2.2SEMI标准SEMIM1一94硅单晶抛光片规范SEMIM2-94硅单晶外延片规范SEMIM11-94先进电路

温馨提示

  • 1. 本站所提供的标准文本仅供个人学习、研究之用,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或网络传播等,侵权必究。
  • 2. 本站所提供的标准均为PDF格式电子版文本(可阅读打印),因数字商品的特殊性,一经售出,不提供退换货服务。
  • 3. 标准文档要求电子版与印刷版保持一致,所以下载的文档中可能包含空白页,非文档质量问题。

评论

0/150

提交评论