标准解读

《GB/T 16595-2019 晶片通用网格规范》相比于《GB/T 16595-1996 晶片通用网格规范》,主要在以下几个方面进行了更新与调整:

  1. 技术内容的更新:新版标准融入了近年来晶片制造技术和材料科学的最新进展,对晶片网格设计、制备及检测等方面的要求进行了修订,以适应当前半导体行业更高的精度和性能需求。

  2. 精度要求提升:鉴于集成电路特征尺寸的不断缩小,2019版标准显著提高了对晶片网格尺寸精度和一致性方面的要求,确保晶片在更小尺度上的可靠性和互操作性。

  3. 检测方法与标准:更新了晶片网格的检测方法和评判标准,引入了更先进的测量技术和数据分析方法,以更准确地评估晶片网格的质量和符合性。

  4. 兼容性与标准化:为促进国内外晶片产业的交流与合作,新标准加强了与国际主流标准的接轨,增加了对国际上广泛认可的网格规范的引用和兼容性说明,有助于提升中国晶片产品在全球市场的竞争力。

  5. 环保与可持续性:考虑到环境保护和资源可持续利用的需求,2019版标准在某些条款中加入了关于生产过程中的环保要求,鼓励采用环境友好型材料和技术。

  6. 术语与定义:根据技术发展,对部分专业术语进行了新增或修订,确保标准语言的准确性和时代性,便于业界理解和执行。

  7. 结构与格式优化:为了提高标准的可读性和实用性,对标准的结构布局和表述方式进行了优化,使其更加清晰、逻辑性更强,便于用户快速查找和应用相关信息。


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....

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  • 现行
  • 正在执行有效
  • 2019-03-25 颁布
  • 2020-02-01 实施
©正版授权
GB/T 16595-2019晶片通用网格规范_第1页
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文档简介

ICS29045

H80.

中华人民共和国国家标准

GB/T16595—2019

代替

GB/T16595—1996

晶片通用网格规范

Specificationforauniversalwafergrid

2019-03-25发布2020-02-01实施

国家市场监督管理总局发布

中国国家标准化管理委员会

GB/T16595—2019

前言

本标准按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

本标准代替晶片通用网格规范与相比除编辑性修改

GB/T16595—1996《》。GB/T16595—1996,

外主要技术变化如下

:

增加了适用范围本标准适用于标称直径的硅片也适用于其他半导体材

———“100mm~200mm,

料晶片见第章

”(1);

将第章范围中的部分内容列入网格的应用见第章年版的第章

———1“5”(5,19961);

删除了规范性引用文件中的增加了

———GB/T1554、YS/T209、SEMIM1、SEMIM2、SEMIM11,

见第章年版的第章

GB/T30453(2,19962);

将网格单元平面图的内容修改为网格外径的选择应考虑到晶片的边缘去除直径

———4.14.1.2“、

允许偏差和倒角通常选择网格外径为合格质量区的直径其中合格质量区的半径比晶片的

。,

标称半径小或对应的网格圆直径见表见年版的

3mm4mm,2”(4.1.2,19964.1.2);

增加了针对直径和晶片合格质量区半径比晶片标称半径小的网格

———150mm200mm,4mm

圆直径见表

(2);

将带副参考面的晶片的内容修改为当使用半径比晶片标称半径小的合格质量区

———4.4“3mm

时网格都不会超过晶片副参考面区域的边缘因此该网格忽略副参考面见年版

,,”(4.4,1996

4.4);

增加了网格的应用见第章

———“5”(5)。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备和材料标准

(SAC/TC203)

化技术委员会材料分技术委员会共同提出并归口

(SAC/TC203/SC2)。

本标准起草单位浙江海纳半导体有限公司有色金属技术经济研究院有研半导体材料有限公司

:、、、

浙江省硅材料质量检验中心上海合晶硅材料有限公司

、。

本标准主要起草人潘金平饶伟星杨素心卢立延楼春兰徐新华吴雄杰高海军王伟棱

:、、、、、、、、、

郑欢欣余俊军

、。

本标准所代替标准的历次版本发布情况为

:

———GB/T16595—1996。

GB/T16595—2019

晶片通用网格规范

1范围

本标准规定了可用于定量描述圆形半导体晶片表面缺陷的网格图形

本标准适用于标称直径的硅片也适用于其他半导体材料晶片

100mm~200mm,。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

。,()。

硅抛光片表面质量目测检验方法

GB/T6624

硅单晶抛光片

GB/T12964

硅外延片

GB/T14139

硅外延层晶体完整性检验方法腐蚀法

GB/T14142

半导体材料术语

GB/T14264

硅材料原生缺陷图谱

GB/T30453

3术语和定义

界定的术语和定义适用于本文件

GB/T14264。

4网格单元布局

41网格单元平面图

.

411网格以晶片中心定位规定两种网格一种用于不带主参考面的晶片即晶片的主定位基准是切

..,:(

口另一种用于带主参考面的晶片网格由个同心圆分割根据每个圆的直径确定所包含的径向分

),。18,

割单元数由各个圆面积确定同心圆的相对直径用网格外径乘以对应的相对直径可求出任一圆的实

,,,

际直径具体见表

。1。

表1网格单元平面图信息

分割单元数分割线夹角分割单元总数

圆序号所包含面积比相对直径

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