标准解读

《GB/T 1554-1995 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法》相比于《GB 1554-1979》与《GB 4057-1983》，主要在以下几个方面进行了调整和更新：

  1. 标准性质的转变：从《GB 1554-1979》的强制性国家标准转变为《GB/T 1554-1995》的推荐性国家标准，这一变化体现了标准适用的灵活性增强，更多地作为推荐指导而非强制执行的要求。

  2. 技术内容的更新：《GB/T 1554-1995》引入了更先进的硅晶体完整性检测技术和方法，具体包括化学择优腐蚀的详细步骤、试剂配比、腐蚀条件控制等方面的新规定，以适应技术进步和行业发展的需要。这些更新有助于提高检测的准确性和效率。

  3. 检验程序的优化：新标准对检验流程进行了优化，明确了样品制备、腐蚀过程监控、以及后续观察分析的具体要求，旨在统一检验操作，减少人为误差，提升检验结果的一致性和可比性。

  4. 质量控制要求的强化：《GB/T 1554-1995》增加了对实验室环境、设备校准、人员培训等方面的规范要求，强调了检验过程中的质量控制措施，确保检验结果的可靠性和准确性。

  5. 术语和定义的明确：为避免理解上的歧义，新标准对涉及的专业术语给出了明确的定义，增强了标准的可读性和实施的准确性。

  6. 参考标准的更新：鉴于科学和技术的发展，新标准引用了最新的参考文献和相关标准，确保了检验方法的先进性和国际兼容性。


如需获取更多详尽信息，请直接参考下方经官方授权发布的权威标准文档。

....

查看全部

  • 被代替
  • 已被新标准代替，建议下载现行标准GB/T 1554-2009
  • 1995-04-18 颁布
  • 1995-12-01 实施
©正版授权
GB/T 1554-1995硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法_第1页
GB/T 1554-1995硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法_第2页
GB/T 1554-1995硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法_第3页
免费预览已结束，剩余9页可下载查看

下载本文档

免费下载试读页

文档简介

UDC.669.782：621.193.4H26中华人民共和国国家标准GB/T1554-1995硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法Testmethodforcrystallographicperfectionofsiliconbypreferentialetchtechniques1995-04-18发布1995-12-01实施国家技术监督局发布

（京)新登字023号中华人民共和国国家标准桂品体完整性化学择优腐做检验方法GB/T1554-1995中国标准出版社出版发行北京西城区复兴门外三里河北街16号邮政编码：100045电话：63787337、637874471995年10月第一版2005年1月电子版制作书号：155066·1-11891版权专有侵权必究举报电话：（010）68533533

中华人民共和国国家标准GB/T1554-1995硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法代林GB1554-79TestmethodforcrystallographicperfectionGB4057-83ofsiliconbypreferentiaietchtechniques1主题内容与适用范围本标准规定了用择优腐蚀技术检验硅晶体完整性的方法。本标准通用于品向为(111)或(100)、电阻率为10-～10"n·cm、位错密度在0～10°cm-之间的硅单晶键或硅片中原生缺陷的检验。用标准GB/T4058硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法YS/T2097桂硅材料原生缺陷图谱方法原理试祥经择优腐蚀液腐蚀，在有缺陷的位置被腐蚀成浅坑或丘，在宏观上可能组成一定的图形,在微观上呈现为分立的腐蚀浅坑或丘。用肉眼和金相显微镜进行观察。试剂和材料4.1三氧化铬，化学纯4.2氢氟酸(42%)。4.3！硝酸(p1.48/mL)。4.4乙酸(冰乙酸p1.058/mL)4.5高纯水,电阻率大于10MQ·cm(25℃)。4.6化学腐蚀地光液，采用表1中诸配方之一。表1化学腐蚀抛光液配方硝酸（4.3)氢氟

人人文库> 全部分类> 行业资料 > 各类标准

温馨提示

  • 1. 本站所提供的标准文本仅供个人学习、研究之用，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或网络传播等，侵权必究。
  • 2. 本站所提供的标准均为PDF格式电子版文本（可阅读打印），因数字商品的特殊性，一经售出，不提供退换货服务。
  • 3. 标准文档要求电子版与印刷版保持一致，所以下载的文档中可能包含空白页，非文档质量问题。

最新文档

评论

0/150

提交评论