标准解读

《GB/T 4058-1995 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法》与之前的标准《GB 4058-1983》、《GB 6622-1986》以及《GB 6623-1986》相比，在内容上进行了多方面的更新和改进。这些变化主要体现在以下几个方面：

首先，《GB/T 4058-1995》标准更加专注于硅抛光片在特定条件下通过热氧化处理后产生缺陷的检测技术，明确了具体的测试条件如温度、时间等参数设置，这与早期版本相比有了更明确的规定。

其次，对于样品准备及处理过程，《GB/T 4058-1995》提供了更为详细的指导，包括但不限于清洗程序、装载方式等，以确保实验结果的一致性和可重复性。

此外，《GB/T 4058-1995》还增加了关于如何使用光学显微镜或电子扫描显微镜来观察并记录氧化层内出现的各种类型缺陷的具体步骤，并且对不同类型缺陷（如堆垛层错、位错环等）给出了定义及其特征描述，使得缺陷识别更加准确可靠。

最后，该标准也修订了部分术语定义，使之与其他相关国家标准保持一致；同时，对于报告编写提出了新的要求，强调了数据记录的重要性以及如何根据实验结果进行质量评估。


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  • 被代替
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  • 1995-04-18 颁布
  • 1995-12-01 实施
©正版授权
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文档简介

UDC669.782-415.056.9620.19H26中华人民共和国国家标准GB/T4058-一1995硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法Testmethodfordetectionofoxidationinduceddefectsinpolishedsiliconwafers1995-04-18发布1995-12-01实施国家技术监督局发布

中华人民共和国国家标准GB/T4058-1995硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法代替GB4058-83GB6622-一86TestmethodfordetectionofoxidationGB6623-86induceddefectsinpolishedsiliconwarers主题内容与适用范围本标准规定了硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法。本标准适用于硅抛光片表面区在模拟器件氧化工艺中诱生或增强的品体缺陷的检测。2引用标准GB/T15544硅品体完整性化学择优腐蚀检验方法YS/T209硅材料原生缺陷图谱3方法提要模拟器件工艺的氧化条件,利用氧化来级饰或扩大硅片中的缺陷，或两者兼有，然后用择优腐蚀液显示缺陷，并用显微技术观测。4试剂和材料4.11三氧化铬4.22氢氟酸(42%）优级纯。4.3硝硝酸(p1.4g/mL）,优级纯4.4氨水（o0.90g/mL）,优级纯4.5盐酸(p1.18g/mL）,优级纯.4.6乙酸(p1.05g/mL)，优级纯。4.7过过氧化氢(30%),优级纯。4.8高纯水,25℃时的电阻率大于10MQ·cm。4.9清洗液1“：水·氮水(4.4）·过氧化氢(4.7)=4：1：1（V/V)。4.10清洗液2：水·盐酸(4.5）；过氧化氢(4.7)－4：1：1（V/V)。4.11化学抛光液采用表

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