标准解读

《GB/T 14264-1993 半导体材料术语》是中国关于半导体材料领域的一份国家标准，发布于1993年。该标准旨在统一和规范半导体材料相关的专业术语，以便于行业内外人士在交流、科研、生产及贸易活动中能够准确理解并使用这些术语，减少沟通误解，提升工作效率。下面列举了标准中涵盖的部分关键术语及其简要说明：

  1. 半导体（Semiconductor）：指一种电导率介于导体与绝缘体之间的材料，其电导率可以通过掺杂或其他手段进行调整。

  2. 本征半导体（Intrinsic Semiconductor）：未经过掺杂处理，纯净状态下的半导体材料，其电导性能主要由材料本身的电子和空穴对决定。

  3. N型半导体（N-type Semiconductor）：通过掺入 pentavalent（五价）元素如磷、砷等，使半导体中自由电子浓度大于空穴浓度的半导体材料。

  4. P型半导体（P-type Semiconductor）：通过掺入 trivalent（三价）元素如硼、镓等，使半导体中空穴浓度大于自由电子浓度的半导体材料。

  5. PN结（PN Junction）：由P型半导体和N型半导体接触形成的区域，具有单向导电性，是许多半导体器件的基础结构。

  6. 掺杂（Doping）：在半导体材料中故意引入少量其他元素以改变其电导特性，分为N型掺杂和P型掺杂。

  7. 载流子（Carrier）：在半导体中参与导电的粒子，包括自由电子和空穴。

  8. 禁带（Energy Gap或Band Gap）：半导体能带结构中价带顶和导带底之间的能量区间，决定了材料成为导体或绝缘体的性质。

  9. 迁移率（Mobility）：描述载流子在电场作用下移动速度的物理量，直接影响半导体的电导性能。

  10. 复合（Recombination）：半导体中的自由电子与空穴相遇并结合消失的过程，影响半导体的电荷平衡状态。

这些术语只是标准中的一部分，实际标准详细列出了更多与半导体材料制备、性质分析、器件应用相关的专业词汇及其定义，为半导体行业的标准化工作提供了重要的语言基础。


如需获取更多详尽信息，请直接参考下方经官方授权发布的权威标准文档。

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  • 已被新标准代替，建议下载现行标准GB/T 14264-2009
  • 1993-03-12 颁布
  • 1993-12-01 实施
©正版授权
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UDC669.87H80中华人民共和国国家标准GB/T14264-93半导体材料术语Semiconductormaterials-Termsanddefinitions1993-03-12发布1993-12-01实施国家技术监督局发布

中华人民共和国国家标准半导体材料术语GB/T14264-93SemiconductormaterialsTermsanddefinitions主题内客与适用范围本标准规定了半导体材料及其生长工艺、加工、晶体缺陷和表面治污等方面的主要术语和定义本标准适用于元素和化合物半导体材料。一般术语2.1半导体semiconductor电阻率介于导体与绝缘体之间，其范围为10-～10"0·cm的一种固体物质。在较宽的温度范围内，电阻率随温度的升高而减小。电流是由带正电的空穴和带负电的电子的定向传输实现的。半导体按其结构可分为三类：单品体、多晶体和非晶体。2.2元素半导体elementalsemiconductor由一种元素组成的半导体。硅和错是最常用的元素半导体。2.3化合物半导体compoundsemiconductor由两种或两种以上的元素化合而成的半导体，如砷化像、缘铝砷等2.4本征半导体intrinsicsemiconductor晶格完整且不含杂质的单品半导体，其中参与导电的电子和空穴数目相等。这是一种实际上难以实现的理想情况。实用上所说的本征半导体是指仅含极痕量杂质，导电性能与理想情况很相近的半导体。2.5导电类型conductivitytype半导体材料中多数教流子的性质所决定的导电特性2.6n-型半导体n-typesemiconductor多数载流子为电子的半导体2.7p-型半导体p-typesemiconductor多数载流子为空穴的半导体。2.8空穴hole半导体价带结构中一种流动空位，其作用就像一个具有正有效质量的正电子电荷一样。2.9受主accepter半导体中其能级位于禁带内，能“接受”价带激发电子的杂质原子或晶格缺陷，形成空穴导电：2.10施主donor半导体中其能级位于禁带内，能向导带“施放”电子的杂质原子或品格缺陷,形成电子导电。2.111载流子carrier固体中一种能传输电荷的载体,又称荷电载流子

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