标准解读

《GB/T 14264-2009 半导体材料术语》相比于其前版《GB/T 14264-1993 半导体材料术语》，主要在以下几个方面进行了更新与增补：

  1. 术语范围扩展：2009版标准对半导体材料的术语覆盖范围进行了扩展，纳入了近年来半导体技术发展所产生的新概念和新材料的定义，以适应行业快速进步的需求。

  2. 定义精确化：针对原有的一些术语，新版标准提供了更为精确和详细的定义，有助于减少理解上的歧义，提升行业内的沟通效率。例如，对半导体晶片、外延层、化合物半导体等关键术语的描述更加严谨科学。

  3. 术语分类调整：标准中的术语按照新的分类体系进行了重新组织，使得查阅和使用更加系统化，便于用户快速定位到所需信息。

  4. 新增术语：鉴于半导体技术的快速发展，2009版标准新增了大量的术语，涵盖了纳米半导体材料、量子点、自旋电子学材料等多个新兴研究领域，反映了科技进步带来的术语更新需求。

  5. 国际接轨：为了增强国际交流与合作，新版标准在制定过程中参考了更多的国际标准和先进国家的标准，力求使我国的半导体材料术语与国际通行术语保持一致或兼容，便于参与全球竞争与合作。

  6. 表述优化：在语言表述上，2009版标准力求简明清晰，避免专业术语的过度堆砌，提高了标准的可读性和实用性。


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  • 被代替
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  • 2009-10-30 颁布
  • 2010-06-01 实施
©正版授权
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文档简介

犐犆犛２９．０４５

犎８０

中华人民共和国国家标准

犌犅／犜１４２６４—２００９

代替ＧＢ／Ｔ１４２６４—１９９３

半导体材料术语

犛犲犿犻犮狅狀犱狌犮狋狅狉犿犪狋犲狉犻犪犾狊—犜犲狉犿狊犪狀犱犱犲犳犻狀犻狋犻狅狀狊

２００９１０３０发布２０１００６０１实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局

发布

中国国家标准化管理委员会

书

犌犅／犜１４２６４—２００９

前言

本标准代替ＧＢ／Ｔ１４２６４—１９９３《半导体材料术语》。

本标准与ＧＢ／Ｔ１４２６４—１９９３相比，有以下变化：

———增加了２１８项术语；

———增加了三个资料性附录：包括６１项硅技术术语缩写、１１项符号和标准术语出处；

———修改了原标准中８６项术语内容。

本标准的附录Ａ和附录Ｂ为资料性附录。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。

本标准负责起草单位：中国有色金属工业标准计量质量研究所、有研半导体材料股份有限公司、

杭州海纳半导体有限公司和国瑞电子材料有限责任公司。

本标准参加起草单位：洛阳单晶硅有限责任公司、峨眉半导体材料厂、宁波立立电子股份有限公司、

南京国盛电子有限公司、南京锗厂有限责任公司、万向硅峰电子股份有限公司、云南东兴集团、西安骊晶

电子技术有限公司、中科院半导体所、上海合晶硅材料有限公司。

本标准主要起草人：孙燕、黄笑容、向磊、翟富义、卢立延、郑琪、邓志杰、贺东江。

本标准所代替标准的历次版本发布情况为：

———ＧＢ／Ｔ１４２６４—１９９３。

Ⅰ

书

犌犅／犜１４２６４—２００９

半导体材料术语

１范围

本标准规定了半导体材料及其生长工艺、加工、晶体缺陷和表面沾污等方面的主要术语和定义。

本标准适用于元素和化合物半导体材料。

２规范性引用文件

下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有

的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究

是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。

ＡＳＴＭＦ１２４１硅技术术语

ＳＥＭＩＭ５９硅技术术语

３术语

以下术语和定义适用于本标准。

３．１

受主犪犮犮犲狆狋狅狉

半导体中的一种杂质，它接受从价带激发的电子，形成空穴导电。

３．２

电阻率允许偏差犪犾犾狅狑犪犫犾犲狉犲狊犻狊狋犻狏犻狋狔狋狅犾犲狉犪狀犮犲

晶片中心点或晶锭断面中心点的电阻率与标称电阻率的最大允许差值，它可以用标称值的百分数

来表示。

３．３

厚度允许偏差犪犾犾狅狑犪犫犾犲狋犺犻犮犽狀犲狊狊狋狅犾犲狉犪狀犮犲

晶片的中心点厚度与标称值的最大允许差值。

３．４

各向异性犪狀犻狊狅狋狉狅狆犻犮

在不同的结晶学方向具有不同的物理特性，又称非各向同性，非均质性。

３．５

各向异性腐蚀犪狀犻狊狅狋狉狅狆犻犮犲狋犮犺

沿着特定的结晶学方向，呈现腐蚀速率增强的一种选择性腐蚀。

３．６

退火犪狀狀犲犪犾犻狀犵

改变硅片特性的热过程。

３．７

退火片犪狀狀犲犪犾犲犱狑犪犳犲狉

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