标准解读

GB/T 14112-1993 是一项中国国家标准，全称为《半导体集成电路 塑料双列封装冲制型引线框架规范》。该标准详细规定了半导体集成电路中使用的塑料双列封装（DIP，Dual In-line Package）的冲制型引线框架的技术要求、检验方法以及标志、包装、运输和储存条件。具体要点包括：

  1. 适用范围：本标准适用于半导体集成电路塑料封装中，采用冲压工艺制造的双列引线框架。这类引线框架是集成电路封装的关键部件之一，用于支撑并连接芯片与外部电路板。

  2. 技术要求：

    • 材料：规定了引线框架应选用的金属材料及其性能要求，如铜合金，需具备良好的导电性、耐蚀性和成型性。
    • 尺寸与公差：详细列出了引线框架的尺寸规格，包括外形尺寸、引脚间距、引脚长度等，并给出了相应的公差范围，确保封装的标准化和互换性。
    • 表面处理：要求引线框架表面需进行适当的处理，如镀锡、镀镍金等，以提高焊接可靠性和防氧化能力。
    • 机械强度：规定了引线框架在弯曲、扭力测试下的强度要求，确保封装过程及使用中的机械稳定性。

  3. 检验方法：描述了对引线框架进行质量检验的具体方法，包括外观检查、尺寸测量、材料分析、电气性能测试等，确保产品符合标准规定。

  4. 标志、包装、运输和储存：

    • 标志：要求在包装上清晰标注产品型号、批号、生产日期等信息。
    • 包装：规定了引线框架的包装方式和防护措施，以防止运输和储存过程中的物理损伤和腐蚀。
    • 运输：提出了运输过程中应避免的极端温度、湿度条件及剧烈震动的要求。
    • 储存：说明了引线框架的理想储存环境，如温湿度控制，以防潮、防尘和防腐蚀。

此标准旨在统一和提升半导体集成电路塑料双列封装引线框架的质量水平，促进其在电子制造业中的标准化应用，确保产品的互换性、可靠性和长期稳定性。


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  • 被代替
  • 已被新标准代替，建议下载现行标准GB/T 14112-2015
  • 1993-01-21 颁布
  • 1993-08-01 实施
©正版授权
GB/T 14112-1993半导体集成电路塑料双列封装冲制型引线框架规范_第1页
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文档简介

UDC621.382L55中华人民共和国国家标准GB/T14112-93半导体集成电路塑料双列封装冲制型引线框架规范SemiconductorintegratedcircuitsSpecificationforstampedleadframesofplasticDIP1993-01-21发布1993-08-01实施国家技术监督局发布

中华人民共和国国家标准半导体集成电路塑料双列封装冲制型引线框架规范GB/T14112-93SemiconductorintegratedcircuitsSpeciticationforstampedleadtramesofplasticDIP1主题内容与适用范围本规范规定了半导体集成电路塑料双列封装冲制型引线框架(以下简称引线框架)的技术要求及检验规则。本规范适用于双列(DIP)冲制型引线框架，单列冲制型引线框架亦可参照使用。2引用标准GB4719半导体集成电路新产品定型鉴定的程序规则GB7092半导体集成电路外形尺寸GB/T14113半导体集成电路封装术语IEC410计数检查抽样方案和程序技术要求3.1引线框架尺寸引线框架的尺寸应符合GB7092的有关规定，并符合引线框架设计图纸的要求。3.2引线框架形状和位置公差3.2.1侧弯小于0.05mm/150mm(见本规范附录A1)3.2.2卷曲小于0.5mm/150mm(见本规范附录A2)。3.2.3横弯小于标称条宽的0.5%(见本规范附录A3)。3.2.4框架扭曲小于0.5mm(见本规范附录A4)。3.2.5引线扭曲不超过3°30，即在距离内引线端点0.25mm处测得扭曲值不大于0.02mm(见本规范附录A5)。3.2.6在保证精压宽度不小于引线宽度80%的条件下，精压深度不大于材料厚度的30%（见本规范附录A6）3.2.7材料厚度为0.25mm时，相邻两精压区端点间的间隔及精压区端点与芯片粘接区间的间隔大于0.15mm(见本规范附录A7)。3.2.8材料厚度为0.25mm时，精压区共面性(见本规范附录A8)应符合表1的规定加m引线框架条宽精

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