GB/T 14112-2015半导体集成电路塑料双列封装冲制型引线框架规范

ICS31200

L56.

中华人民共和国国家标准

GB/T14112—2015

代替

GB/T14112—1993

半导体集成电路

塑料双列封装冲制型引线框架规范

Semiconductorintegratedcircuits—

SpecificationforstampedleadframesofplasticDIP

2015-05-15发布2016-01-01实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布

中国国家标准化管理委员会

GB/T14112—2015

目次

前言

…………………………Ⅲ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

技术要求

4…………………1

引线框架尺寸

4.1………………………1

引线框架形状和位置公差

4.2…………2

引线框架外观

4.3………………………3

引线框架镀层

4.4………………………3

引线框架外引线强度

4.5………………4

铜剥离试验

4.6…………………………4

银剥离试验

4.7…………………………4

检验规则

5…………………4

检验批的构成

5.1………………………4

鉴定批准程序

5.2………………………4

质量一致性检验

5.3……………………4

订货资料

6…………………7

标志包装运输贮存

7、、、……………………7

标志包装

7.1、……………7

运输贮存

7.2、……………7

附录规范性附录引线框架机械测量

A()………………8

附录规范性附录引线框架高温和机械试验

B()………16

附录资料性附录批允许不合格率抽样方案

C()(LTPD)……………18

Ⅰ

GB/T14112—2015

前言

本标准按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

本标准代替半导体集成电路塑封双列封装冲制型引线框架规范

GB/T14112—1993《》。

本标准与相比主要变化如下

GB/T14112—1993:

关于规范性引用文件增加引导语抽样标准由代替增加引用

———:;GB/T2828.1—2012IEC410;

文件

GB/T2423.60—2008、SJ20129;

增加术语和定义并增加了标称长度精压区共面性芯片粘接区下陷的定义

———,、、;

标准引线框架形状和位置公差中增加了芯片粘接区平面度引线框架内部位置公差的

———“4.2”,、

有关要求

;

修改了标准中对侧弯的要求见原标准仅规定了侧弯小于本标

———“”(4.2.1):0.05mm/150mm,

准在整个标称长度上进行规定

;

修改了标准中对卷曲的要求见原标准中仅规定了卷曲变形小于

———“”(4.2.2):0.5mm/150mm,

本标准根据材料的厚度进行规定

;

修改了标准中对条带扭曲的要求见原标准中仅规定了框架扭曲小于本标

———“”(4.2.4):0.5mm,

准将框架扭曲修改为条带扭曲并根据材料的厚度进行规定

,;

修改了标准中对引线扭曲的要求见原标准中规定了引线扭曲的角度及其内引线端

———“”(4.2.5):

点的最大扭曲值本标准删除了内引线端点最大扭曲值的规定

,;

修改了标准中对精压深度的要求见在原标准的基础上增加了最大精压深度与最

———“”(4.2.6):,

小引线间距的相关要求

;

修改了标准中对绝缘间隙的要求见原标准中规定的绝缘间隙为本标准

———“”(4.2.7):0.15mm,

修改为

0.1mm;

修改了标准中对精压区共面性的要求见原标准中规定了引线框架条宽大于

———“”(4.2.8):

精压区共面性为本标准修改为

50.8mm,±0.25mm,±0.2mm;

修改了标准中对芯片粘接区斜度的要求见原标准中分别规定了受压和不受压情况

———“”(4.2.9):

下的斜度本标准统一规定为在长或宽每尺寸最大倾斜

,2.54mm0.05mm;

对标准的引线框架外观中相应条款进行了调整原标准对引线框架外观要求按功能

———“4.3”,“

区其他区域分别表示本标准按毛刺凹坑压痕和划痕分别描述并对原标准中划痕的

、”;“,、”,“”

要求适当加严即在任何区域内划痕均不得超过个

,“”1;

修改了标准中对局部镀银的要求见原标准中规定镀银层厚度不小于平

———“”(4.4.1.2):3.5μm(

均值本标准修改为不小于

),3μm;

修改了标准中对镀层外观的要求见在原标准的基础上增加了对镀层外观的相关

———“”(4.4.2):,

要求

;

增加了铜剥离试验的有关要求见

———“”(4.6);

增加了银剥离试验的有关要求见

———“”(4.7);

修改了标准中对检验要求的要求修改了原标准中分组的检测水平及

———“”:A1a、A1b、A2AQL,

并对分组进行合并原标准中组采用抽样方案本标准将

A1a、A1b,B2a、B2b;BLTPD,B1、

修改为抽样方案并增加检验的抽样要求

B2、B3AQL,C3、C4;

修改了标准中对贮存的有关要求原标准镀银引线框架保存期为三个月本标准规定为个

———“”:,6

月见

(7.2)。

Ⅲ

GB/T14112—2015

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任

。。

本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出

。

本标准由全国半导体器件标准化技术委员会归口

(SAC/TC78)。

本标准起草单位厦门永红科技有限公司

:。

本标准主要起草人林桂贤王锋涛洪玉云

:、、。

本标准所代替标准的历次版本发布情况为

:

———GB/T14112—1993。

Ⅳ

GB/T14112—2015

半导体集成电路

塑料双列封装冲制型引线框架规范

1范围

本标准规定了半导体集成电路塑料双列封装冲制型引线框架以下简称引线框架的技术要求及检

()

验规则

。

本标准适用于双列冲制型引线框架单列冲制型引线框架亦可参照使用

(DIP)。。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

。,()。

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