标准解读

《GB/T 37053-2018 氮化镓外延片及衬底片通用规范》是一项国家标准，主要针对氮化镓（GaN）材料的外延片和衬底片制定了统一的技术要求、试验方法、检验规则以及包装、标志、运输和贮存等方面的规定。该标准适用于以蓝宝石、碳化硅或自由站立式氮化镓作为衬底生长的氮化镓外延层及相关产品。

在技术要求方面，标准详细规定了氮化镓外延片与衬底片的关键性能指标，包括但不限于晶体质量（如位错密度）、表面形貌（如粗糙度）、电学特性（如载流子浓度、迁移率）等参数的具体数值范围。此外，还对产品的几何尺寸及其允许偏差进行了明确限定，确保其符合下游应用的需求。

关于试验方法部分，《GB/T 37053-2018》列举了一系列用于检测上述各项性能指标的标准测试程序，涵盖X射线衍射法测定晶格常数与半峰宽、原子力显微镜观察表面形态特征、霍尔效应测量电导率等先进技术手段，旨在为行业内提供一套科学合理且可操作性强的质量评价体系。

对于检验规则，《GB/T 37053-2018》提出了抽样方案，并指定了型式检验与出厂检验的具体项目及合格判定准则，帮助企业有效控制产品质量，同时保障消费者权益。

最后，在包装、标志、运输和贮存环节，标准亦给出了相应指导原则，比如建议采用防静电材料进行包装以防损坏；要求在外包装上清晰标注生产日期、批次号等信息便于追溯管理；强调在搬运过程中应轻拿轻放避免碰撞造成损伤；并推荐将成品存放于干燥通风处远离热源以延长使用寿命。


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  • 现行
  • 正在执行有效
  • 2018-12-28 颁布
  • 2019-07-01 实施
©正版授权
GB/T 37053-2018氮化镓外延片及衬底片通用规范_第1页
GB/T 37053-2018氮化镓外延片及衬底片通用规范_第2页
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文档简介

ICS29045

H83.

中华人民共和国国家标准

GB/T37053—2018

氮化镓外延片及衬底片通用规范

Generalspecificationforepitaxialwafersand

substratesbasedongalliumnitride

2018-12-28发布2019-07-01实施

国家市场监督管理总局发布

中国国家标准化管理委员会

GB/T37053—2018

前言

本标准按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任

。。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备和材料标准

(SAC/TC203)

化技术委员会材料分技术委员会共同提出并归口

(SAC/TC203/SC2)。

本标准起草单位东莞市中镓半导体科技有限公司合肥彩虹蓝光科技有限公司苏州纳维科技有

:、、

限公司南京大学电子科学与工程学院中国电子技术标准化研究院

、、。

本标准主要起草人丁晓民刘南柳潘尧波徐科修向前孙永健王香张国义

:、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T37053—2018

氮化镓外延片及衬底片通用规范

1范围

本标准规定了氮化镓外延片以下简称外延片及氮化镓衬底片以下简称衬底片的通用规范包

()(),

括产品分类要求检验方法检验规则以及标志包装运输和储存等

、、、、、。

本标准适用于氮化镓外延片与氮化镓衬底片产品主要用于发光二极管激光二极管探测器等光

。、、

电器件以及微波与电力电子功率器件

,。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

。,()。

颜色术语

GB/T5698—2001

半导体材料术语

GB/T14264—2009

3术语和定义

界定的以及下列术语和定义适用于本文件为了便于使

GB/T5698—2001、GB/T14264—2009。

用以下重复列出中的某些术语和定义

,GB/T14264—2009。

31衬底结构

.

311

..

氮化镓自支撑衬底free-standingGaNsubstrate

半导体工艺中的基底具有特定晶面和适当电学光学和机械特性的用于外延沉积扩散离子注入

,、、、

等后续工艺操作的氮化镓基片

。

312

..

氮化镓复合衬底GaNtemplate

由氮化镓单晶薄膜材料与其支撑基底构成的复合结构用于外延沉积扩散离子注入等后续工艺

,、、

操作的氮化镓基片

。

32衬底导电类型

.

321

..

氮化镓半绝缘型衬底semi-insulatingGaNsubstrate

电阻率大于6的氮化镓自支撑衬底

10Ω·cm。

33材料特性

.

331

..

面电阻均匀度sheetresistanceuniformity

外延片中薄层电阻的分布状况一般表述为

人人文库> 全部分类> 行业资料 > 各类标准

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