标准解读

《GB/T 14143-1993 300～900μm硅片间隙氧含量红外吸收测量方法》这一标准详细规定了如何利用红外吸收技术来测定厚度在300至900微米范围内的硅片中的间隙氧含量。然而，您未提供另一个具体的标准或版本以进行直接的变更对比。没有指定比较对象的情况下，无法直接列出相对于某个特定前任或后续标准的具体变化。

不过，通常来说，当一个标准被更新或者替代时，变更可能涉及以下几个方面：

  1. 技术方法的改进：新标准可能会采用更先进的测量技术或仪器，提高测试精度和效率。
  2. 参数范围调整：可能会扩展或缩小测试对象的适用范围，比如测试硅片的厚度范围、氧含量的测量极限等。
  3. 测试程序的优化：更新标准可能会简化测试步骤，明确操作流程，以增强可执行性。
  4. 精度与误差要求的修订：根据技术进步和实践经验，对测量结果的精度要求和允许误差范围进行调整。
  5. 术语与定义的统一：为保持与国际标准的一致性，可能会更新或新增专业术语定义。
  6. 质量控制与校准要求：加强对检测设备的校准要求，确保测量结果的可比性和重复性。
  7. 合规性与认证：增加或修改与国际标准、法规的符合性要求，以及产品认证的相关规定。


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  • 被代替
  • 已被新标准代替，建议下载现行标准GB/T 1557-2006
  • 1993-02-06 颁布
  • 1993-10-01 实施
©正版授权
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文档简介

9DC.669.782百26中华人民共和国国家标准GB/T：14143—93300～900㎡m硅片间隙氧含量红外吸收测量方法300~900：mSiliconsliccs-MeasuringofinterstitialloxygencontentInfraredabsorptionmethod1993-02-06发布1993-10-01实施国家技术监督局发布

中华人民共和国国家标准300~900um硅片间隙氧含量红外吸收测量方法GB/T14143-93300~900umSiliconslices-Measuringorinterstitialoxygencontent-Infraredabsorptionmethod主题内客与适用范田本标准规定了用红外吸收法测定厚度为300～900m的硅片间隙氧含量的方法。本标准适用于室温电阻率大于0.10·cm的硅片间隙氧含量的测量。测量范围为3×10"·cm-至间隙氧在硅中的最大固溶度。2引用标准GB1557硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法。方法原理本方法借助于硅单品中氧含量与硅-氧键在1107cm~9.033m)处吸收系数间的关系，用红外光谱仪测定1107cm-处吸收系数来确定300～900m硅片中间隙氧含量。4测量仪器4.1付里叶变换红外光谱仪或双光束红外分光光度计,仪器在1107cm-"处的分辨率小于5cm²。4.2样品架。具有调整功能，通光孔径为6～10mm.4.3厚度测量仪，精度小于2rm.5试样要求5.1试样5.1.1试样测试部位厚度偏差应小于0.5%。5.1.2元武样在1300～1000m范围的透射特性应符合附录A的规定5.1.3对于仲裁测量，试样在1300～1000cm～范围基线透过率不低于30%。5.2参比样品5.2.1参比样品氧含量应小于5×10"at·cm-",可以从高真空多次区熔制得的硅单品中选取，5.2.2参比样品与试样应具有相同的透射特性，厚度差小于0.5%。6测量步骠6.1l选取通光孔径为6～lomm的样品架。6.2对双光束红外分光光度计.测量程序参照GB1557中的5.2

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