标准解读

《GB/T 6620-1995 硅片翘曲度非接触式测试方法》相对于《GB 6620-1986》，主要在以下几个方面进行了更新和调整：

首先，在标准编号上，从GB变更为GB/T，这一变化意味着该标准由强制性国家标准转为推荐性国家标准。这种转变通常反映了行业或技术领域内对于标准化要求的更加灵活的态度。

其次，新版本对术语定义进行了细化和完善，确保了与国际相关标准的一致性和准确性。这有助于提高测试结果的可比性，并促进国际贸易和技术交流。

再者，《GB/T 6620-1995》增加了关于测试设备的要求，包括但不限于光源、探测器等关键组件的技术参数规定。这些新增内容旨在规范测试条件，减少因设备差异导致的数据偏差，从而保证测量结果的一致性和可靠性。

此外，新版标准还明确了具体的测试步骤及数据处理方法，提供了更详细的指导信息，帮助使用者正确执行实验操作并准确计算出硅片的翘曲度值。


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  • 被代替
  • 已被新标准代替，建议下载现行标准GB/T 6620-2009
  • 1995-04-18 颁布
  • 1995-12-01 实施
©正版授权
GB/T 6620-1995硅片翘曲度非接触式测试方法_第1页
GB/T 6620-1995硅片翘曲度非接触式测试方法_第2页
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文档简介

UDC.669.782-415：620：173：26H21中华人民共和国国家标准GB/T6620－1995硅片翘曲度非接触式测试方法Testmethodformeasuringwarponsiliconslicesbynoncontactscanning1995-04-18发布1995-12-01实施国家技术监督局发布

中华人民共和国国家标准硅片翘曲度非接触式测试方法CB/T6620-1995Testmethodrormeasuringwarponsilicon代替6620-86sltcesbynoncontactscanning主题内客与适用范围本标准规定了硅单品切割片、研磨片、抛光片(以下筒称硅片)翘曲度的非接触式测量方法。本标准适用于测量直径大于50mm,厚度为150～1000m的圆形硅片的翘曲度。本标准也适用于测量其他半导体圆片的翘曲度方法原理硅片置于基准环的3个支点上，3支点形成一基准平面。硅片上、下表面相对于测量仪的一对探头沿规定路径同时进行扫描，成对地给出上、下探头与硅片最近表面之间的距离，求其一系列差值。差值中最大值与最小值相减除以2,所得数值表示硅片翘曲度。扫描路径如图1所示。翘曲度的示意图如图2所示。一扫描制形图1测量扫描路径图国家技

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