标准解读

《GB/T 6620-2009 硅片翘曲度非接触式测试方法》相对于《GB/T 6620-1995 硅片翘曲度非接触式测试方法》进行了多方面的更新与改进。首先,在适用范围上,2009版标准更加明确了硅片尺寸和类型的具体要求,增加了对更大尺寸硅片测试的支持,反映了技术进步带来的市场需求变化。

其次,术语定义部分得到了细化和完善,新增了一些关键术语的定义,确保了行业内对于特定概念的一致理解。比如,对“翘曲度”、“平面度”等专业词汇给出了更为准确的描述,有助于减少因定义模糊而产生的误解。

再者,测量原理方面,虽然基本保持了一致性,但2009版本中引入了更先进的非接触式测量技术和设备推荐,提高了测试精度和效率。同时,针对不同类型的硅片提出了具体的测量方法选择指南,增强了标准的操作性和实用性。

此外,数据处理章节也做了相应调整,增加了对测量结果进行统计分析的要求,并规定了如何计算平均值、标准偏差等内容,以确保测试结果具有更高的可信度。还特别强调了环境条件控制的重要性,如温度、湿度等因素可能影响测量准确性,因此在2009版标准中对此类因素做出了更为严格的规定。


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  • 现行
  • 正在执行有效
  • 2009-10-30 颁布
  • 2010-06-01 实施
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文档简介

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中华人民共和国国家标准

犌犅/犜6620—2009

代替GB/T6620—1995

硅片翘曲度非接触式测试方法

犜犲狊狋犿犲狋犺狅犱犳狅狉犿犲犪狊狌狉犻狀犵狑犪狉狆狅狀狊犻犾犻犮狅狀狊犾犻犮犲狊犫狔狀狅狀犮狅狀狋犪犮狋狊犮犪狀狀犻狀犵

20091030发布20100601实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局

发布

中国国家标准化管理委员会

犌犅/犜6620—2009

前言

本标准修改采用SEMIMF6570705《硅片翘曲度和总厚度变化非接触式测试方法》。

本标准与SEMIMF6570705相比,主要有如下变化:

———本标准没有采用SEMI标准中总厚度变化测试部分内容;

———本标准测试硅片厚度范围比SEMI标准中要窄;

———本标准编制格式按GB/T1.1规定。

本标准代替GB/T6620—1995《硅片翘曲度非接触式测试方法》。

本标准与GB/T6620—1995相比,主要有如下变动:

———修改了测试硅片厚度范围;

———增加了引用文件、术语、意义和用途、干扰因素和测量环境条件等章节;

———修改了仪器校准部分内容;

———增加了仲裁测量;

———删除了总厚度变化的计算;

———增加了对仲裁翘曲度平均值和标准偏差的计算。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。

本标准起草单位:洛阳单晶硅有限责任公司,万向硅峰电子股份有限公司。

本标准主要起草人:张静雯、蒋建国、田素霞、刘玉芹、楼春兰。

本标准所代替标准的历次版本发布情况为:

———GB6620—1986、GB/T6620—1995。

犌犅/犜6620—2009

硅片翘曲度非接触式测试方法

1范围

本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片(以下简称硅片)翘曲度的非接触式测试方法。

本标准适用于测量直径大于50mm,厚度大于180μm的圆形硅片。本标准也适用于测量其他半

导体圆片的翘曲度。本测试方法的目的是用于来料验收或过程控制。本测试方法也适用于监视器件加

工过程中硅片翘曲度的热化学效应。

2规范性引用文件

下列文件中的条款通过本标准的引用而构成本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有

的修订单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究

是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注明日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。

GB/T2828.1计数抽样检验程序第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划

(GB/T2828.1—2003,ISO28591:1999,IDT)

GB/T6618硅片厚度和总厚度变化测试方法

GB/T14264半导体材料术语

3术语和定义

由GB/T14264确立的及以下半导体材料术语和定义适用于本标准。

3.1

中位面犿犲犱犻犪狀狊狌狉犳犪犮犲

与晶片的正表面和背表面等距离点的轨迹。

3.2

翘曲度狑犪狉狆

在质量合格区内,一个自由的,无夹持的硅片中位面相对参照平面的最大和最小距离之差。

4方法提要

硅片置于基准环的3个支点上,3个支点形成一基准平面。测试仪的一对探头在硅片上、下表面沿

规定的路径同步扫描。在扫描过程中,成对地给出上、下探头与硅片最近表面之

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