GB/T 12964-2018硅单晶抛光片

ICS29045

H82.

中华人民共和国国家标准

GB/T12964—2018

代替

GB/T12964—2003

硅单晶抛光片

Monocrystallinesiliconpolishedwafers

2018-09-17发布2019-06-01实施

国家市场监督管理总局发布

中国国家标准化管理委员会

GB/T12964—2018

前言

本标准按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

本标准代替硅单晶抛光片与相比除编辑性修改外主

GB/T12964—2003《》,GB/T12964—2003,

要技术变化如下

:

修订了适用范围将本标准适用于直拉硅单晶研磨片经腐蚀减薄进行单面抛光制备的硅抛光

———,“

片改为本标准适用于直拉法悬浮区熔法包括中子嬗变掺杂和气相掺杂制备的直径不大

”“、()

于的硅单晶抛光片产品主要用于制作集成电路分立元件功率器件等或作为硅

200mm。、、,

外延片的衬底见第章年版的第章

”(1,20031)。

修订了规范性引用文件删除了

———,GB/T1552、GB/T1554、GB/T1555、GB/T1558、

增加了

GB/T13387、GB/T13388、GB/T14140、GB/T14143,GB/T12965、GB/T19921、

见第章

GB/T24578、GB/T29507、GB/T32279、GB/T32280、YS/T28、YS/T679(2,2003

年版的第章

2)。

删除了原标准中的具体术语内容改为界定的术语及定义适用于本文件见

———,“GB/T14264”(

第章年版的第章

3,20033)。

修订了硅抛光片的分类删除了按硅单晶生长方法分为直拉和悬浮区熔增加了

———。“(CZ)(FZ)”,

按表面取向分为常用的三种见年版的

“{100}、{110}、{111}”(4.2.2,20034.1)。

增加了硅抛光片的直径表面取向及其偏离度参考面长度主参考面直径切口尺寸参考

———“、、()、、

面位置和切口位置应符合的规定如有需要由供方提供各项检验结果

GB/T12965。,”

见

(5.1)。

删除了表中主副参考面长度切口主参考面直径的要求修订了直径允许偏差厚度总厚

———1、、、,、、

度变化翘曲度总平整度的要求增加了弯曲度的要求增加了直径不小于硅抛光片

、、,,125mm

的局部平整度的要求见表年版的表

(1,20031)。

将晶体完整性的要求列在由供方提供检验结果见年版的

———5.1,(5.1,20035.3)。

修订了氧化诱生缺陷的要求改为硅抛光片的氧化诱生缺陷应不大于个2或由供需

———,“100/cm,

双方协商确定见年版的

”(5.4,20035.3.2)。

删除了原标准的表面取向基准标记的内容见年版的

———、(20035.4、5.5)。

增加了直径硅抛光片的表面金属和体金属铁含量的要求见

———150mm、200mm()(5.5、5.6)。

修订了边缘轮廓的要求由硅抛光片须经边缘倒角倒角后的边缘轮廓应符合的规

———,“,YS/T26

定特殊要求可由供需双方协商确定改为硅抛光片的边缘轮廓形状尺寸应符合

,”“、

的规定且硅抛光片边缘轮廓的任何部位不允许有锐利点或凸起物特殊要求可

GB/T12965,,

由供需双方协商确定见年版的

”(5.7,20035.7)。

将表面质量要求中的亮点改为局部光散射体颗粒并修订了局部光散射体颗粒的要

———“”“()”,()

求见表年版的表

(2,20034)。

修订了检验项目改为每批产品应对电阻率厚度总厚度变化弯曲度翘曲度总平整度表

———,“、、、、、、

面质量除局部光散射体外进行检验导电类型径向电阻率变化局部平整度氧化诱生缺

()。、、、

陷表面金属体金属铁边缘轮廓局部光散射体颗粒是否检验由供需双方协商确定见

、、()、、()”(

7.3.1、7.3.2)。

增加了氧化诱生缺陷表面金属体金属铁边缘轮廓局部光散射体颗粒雾背表面处

———“、、()、、()、、

理的检验结果判定由供需双方协商确定见

”(7.5.2)。

Ⅰ

GB/T12964—2018

增加了订货单或合同内容见第章

———()(9)。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备和材料标准

(SAC/TC203)

化技术委员会材料分会共同提出并归口

(SAC/TC203/SC2)。

本标准起草单位有研半导体材料有限公司上海合晶硅材料有限公司浙江金瑞泓科技股份有限

:、、

公司浙江海纳半导体有限公司浙江省硅材料质量检验中心有色金属技术经济研究院天津市环欧半

、、、、

导体材料技术有限公司

。

本标准主要起草人孙燕卢立延徐新华张海英楼春兰杨素心潘金平张雪囡

:、、、、、、、。

本标准所代替标准的历次版本发布情况为

:

———GB/T12964—1996、GB/T12964—2003。

Ⅱ

GB/T12964—2018

硅单晶抛光片

1范围

本标准规定了硅单晶抛光片简称硅抛光片的牌号及分类要求试验方法检验规则标志包装

()、、、、、、

运输贮存质量证明书和订货单或合同内容

、、()。

本标准适用于直拉法悬浮区熔法包括中子嬗变掺杂和气相掺杂制备的直径不大于的

、()200mm

硅单晶抛光片产品主要用于制作集成电路分立元件功率器件等或作为硅外延片的衬底

。、、,。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

。,()。

非本征半导体材料导电类型测试方法

GB/T1550

计数抽样检验程序第部分按接收质量限检索的逐批检验抽样

GB/T2828.1—20121:(AQL)

计划

硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法

GB/T4058

半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法

GB/T6616

硅片厚度和总厚度变化测试方法

GB/T6618

硅片弯曲度测试方法

GB/T6619

硅片翘曲度非接触式测试方法

GB/T6620

硅片表面平整度测试方法

GB/T6621