标准解读

《GB/T 6616-1995 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法》相对于《GB 6616-1986》在几个方面进行了更新和改进。首先，在标准名称上，新版本增加了“T”，表明其为推荐性国家标准而非强制性标准。这反映了国家对于标准化管理理念的变化，即更多地鼓励行业采用而非强制执行。

内容层面，《GB/T 6616-1995》对测量方法、适用范围以及技术要求等方面做了更为详细的规定。比如，它明确了非接触涡流法适用于半导体单晶硅圆片电阻率的无损检测，并且可以用于评估硅薄膜材料的薄层电阻特性。此外，还具体规定了测试设备的要求、样品准备步骤、环境条件控制等细节，使得整个测试过程更加规范统一。


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  • 被代替
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  • 1995-04-18 颁布
  • 1995-12-01 实施
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文档简介

UDC669.782-415621.317.33H21中华人民共和国国家标准GB/r6616-1995半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定非接触涡流法Testmethodformeasuringresistivityofsemiconductorsiliconorsheetresistanceofsemiconductorfilmswithanoncontacteddy-currentgage1995-04-18发布1995-12-01实施国家技术监督局发布

中华人民共和国国家标准半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层GB/T6616-1995电阻测定非接触涡流法Testmethodformeasuringresistivityofsemiconductor代替6616-86siliconorsheetresistanceorsemiconductorfilmswithanoncontacteddy-currentgage主题内客与适用范围本标准规定了硅片体电阻率和硅薄膜薄层电阻的非接触涡流测量方法。本标准适用于测量直径或边长大于30mm.厚度为0.1～1mm的硅单晶切割片、研磨片和抛光片（简称硅片)的电阻率及硅薄膜的薄层电阻。测量薄膜薄层电阻时,衬底的有效薄层电阻至少应为薄膜薄层电阻的1000倍。桂片体电阻率和硅薄膜薄层电阻测最范围分别为1.0×10-～2×10°·cm和2～3×10°0/。2方法提要将硅片试样平插人一对共轴涡流探头(传感器)之间的固定间隙内，与振荡回路相连接的两个涡流深头之间的交变磁场在硅片上感应产生涡流。为使高频振荡器的电压保持不变，需要增加激励电流，而增加的激励电流值是硅片电导的函数。通过测量澈励电流的变化即可测得试样的电导。当试样厚度已知时，便可计算出试样的电阻率。式中：0-试样的电阻率,0·cmniG-试样的薄层电导，S；2试样的薄层电阻,0；试样中心的厚度(测薄膜时厚度取0.0508cm),cm。3测量装置3.11电学测量装置3.1.1涡流传感器组件。由可供硅片插入的具有固定间隙的一对共轴线探头，放置硅片的支架(需保证硅片与探头轴线垂直）硅片对中装置及激励探头的高频振荡器等组成。传感器可提供与硅片电导成正比的输

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