标准解读

《GB/T 1552-1995 硅、锗单晶电阻率测定 直排四探针法》这一标准相比于之前的《GB 1552-1979》、《GB 5251-1985》以及《GB 6615-1986》，主要在以下几个方面进行了调整和更新：

  1. 适用范围的明确与扩展：新标准明确了其适用于硅、锗单晶材料电阻率的测定，特别强调了直排四探针法的应用，这相比之前的标准可能有更具体的测量技术和对象界定。

  2. 技术方法的改进：《GB/T 1552-1995》详细规定了直排四探针法的操作步骤、仪器校准、数据处理等技术细节，旨在提高测量精度和重复性。相比旧标准，可能引入了更先进的测量理论或实践指导，以适应科技进步和行业需求的变化。

  3. 精度要求的提升：新标准对测量结果的精度和误差范围提出了更严格的要求，反映了对材料性能测试准确性的更高追求，有助于确保半导体材料质量控制的一致性和可靠性。

  4. 术语和定义的更新：为了与国际标准接轨和科技进步相适应，标准中可能对一些专业术语和定义进行了修订或新增，使得标准内容更加清晰、规范，便于业界理解和应用。

  5. 试验条件与环境控制：标准可能对测试环境（如温度、湿度等）和样品制备过程中的控制条件给出了更具体的规定，以减少外界因素对测量结果的影响。

  6. 校验与验证程序：增加了对测量设备的校验要求和验证测试方法的描述，确保测量系统的可靠性和测量结果的有效性。

  7. 标准化和兼容性：新标准可能更加注重与其他国内外相关标准的协调一致，提高了标准的通用性和互操作性，方便国际交流和技术合作。


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  • 被代替
  • 已被新标准代替，建议下载现行标准GB/T 1551-2009
  • 1995-04-18 颁布
  • 1995-12-01 实施
©正版授权
GB/T 1552-1995硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法_第1页
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UDC669.7821.783：621.317.33H21中华人民共和国国家标准GB/T1552-1995硅、错单晶电阻率测定直排四探针法Testmethodformeasuringresistivityofmonocrystalsiliconandgermaniumwithacoliinearfour-probearray1995-04-18发布1995-12-01实施国家技术监督局发布

中华人民共和国国家标准硅、错单晶电阻率测定GB/T1552-1-1995深TestmethodformeasuringresistivityofmonocrystalsiliconGB5251-GB6615-86andgermaniumwithacollinearfour-probearray主题内容与适用范围本标准规定了用直排四探针测量硅、错单品电阻率的方法、本标准适用于测量试样厚度和从试样边缘与任一探针端点的最近距离二者均大于探针间距的4倍的硅、错单晶的体电阻率以及测量直径大于探针间距的10倍、厚度小于探针间距4倍的硅、错单晶圆片（简称圆片)的电阻率。测量范围为硅：1×10-～3×10°0·cm,错：1×10-～1×10°·cm。方法提要排列成一直线的四根探针垂直地压在近似为半无穷大的平坦试样表面上，将直流电流了在两外探针间通入试样,测量内侧两探针间所产生的电势差V，根据测得的电流和电势差值，按式（1）计算电阻率。对圆片试样还应根据几何修正因子进行计算。测量示意图见图1。···········（1）式中：--电阻率,0·cmn；测得的电势差,mV；T-通入的电流,mA;S--探针间距，cm。TTTTTTT图1直排四探针测量示意图3仪器与设备3.1探针装置由下

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