GB/T 1551-2021硅单晶电阻率的测定直排四探针法和直流两探针法

ICS77040

CCSH.21

中华人民共和国国家标准

GB/T1551—2021

代替GB/T1551—2009

硅单晶电阻率的测定

直排四探针法和直流两探针法

Testmethodformeasuringresistivityofmonocrystalsilicon—

In-linefour-pointprobeanddirectcurrenttwo-pointprobemethod

2021-05-21发布2021-12-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T1551—2021

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替硅单晶电阻率测定方法与相比除结构调整

GB/T1551—2009《》,GB/T1551—2009,

和编辑性改动外主要技术变化如下

,:

更改了直排四探针法的适用范围见第章年版的第章

a)(1,20091);

范围中增加了硅单晶其他范围电阻率的测试可参照本文件进行见第章

b)“”“”(1);

增加了规范性引用文件见第章

c)GB/T14264(2);

增加了术语和定义见第章

d)“”(3);

更改了测试环境温度的要求见第章年版的第章第章

e)(4,20092、13);

更改了干扰因素中光照对测试结果的影响见年版的

f)“”(5.1,20093.1、14.1);

增加了少数载流子注入对测试结果具体影响的干扰因素见

g)(5.3);

更改了干扰因素中温度对测试结果的影响见年版的

h)“”(5.4,20093.4、14.4);

增加了探针振动探针头类型对测试结果影响的干扰因素见

i)、(5.5、5.6);

增加了直排四探针法测试时样品发热探针与样品接触的位置对测试结果影响的干扰因素见

j)、[

5.7a)、5.7c)];

增加了直流两探针法测试时样品电阻率不均匀存在轻微裂痕或其他机械损伤导电类型不唯

k)、、

一对测试结果影响的干扰因素见

(5.8);

删除了直流两探针法测试干扰因素中探针间距的内容见年版的

l)(200914.6);

更改了直排四探针法的测试原理见年版的第章

m)(6.1,20094);

增加了直排四探针法中试剂和材料见

n)“”(6.2);

更改了直排四探针法中对针尖形状和初始标称半径的要求见年版的

o)[6.3.1a),20095.1.1];

更改了直排四探针法中标准电阻的要求见年版的

p)[6.3.2c)、20095.2.4];

更改了直排四探针法中散热器的要求见年版的

q)(6.3.4,20095.4);

更改了直排四探针法中制样装置的要求见年版的

r)(6.3.5,20095.5);

更改了直排四探针法中厚度测试仪的要求见年版的

s)(6.3.6,20095.6);

删除了直排四探针法中超声波清洗器化学实验室器具的要求见年版的

t)、(20095.13、5.14);

更改了直排四探针法中样品表面处理的描述见年版的

u)(6.4.1,20096.1);

增加了电阻率大于样品对应的推荐圆片样品测试电流值见表年版的表

v)3000Ω·cm(2,2009

2);

删除了不同电阻率样品对应的测试电流见年版的表

w)(20092);

更改了直排四探针法中电学测试装置的要求见年版的

x)(6.5.1.6,20097.1.6);

更改了直排四探针法中确定探针间距用材料的要求见年版的

y)(6.5.2.1,20097.2.1);

删除了直排四探针法测试中样品清洗干燥的过程见年版的

z)、(20097.3.1);

删除了直排四探针法测试中对于圆片试样的特殊要求见年版的

aa)(20097.3.2、7.3.3);

删除了直排四探针法测试圆片时探针阵列位置的要求见年版的

bb)(20097.3.4);

更改了直排四探针法测量组数的要求见年版的

cc)(6.5.3.7,20097.3.8);

更改了直排四探针法测试精密度的内容见年版的第章

dd)(6.7,20099);

更改了直排四探针法的测试原理见年版的第章

ee)(7.1,200915);

Ⅰ

GB/T1551—2021

删除了直流两探针法试剂中的丙酮乙醇见年版的

ff)“”、(200916.2、16.3);

更改了直流两探针法中欧姆接触材料和磨料的要求见年版的

gg)(7.2.2、7.2.3,200916.4、16.5);

增加了直流两探针法中显微镜放大倍数的要求见

hh)(7.3.5);

删除了直流两探针法中的化学实验室设备见年版的

ii)(200917.7);

删除了直流两探针法试样制备中对晶体导电类型的要求见年版中的

jj)“”(200918.1);

更改了直流两探针法在第二测量道上测试的条件见年版的

kk)(7.4.2、7.5.3.10,200918.2、

19.3.10);

更改了直流两探针法中样品表面处理的描述见年版的

ll)(7.4.3、7.4.4,200918.3、18.4);

更改了直流两探针法测试设备适用性检查中模拟电阻平均值R的要求见年版

mm)a(7.5.2.2,2009

的

19.2.2.3);

更改了直流两探针法测试精密度的内容见年版的第章

nn)(7.7,200921)。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由全国半导体设备与材料标准化技术委员会和全国半导体设备与材料标准

(SAC/TC203)

化技术委员会材料分技术委员会共同提出并归口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草单位中国电子科技集团公司第四十六研究所有色金属技术经济研究院有限责任公

:、

司有研半导体材料有限公司广州市昆德科技有限公司青海芯测科技有限公司浙江海纳半导体有限

、、、、

公司乐山市产品质量监督检验所中国计量科学研究院亚洲硅业青海股份有限公司浙江金瑞泓科

、、、()、

技股份有限公司开化县检验检测研究院南京国盛电子有限公司青海黄河上游水电开发有限责任公

、、、

司新能源分公司义乌力迈新材料有限公司

、。

本文件主要起草人刘立娜刘兆枫何烜坤刘刚杨素心孙燕高英王昕梁洪潘金平楼春兰

:、、、、、、、、、、、

宗冰李慎重潘文宾蔡丽艳王志强皮坤林

、、、、、。

本文件及其所代替文件的历次版本发布情况为

:

年首次发布为

———1979GB1551—1979;

年第一次修订时并入了锗单晶电阻率直流两探针测量方法的内容

———1995,GB5253—1985《》;

年第二次修订时并入了硅锗单晶电阻率测定直排四探针法的内

———2009,GB/T1552—1995《、》

容的历次版本发布情况为硅单晶电阻率直流四探针测

(GB/T1552—1995:GB1552—1979《

量方法硅锗单晶电阻率测定直排四探针法其中

》、GB/T1552—1995《、》,GB/T1552—1995

代替并删除了锗单晶电阻率测试方法的

GB1552—1979、GB5251—1985、GB6615—1986),

内容

;

本次为第三次修订

———。

Ⅱ

GB/T1551—2021

硅单晶电阻率的测定

直排四探针法和直流两探针法

1范围

本文件规定了用直排四探针法和直流两探针法测试硅单晶电阻率的方法

。

本文件适用于硅单晶电阻率的测试其中直排四探针法可测试的型硅单晶电阻率范围为

,p7×

-43型硅单晶电阻率范围为-44直流两探针

10Ω·cm~8×10Ω·cm,n7×10Ω·cm~1.5×10Ω·cm;

法适用于测试截面积均匀的圆形方形或矩形硅单晶的电阻率测试范围为-3

、,1×10Ω·cm~1×

4样品长度与截面最大尺寸之比不小于硅单晶其他范围电阻率的测试可参照本文件

10Ω·cm,3∶1。

进行

。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

非本征半导体材料导电类型测试方法

GB/T1550

半导体材料术语

GB/T14264

3术语和定义

界定的术语和定义适用于本文件

GB/T14264。

4试验条件

环境温度为相对湿度不大于

23℃±5℃,65%。

5干扰因素

51光照可能影响电阻率测试结果因此除非是待测样品对周围的光不敏感否则测试宜尽量在光线

.,,