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NMOS放大器电路模型详解(三)期我们介绍了NMOS当作为放大器时的等效电路是什么?包括大信号模型和小信号模型，模型中当V_DS>V_GS-V_TH时，我们把NMOS当成一个理想的压控电流源，实际上由于沟道长度的变化会随着V_DS略微改变，如果考虑这个因素就需要沟道长度修正模型本期内容沟道长度修正原理回顾沟道长度修正电路模型1、沟道长度修正原理回顾在MOSFET理解与应用：Lec4—MOS管工作在哪个区，看这个你就懂了中我们讲过，当V_DS>V_GS-V_TH时，沟道中出现夹断效应，沟道的长度对略微减小。很多场景我们可以忽略这个长度的变化，但是当精度要求比较高的时候，我们就需要把沟道长度的变化考虑进来。看下面式子因为沟道的有效长度L会随着V_DS的增大而略微减小，所以I_D会随着V_DS的增大而略微增大。我们可以用下面式子来表示I_D这里如果不考虑沟道长度变化，V_A为无穷大，考虑沟道长度变化时，V_A为有限值。I_D随V_DS的变化的伏安特性曲线为：Fig.12、沟道长度修正电路模型其中，r_0为GS两端的等效电阻，等于V_A除以流过MOS管沟道的总电流，从表达式可以看成通过MOS管的电流越大，等效的电阻就越小，对MOS管的影响就越大(理想压控电流源r_0为无穷大)。更新我们的大信号模型和小信号模型为：Fig.2Fig.3举例：总结，通过大信号模型工作状态V_GS，V_DS计算出来，判断MOS管是否工作在饱和区，然后将g_m和r_0计算出来带入到小信号模型中，计算放大倍数，输入输出阻抗等参数。到此为

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