GB/T 43034.3-2023 集成电路脉冲抗扰度测量第3部分：非同步瞬态注入法（正式版）

ICS31.200CCSL56GB/T43034.3—2023/IEC62215-3:2013集成电路脉冲抗扰度测量第3部分：非同步瞬态注入法(IEC62215-3:2013,IDT)GB/T43034.3—2023/IEC62215-3:2013 Ⅲ 1 1 1 3 3 35.2电源注入网络 4 55.4输出引脚注入 55.5多引脚同时注入 66IC配置和评估 66.1IC配置和运行模式 66.2IC监测 76.3IC性能分级 7 77.1通则 77.2电磁环境 77.3环境温度 77.4IC供电电压 8 88.1试验设备的通用要求 8 8 88.4瞬态发生器 8 88.6监测和激励设备 88.7控制单元 8 89.1通则 89.2EMC试验板 9 1GB/T43034.3—2023/IEC62215-3:201310.1试验计划 10.2试验准备 10.4脉冲抗扰度测量 10.5试验结果的说明与比较 10.6瞬态抗扰度接受电平 附录A(资料性)试验板要求 附录B(资料性)选择耦合和去耦网络元件值的提示 附录C(资料性)工业环境和消费环境试验 附录D(资料性)车辆环境试验 ⅢGB/T43034.3—2023/IEC62215-3:2013本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定本文件是GB/T43034《集成电路脉冲抗扰度测量》的第3部分。GB/T43034已经发布了以下—第3部分：非同步瞬态注入法。本文件等同采用IEC62215-3:2013《集成电路脉冲抗扰度测量第3部分：非同步瞬态注入法》。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出。本文件由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口。GB/T43034.3—2023/IEC62215-3:2013为规范集成电路脉冲抗扰度测量，以及为集成电路制造商和检测机构提供脉冲抗扰度测量方—第3部分：非同步瞬态注入法。目的在于规定非同1GB/T43034.3—2023/IEC62215-3:2013集成电路脉冲抗扰度测量第3部分：非同步瞬态注入法本文件规定了集成电路(IC)对标准传导电瞬态骚扰的抗扰度测量方法。与受试器件(DUT)运行GB/T17626.4—2018电磁兼容试验和测量技术电快速瞬变脉冲群抗扰度试验(IEC61000-4-4:2012,IDT)GB/T17626.5—2019电磁兼容试验和测量技术浪涌(冲击)抗扰度试验(IEC61000-4-5:2014,IDT)ISO7637-2:2011道路车辆由传导和耦合引起的电骚扰第2部分：沿电源线的电瞬态传导(Roadvehicles—Electricaldisturbancesfromconductionandcoupling—Part2:Electricaltransientconductionalongsupplylinesonly)IEC60050-131国际电工术语第131章：电路理论[InternationalElectrotechnicalVocabulary(IEV)-Chapter131:Circuittheory]IEC60050-161国际电工术语第161章：电磁兼容[InternationalElectrotechnicalVocabulary(IEV)-Chapter161:Electromagneticcompatibility]注：GB/T4365—2003电工术语电磁兼容(IEC60050-161:1990+A1:1997+A2:1998,IDT)IEC62132-4:2006集成电路电磁抗扰度测量(150kHz～1GHz)第4部分：射频功率直接注入法(Integratedcircuits—Measurementofelectromagneticimmunity150kHzto1GHz—Part4:DirectRFpowerinjectionmethod)IEC60050-131和IEC60050-161界定的以及下列术语和定义适用于本文件。对于暴露在骚扰中的受试器件全部功能的建立和正确性能(操作)进行判定所必需的非受试设备。2GB/T43034.3—2023/IEC62215-3:20133.23.3电磁兼容性electromagneticcompatiblityEMC设备或系统在其电磁环境中能正常工作且不对该环境中任何事物构成不能承受的电磁骚扰的3.73.83.93.10局部引脚localpin注：信号或电源位于所在电路板上作为有/无附加EMC电路的两个元件之间的信号。瞬态transient3GB/T43034.3—2023/IEC62215-3:2013ZL施加或耦合到IC的端子，从而可能影响器件的功能。了解IC的脉冲抗扰度电平能够对其进行最佳设瞬态波形取决于DUT的使用环境。对于不同DUT,为了得到可复现的和可比较的结果，GB/T17626.4、GB/T17626.5和ISO7637-2分别规定了工业和消费环境以及车辆环境中的典型瞬态本方法与IEC62132-4中规定的IC对传导RF骚扰的抗扰度试验方法类似。与IEC62132-4—(PCB)参考面。本方法所用的EMC试验板与IEC62132-4中规定的相同。引脚注入试验法用于评估单个或多个引脚施加瞬态波形时IC的性能。正极性和负极性瞬态以地作为参考。基本试验布置如图1所示。z=50z=50Ω瞬态耦合网络EMC试验板R图1所示耦合网络与IEC62132-4中RF抗扰度试验所用的相同。如果需要，串联电阻器(R)可用4GB/T43034.3—2023/IEC62215-3:2013带宽，而又不会对所连接的引脚产生过度加载(见附录B)。串联电阻器和隔直电容器的默认值分别为0Ω和1nF(代表10m平行线的电容值)。为了IC功能的正确运行，试验时可能要使用不同的电容值。电阻器和电容器的实际值以及选择依据应在试验报告中记录。对于直接连接到电源网络的电源引脚，应使用图2所示的直接注入。对于这些试验，工业环境使用GB/T17626.4和IEC61000-4-5中规定的标准瞬态发生器的耦合和去耦网络，车辆环境使用ISO7637-2中规定的标准瞬态发生器的耦合和去耦网络。电源引脚处必须使用由制造商推荐的强制隔直电容(Cm)、滤波器或保护元件。z=50Ω瞬态VS图2电源引脚直接注入的试验布置对于不与电源网络直接连接的电源引脚，例如通过电源转换器隔离的全局配电的子电源网络。试验电路应按图3所示布置。耦合网络中电阻器的默认值为0Ω,耦合电容的默认值为1nF。在试验脉冲的频谱范围内，宜使用大于400Ω(默认值)的阻抗(Z)对外部直流电源和DUT的电源引脚进行去耦。对于耦合和去耦网络中的元件，可使用其他值，但应在试验报告中注明(同时见第11章)。电源引脚处宜使用由制造商推荐的强制隔直电容(Cm)、滤波器或保护元件。5GB/T43034.3—2023/IEC62215-3:2013OO电源Z=502GNDEMC试验板耦合网络Cm.发生器图3电源引脚容性注入试验布置5.3输入引脚注入对于配置为输入的通用I/O引脚或只作为输入的全局引脚，试验电路应按图4所示布置。耦合网络中电阻器的默认值为0Ω,耦合电容的默认值为1nF。在试验脉冲的频谱范围内，宜使用大于400Ω(默认值)的阻抗(Z)对外部信号源(例如信号发生器，其与输入信号连接器相连)和DUT的输入引脚进推荐进行配置，只需施加规定元件[例如：使用合适的外部上拉电阻器(Ru)、下拉电阻器(Rp)或串联电阻器(Rs)]。耦合网络不应影响DUT的功能。输入信号连接器输入信号连接器耦合网络EMC试验板发生器VS对于配置为输出的通用I/O引脚或只作为输出的全局引脚，试验电路应按图5所示布置。耦合网络中电阻器的默认值为0Ω,耦合电容的默认值为1nF。在试验脉冲的频谱范围内，宜使用大于400Ω(默认值)的阻抗(Z)对外部信号处理单元或负载(其与输出信号连接器相连)和DUT的输出引脚进行荐进行配置和加载[例如使用合适的外部容性负载(CL)]。试验中宜根据规范仅连接强制的外部元件。对于输出引脚，隔直电容不应超过该输出容性负载的额定值以避免输出信号出现不可接受的偏离。6GB/T43034.3—2023/IEC62215-3:2013OOZ>400Ω输出耦合网络瞬态Z=50ΩC图5输出引脚注入试验布置对于多引脚或引脚组的平行耦合，可使用如图6所示的耦合网络，其由一个注入点和容性脉冲信号分路器组成。这些耦合网络中元件的默认值与单引脚对应的耦合网络中的相同。Z=50Z=50Q耦合网络R瞬态Pin2RCC6IC配置和评估6.1IC配置和运行模式对于脉冲抗扰度试验，IC应根据其典型数据表的数值设置为正常运行状态。这意味着供电电压应设置为标称值而不是数据表中的最小和最大值。根据IC功能，宜选择相关的IC运行模式。宜尽可能充分地执行会显著影响DUT抗扰度的所有功能和运行模式。如果可能，IC宜按照预期的典型应用进行激励或通过辅助设备进行激励，但不宜影响DUT的抗扰度性能。当IC具有看门狗功能时，试验中为了收集额外信息可能禁用此功能。宜使用数据表中所列的规定元件，这些元件对于IC的功能或激励是必需的。规定元件的位置和试验板布局的设计应不会对IC的试验结果产生不利影响。7GB/T43034.3—2023/IEC62215-3:20136.2IC监测宜对DUT进行监测，目的是尽可能完整地确定其抗扰度性能。实施的监测不应影响DUT的抗扰度性能。对于混合信号IC,取决于实现的功能或安装的软件程序，其可产生不同的响应信号。可监测响应信号以表明IC是否敏感。响应信号包括但不限于以下参数特性和功能特性：——输出波形的信号过渡时间(上升或下降);——DUT复位；——DUT挂起；——DUT的闩锁效应；——数字数据的丢失或出现偏差；——内存内容损坏。对于所监测的响应信号，宜单独定义IC脉冲抗扰度试验的失效判据。使用标称信号值和允差定义失效判据。6.3IC性能分级IC抗扰度性能等级分类如下。等级Aic:在试验期间和试验之后，IC所有监测功能按预期工作。等级Bc:在试验期间一个或多个监测信号的短时性能降低并不能对IC进行评价。因此，这种分类可能不适用于IC(见注)。等级Cc:试验期间IC至少一个功能超过规定允差，但试验结束后能自动恢复正常。等级Drc:试验期间IC至少一个功能超过规定允差，试验结束后不能自动恢复正常，需要人工干预才能恢复正常。——等级Dlc:IC通过人工干预恢复正常(例如，复位)。——等级D2c:IC通过电源的通断恢复正常。7试验条件7.3环境温度试验过程中环境温度应保持在23℃±5℃范围内。8GB/T43034.3—2023/IEC62215-3:2013供电电压应设置为IC制造商规定的标称电压，允差为±5%。8试验设备8.1试验设备的通用要求试验中所用的所有设备应对施加的瞬态具有抗扰能力，不会影响试验结果。试验设备应满足以下要求。8.2电缆推荐使用同轴电缆传输骚扰信号以保护试验环境，同时避免骚扰信号与激励和监测信号的交叉耦合。为了在高压试验条件下传输正确的试验信号，应规定并使用额定值能满足最大试验电压的电缆。8.3屏蔽为了确保DUT功能合适的电磁环境，或为了抑制与电磁环境的耦合，可要求试验在屏蔽室内进行。8.4瞬态发生器应使用GB/T17626.4、GB/T17626.5或ISO7637-2中规定的瞬态发生器。8.5电源DUT应使用不会受到所注入的骚扰信号影响的电源。如果使用电池，则该电池应满足IC的要监测和激励设备不应受到注入骚扰信号的影响，宜注意监测和激励设备不会对影响DUT或试验结果产生不利影响。8.7控制单元推荐使用控制单元自动控制瞬态发生器、激励IC以及获得性能监测的数据。9试验布置非同步瞬态抗扰度试验布置框图如图7所示。瞬态发生器通过EMC试验板上的耦合网络将骚扰注入给受试IC的引脚。瞬态发生器的输出端与耦合网络的同轴连接器直接相连。瞬态发生器的地应与EMC试验板的参考地相连接。当IC加电且施加要求功能的激励时，宜监测IC产生的响应信号以表明其是否敏感。系统可由控制单元进行控制。9GB/T43034.3—2023/IEC62215-3:2013瞬态发生器监测控制EMC试验板控制总线激励图7试验布置框图9.2EMC试验板本试验方法需要使用EMC试验板，试验板用于放置DUT、规定元件和必要的耦合和去耦网络。试验板的规定见IEC62132-4。对于IC的脉冲试验，推荐使用具有公共地平面的印制电路板。DUT宜直接安装在试验板上而不宜使用IC插座。如果使用IC插座，一定要注意IC插座的电感不会显著影响试验结果，尤其是对于快速瞬态试验。本文件的主要目的仅是试验DUT的脉冲抗扰度。因此，除非DUT的外部保护元件(例如隔直电在IC上并在相同的地平面上进行接地。从规定的隔直元件到DUT的返回路径或者传输线屏蔽层不宜有缝隙。50Ω走线50Ω走线脉冲注入口尽量短可选电阻器去耦PCB顶层：PCB底层：外围设备输入输出信号耦合电容器图8从注入端口到DUT引脚的布线图从脉冲注入端连接器到耦合网络的印制线宜为50Ω传输线(见图8)。传输线的末端到DUT的引脚宜尽可能地短。印制线最合理的长度宜为所施加信号最短波长的1/20。对于时域中定义的瞬态，印制线的长度可由以下公式(1)和公式(2)计算：GB/T43034.3—2023/IEC62215-3:20式中：l.——印制线的长度，单位为厘米(cm)。t.—上升时间，单位为纳秒(ns)。c——光速，单位为米每秒(m/s)。 (1) (2)cm/ns,PCB材料为FR4:vp=E,——相对介电常数。较短的印制线长度对于试验是有利的。接地平面上载有耦合信号的印制线的返回路径上不应存在缝隙。如果不可避免，那么载有耦合信号的印制线的返回路径上的缝隙长度不应超过最短波长的1/20。为了获得可靠的接地参考，DUT的接地引脚和提供耦合信号的任何传输线的屏蔽层之间的阻抗应尽可能地小。因此，强烈推荐使用PCB上的接地平面以使接地连接的阻抗最小。脉冲去耦网络宜尽可能地接近脉冲注入的引脚。如果不能满足上述条件，那么应在试验报告中描述存在的偏离。脉冲抗扰度试验板可以修改采用IEC62132-4中描述的RF抗扰度试验板。附录A给出了试验板的附加要求。10试验程序10.1试验计划试验计划应包括与DUT和所施加的瞬态有关的所有条件：——根据预期使用和相关基础标准选择有关脉冲，试验等级和极性；——发生器的设置(重复率、脉冲数、输出阻抗);——运行模式；——监测的功能和失效判据；——被耦合的引脚。10.2试验准备在试验条件下给DUT通电并完成运行检查以确认其功能正常(例如运行DUT试验代码)。在运行检查过程中，瞬态发生器和任何激励以及测量设备应加电并与PCB连接；然而，瞬态发生器的输出应被关闭。DUT的性能不应因为环境条件而降低。10.3耦合脉冲特性为了试验的一致性和重复性，需要分别按照GB/T17626.4、GB/T17626.5和ISO7637-2的规定表征发生器在开路条件下的输出电压信号。此外，表征开路条件下在DUT注入点的耦合脉冲也是重要的。这种表征包括脉冲发生器、连接线、耦合网络、必需的元件和使用的去耦网络。根据开路条件下脉冲发生器的输出与DUT注入点测得的信号之间的差值可估计传输特性。根据对应的脉冲标准规定GB/T43034.3—2023/IEC62215-3:2013使用示波器分别进行这两种测量。EMC试验板加电，DUT运行在预期试验模式，测量IC对注入瞬态骚扰信号的抗扰度。应按照试验计划逐步增加试验电平直到观察到故障或达到最大试验电平。试验电压的步进不应大于试验计划的规定。试验计划所列试验电平为负载开路条件下瞬态发生器的输出脉冲。在每一试验电平，瞬态信号至少应施加10s(或至少是DUT产生响应和监测系统检测到任何性能降级所需的时间)。需要规定标准应用的典型值。默认值为10min。详细的试验步骤如下。1)按照图7所示连接所有设备。2)验证DUT的运行正常。3)瞬态发生器设置为所需电压电平。4)瞬态发生器设置为所需极性。5)按照所要求的驻留时间注入瞬态。在瞬态注入过程中监测DUT是否出现性能降级。6)如果还需进行其他电压电平的试验，重复步骤3)～步骤5)。只要在相同的条件下进行测量，就可以直接比较结果。如果专门为了进行IC间的比较，则器件需为了确定IC的性能等级，宜考虑监测信号出现的偏离是否是由IC的功能或是由骚扰信号叠加在功能信号上产生的。如果功能信号的降低是由IC的功能运行产生，应区分这种功能运行是有意的(例根据IC的预期使用，瞬态抗扰度接受电平由制造商和IC用户商定。附录C和附录D给出了典型11试验报告试验报告应提供所有必要信息来解释和复现试验结果。试验报告宜包含： EMC试验板的信息： GB/T43034.3—2023/IEC62215-3:2013(资料性)试验板要求A.1试验板的机械描述板的典型大小为100±3mm×100±³mm(其他试验也可以使用该试验板)。在板角处可以加孔，如图A.1所示。板的所有边缘至少宜镀锡5mm,或者使之导电以便进行良好的电接触。也可以选择在板的边缘镀金。板边缘的过孔宜距边缘至少5mm。A.2试验板的描述-电气要求A.2.1概述将图A.1作为布线指南。至少使用双层板。如果功能需要，也可以在其中增加第二层、第三层或更多层形成多层板。第一层宜用作地平面。第四层允许通过其他信号，但宜尽可能保持完整以也用作地平面。作为基本要求，IC下面的第一层宜保留为地平面，以定义需要的特性阻抗。制作试验板时，IC宜安装在PCB的一面(第一层),而所有其他的元器件和走线都在另一面(第为了使试验板在高压条件下正常工作，应注意避免闪络(例如细致的试验板布局，元器件选择)。A.2.2地平面地平面(第一层和第四层)宜通过过孔相互连接。这些过孔在板上的位置见表A.1。表A.1板上过孔的位置过孔位置特定区域1板边缘四周2只在DUT区域的外侧3只在DUT下方区域的内侧第一层的地平面与位置2的过孔保持电连续性，由此第1层的地平面在整个板上都保持电连续性。如果IC的封装和可利用的空间允许，第四层也宜同样处理。A.2.3封装引脚A.2.3.1概述A.2.3.2DIL封装这些封装不需要过孔，因为已有电镀通孔引脚或由其引脚本身就已具备。GB/T43034.3—2023/IEC62215-3:2013这些封装需要使用过孔。这些过孔宜优先布置在用于焊接IC的衬垫的中央。为了使IC电流流过的回路面积最小，这些过孔优先布置在表A.1的位置3处。A.2.3.4PGA、BGA封装正在考虑中。A.2.4过孔A.2.4.1过孔类型位置1的所有过孔直径宜为0.8mm,所有其他过孔的直径宜大于或等于0.2mm。A.2.4.2过孔距离宜控制过孔的位置，以便能测量到1GHz。连接第一层和第四层的过孔之间的最大横向距离宜为10mm。连接信号走线的过孔宜尽可能靠近连接第一层和第四层的过孔，以便形成小的返回信号环路。所有附加的元器件都宜安装在第四层。这些元器件的安装不宜影响第一层、第四层和层间过孔的限定条件。A.2.6电源去耦为了获得可复现的测量数据，需要根据试验板的规格对电源去耦。试验板上的去耦电容器分为以下两组。去耦电容器和其他去耦元器件的值及其在版图上的位置宜记录在试验报告中。——IC去耦电容器宜按照制造商推荐的方法对IC进行电源去耦。如有IC去耦电容器，则宜连接到IC下方第4层的地平面上(见图A.1),以保持DUT的正确运行。DUT每个电源引脚的去耦电容器的电容值及其在版如果试验板电源去耦设计得不合适，则其电源的阻抗可能会影响测量结果。测量中可能用到各种A.2.7I/0负载加载或激活IC所需的其他元器件，以及试验过程中对IC进行监测所需的端口，都宜安装在第四GB/T43034.3—2023/IEC62215-3:2013单位为毫米孔的界线内第一层—地第二层——电源第三层——信号第四层——地和/或电源和/或信号标称1.6≤0.75图A.1典型试验板示例GB/T43034.3—2023/IEC62215-3:2013在单个EMC试验板上可能会安装多种注入试验结构以便全面描述IC特性。图A.2给出了单个试验板上包含所有可能的注入结构的示意图。对于由额外电源、接地、输入或输出引脚的IC,这种适当的试验结构是可以进行复制的。有同样名称(例如，VS1、VS2等)的多重电源和接地引脚宜归为一间如图所示进行连接。去耦电容器的值按用户指南中的标称。图A.2多引脚注入布线图GB/T43034.3—2023/IEC62215-3:2013(资料性)选择耦合和去耦网络元件值的提示B.1一般要求根据IC使用的预期瞬态环境和耦合现象定义耦合和去耦网络。对于非直接的容性耦合，电容器的值根据单位长度导线线束的电容值(即100pF/m)确定。对于与导线线束连接的全局引脚，导线长度线的长度为0.05m～0.2m,其可用10pF～47pF的耦合电容器表示。B.2IC全局引脚的耦合和去耦网络对于在试验布置中与瞬态发生器直接相连且通过其供电的电源引脚，可分别使用GB/T17626.4、IEC61000-4-5或ISO7637-2中发生器提供的耦合和去耦网络。对于在试验布置中不直接与瞬态发生器相连且不通过其供电的电源引脚，宜使用下面的耦合网络：对于快脉冲(上升时间<10ns):耦合网络：发生器的内部网络或C=1nF(陶瓷贴片电容400Ω)400Ω)当施加负脉冲时，二极管用于对流向电网的正脉冲去耦，电源开关用于断开电网(器件的额定值根据预期的电流和电压值选定)对于在试验布置中不直接与瞬态发生器相连且不通过其供电的子电源引脚，应使用下面的耦合对于快脉冲和慢脉冲：去耦网络：阻抗近似为400Ω的扼流圈(对于车辆和工业环境)(与其匹配的可选固定电阻值，例如B.2.2I/0引脚的耦合和去耦网络对于快脉冲和慢脉冲：GB/T43034.3—2023/IEC62215-3:2013取决于对特定IC引脚负载的定义，可能需要对耦合去耦网络进行修改。这种网络中的元件值应按GB/T43034.3—2023/IEC62215-3:2013(资料性)工业环境和消费环境试验C.1概述对于工业环境，IC应根据GB/T17626.4和IEC61000-4-5定义的典型脉冲骚扰进行试验。基于典型应用，IC引脚宜根据表C.1进行分类。表C.1引脚类型的定义引脚类别引脚类型引脚类型示例试验电路根据表C.2的试验电路元件值备注局部引脚电源相环图3输入通用输入端口、复位、中断请求(IRQ)、放大器的输入或模拟输入图4、图6输入端对注入信号作为有效信号进行响应。10pF用于模拟PCB上印制线的耦合输出通用输出输出端口图5、图610pF用于模拟PCB上印制线的耦合振荡器晶体振荡器图4对负载敏感。注入时使用小电容(1pF~5pF)全局引脚电源主电源图2、图3受到快速瞬态、浪涌的影响。如果引脚不直接与电网连接，使用1nF的电容对电池或交流电源进行耦合输入通用输入端口图4、图6输入端把注入信号作为有效信号进行响应。对于长导线与导线或导线与壳体的耦合使用1nF的电容输出通用输出端口图5、图6对于长导线与导线或导线与壳体的耦合使用1nF的电容通信输入/输出串行通信接口(SCI)、通用串行总线(USB)、以太网、两线式串行总线(I²C)图4、图5G2、G3长的线路、不同防护要求、对于长导线与导线的耦合使用1nF的电容GB/T43034.3—2023/IEC62215-3:2013取决于特定应用环境，预期用于工业和消费环境的器件的某些引脚可能是全局引脚或局部引脚。C.3试验类型对于单引脚注入，表C.2给出了试验电路的推荐值。如果这些元件值或可选值不能用于器件的正各个单引脚注入使用的元件值相同。表C.2试验电路的推荐值试验类型图号CRZCBL电源3待确定待确定待确定待确定待确定待确定待确定待确定输入40n.p0不适用不适用输出50n.p.0n.p.n.p.不适用敏感输入41pF~0n.p.0n,p.n.p.不适用不适用电源2不适用不适用0不适用不适用不适用不适用不适用不适用不适用不适用不适用根据要求G2b输入40n.p.0不适用不适用G3b输出50n.p.不适用不适用不适用不适用n.p.——除非为了IC正确地运行，否则不需要。Ru/Rp——上拉或下拉电阻。·如果电源引脚不直接与电网相连，则不能使用GB/T17626.4和GB/T17626.5中规定的发生器的内部耦合网络。对于通信输入/输出，为了IC的正确运行，可能需要使用其他元件值。C.4脉冲特性脉冲特性应与GB/T17626.4和GB/T17626.5中规定的相同。C.5试验电平表C.3。试验时的注入值将被记录为发生器的开路电压。表C.3IC脉冲试验电平示例(GB/T17626.4—2018)引脚数试验类型配置极性注入试验电压起始值/V注入试验电压最终值/V注入电压步进/V脉冲驻留时间/s1输入上拉正400020引脚数试验类型配置极性注入试验电压起始值/V注入试验电压最终值/V注入电压步进/V脉冲驻留时间/s1输入上拉负4电源正4电源—负敏感输入晶体振荡器正敏感输入晶体振荡器负通信输入串行输入端口正通信输