模拟电子技术胡宴如主编耿苏燕版习题解答第2章

1、放大电路中某三极管三个管脚。1测得对地电位-8V, -3V,和3V、12V、，试判别此管的三个电极，并说明它是NPNf还是PNPW,是硅管还是错管解：放大电路中的发射结必定正偏导通，其压降对硅管为，对错管则为。(1)三极管工作在放大区时，Ub值必介于UC和UE之间，故对应的管脚。3为基极，UB=,脚电位与。3脚基极电位差为，所以。2脚为发射极，则。1脚为集电极，该管为 PN血管。(2)由于O脚电位为介于3V和12V之间，故Q脚为基极，Q脚电位低于。3脚，故O脚为发射极，则。2脚为集电极，该管为 NPNm。对图所示各三极管，试判别其三个电极,解：(a)因为iBiciE,故、脚分别为集电极、发射极

2、和基极。由电流流向可ici!知是NPNTf：1.96mA m490.04 mA(b)、脚分别为基极、集电极和发射极。由电流流向知是PNPf图所示电路中，三极管均为硅管，3ici b1mA0.01mA100=100,试判断各三极管的工作状态，并求各管的I B、I C、 UcE图解：(a) Ib 6V O 0.1mA51k设三极管工作在放大状态，则Ic=3 I B=100x=i0mAUce=16V 10mAUCe=,三极管处于放大状态，故假设成立。因此三极管工作在放大状态，Ib=,Ic=10 mA, Ubf6V。八、 (5 0.7)V人(b) Ib - 0.077mA56 k设三极管工作在放大状态

3、，则得I C= 3 I B=100 X =则UCE=-(5V -X 3kQ )=-(5V 0说明假设不成立，三极管已工作在饱和区，故集电极电流为I CSVCC U CESRc5V -0.3V3k1.57mA因此三极管的Ib=, Ic=, UCe=UCes（c）发射结零偏置，故三极管截止，Ib=0, Ic=0, UCe=5V。图（a）所示电路中，三极管的输出伏安特性曲线如图（ b）所示，设UBec=0,当R分别 为300kQ、150k 时，试用图解法求 Ic、Uce.解：（1）在输出回路中作直流负载线令 ic=0,则 Uce=12V,得点 M （12V, 0mA;令 Uc=0,则 i c=12V

4、/3k =4mA 得点 N （0V,4mA,连接点M N得直流负载线，如图解所示。(2)估算I bq,得出直流工作点一一V”12V当 R=300kQ ,可得 I bq=-C =40 科 ARb300k一一V.12V当 R=150kQ,可得 Ibq= q =80科 ARb150k由图解P可见，Ib=Ibqi=40科A和I B=I BQ2=80 A所对应的输出特性曲线，与直流负载线MN别相交于Q点和Q点。(3)求 Ic、UCe由图解中Q点分别向横轴和纵轴作垂线，即可得：UCeq=6V, IcQ=2mA同理，由Q点可得UCEQ=，Icq2=。硅晶体管电路如图所示，已知晶体管的3=100,当RB分别为

5、100KQ、51K时，求出晶体管的I B、I C及UCeo图解：(1) RB=100KQ,I b=V/100KQ =I c=100X =UCE=12-3 X =(2)R b=51 K QI b=V/51KQ =I bs=因I B Ibs,所以晶体管饱和，则I b=I c=12V/3 K Q =4mAUce 0Uo波形。图所示电路中，晶体管为硅管，3=60,输入Ui为方波电压，试画出输出电压解：U=0,管子截止，UO=5VU i=, I b= 0 V/56 K Q =I bs=0,故为增强型NMO澹，电路符号如图解（a）所示，由图（a）可彳导UGs（th）=1V。（b）由于ugs0,故为N沟道结

6、型场效应管，其电路符号如图解（b）所示。由图（b）可得 UGs（off）= 5V, I Dss=5mA（c）由于Ugs可为正、负、零，且UGs（off）=2V,故为耗尽型 PMO篱，电路符号如图解 （c） 所示。由图（c）可得 UGs（off）=2V,I Dss=2mA.场效应管放大电路如图所示，已知场效应管的UGs（th）=2V, I DO=1mA输入信号Us=cot（V）,试画出放大电路小信号等效电路并求出Ug& i a Uds。解：画出电路小信号等效电路如图解所示图解令 us=0,则得 UGs=10V/2=5V。所以IdqIdo (rpG 1)2 1 (5 1)2mA 2.25mAUGS

7、(th)22gmI DO I DQ U GS(th)-.1 2.25ms 1.5ms2由图解可得Ugs=Us/2= w t(V)i d=gmugs=x sin 3 t(mA)= sin w t(mA)Uds=i dR= -5X sin w t(V)= sin w t(V)合成电压、电流UGS=UGs+Ugs=(5+ sinw t)Vi d=I DQ+i d=+ sin w t)mAUds=Ubs(+Uds=(20 x 5) 3 t= () V由N沟道结型场效应管构成的电流源如图所示，已知场效应管的lDss=2mA (也)=，试求流过负载电阻Rl的电流大小。当 RL变为3K和1K时，电流为多少为什么P2.10解：(1)由于 UGS=0,所以 I D=I DSS=2mA(2)由于 UGsU