M25P32技术手册 中文

M25P3232Mbit，低电压，75MHZ，SPI串行接口flash存放器特征：32Mbitflash。单电源供电2.7~3.6V。SPI总线通讯。75M时钟（最大）VPP=9V快速读写电压页操作时间0.6ms擦出一个扇区时间0.6s整块擦除时间：标准23s，快速17s睡眠模式电流1uABP0,BP1,BP2硬件写保护选择位擦写次数可达100000次数据可保留目录描述信号描述数据输出数据输入时钟片选保护写保护,提升编程电压工作电压电源地SPI协议操作方法和时序页操作扇区擦除和整块擦写写检测和循环擦除快速编程和擦除操作激活，正常工作，睡眠模式状态存放器保护方法保持条件存放组织结构操作说明写操作使能使能复位读器件ID读状态存放器WIP位WEL位BP2,BP1,BP0位SRWD位写状态存放器读数据操作快速读数据操作页操作扇区擦除操作整个器件擦除睡眠模式激活器件7原始状态极限参数DC和AC参数硬件结构编号修订统计1 描述 M25P32是32Mbit（4M*8）串行flash存放器，具备增强写保护结构。存取采取SPI总线协议。一次性可编程1-256个字节（参考页编程操作说明）。增强型快速编程、擦除模式可适适用于需要快速存放场所。当VPPH达成写保护或增强编程电压时即可进入此模式。存放结构分为64个扇区，每个含有256页，每页256字节宽度，所以整个器件能够看成有16384页组成（或者4194304个字节组成）整个器件擦除（参考整块擦除说明），一次擦除一个扇区（参考扇区擦除说明）图1表1信号端口功效说明C时钟输入D数据输入输入Q数据输出输出S片选输入W/VPP写保护，高编程电压输入HOLDHold输入VCC电源输入VSS地图2信号描述串行数据输出（Q）串行数据输入（D）图31．DU=Don’tuse2.3串行时钟信号2.4片选（）当片选端输入为高时，那么取消选定器件，此时串行数据输出为高阻态，除非内部编程，循环对擦除、写存放器进行操作，器件将工作在标准电源模式下（非睡眠模式）当器件片选信号拉低使能时，即器件进入正常工作模式。在写入任何指令操作前，必须进行上电，拉低片选端(片选使能)。控制信号控制信号用于终止任何器件与外部通讯，在控制信号条件下，输出端口（Q）为高阻态（输入端口（D）、时钟信号（C）不用考虑）。写保护、提升编程电压是控制输入和电源引脚，这两个功效是依照供电电压范围来选择。假如输入电压在低压范围（0-Vcc）此时作为控制输入功效，这种控制信号保护存放单元（写保护），禁止编程和擦除操作（参考BP2,BP1,BP0位在状态存放器中状态）。SPI通信协议M25P32与微控制器（单片机等）进行通讯是串口SPI通讯方式，有两种模式：◆CPOL=0,CPAL=0◆CPOL=1,CPAL=1这两种模式，输入信号都是伴随时钟信号上升沿而跳变，输出信号都是时钟信号下降沿而改变。这两种模式不一样之处是在通信开始和结束时时钟极性不一样（看图5）◆C保持0（CPOL=0,CPAL=0）◆C保持1（CPOL=1,CPAL=1）图4Note：1.写保护和HOLD功效应该设置，是高还是低适当设置 这是三个设备与MCU基于SPI总线连接图，一次只能有一个设备与MCU进行通讯，也就是在Q 线上一次只有一个设备在输出数据，其余设备呈高阻态。电阻R确保M25P32在总线中（）线呈高阻态时不被选择。当总线进入一个状态—输入和输出端口同时呈高阻态（比如当总线复位时），时钟线（C）必须接一个下拉电阻，原因在于当输入/输出端口变为高阻态时，片选（）线拉高同时时钟线（C）拉低，这么就确保（）与（C）不一样时变高，这么就符合时序要求。R标准值是100K。冲放电时间常数R*Cp（Cp总线寄生电容），要小于总线控制器保持SPI总线呈高阻态时间。比如Cp=50PF,那么R*Cp=5us，那么总线控制器保持SPI总线呈高阻态时间一定要大于5us。图5器件操作方法4.1 页编程去编程一个字节数据，两个指令要求：写指令（WREN），这是一个字节，和页编程（PP）次序，其中包含四个字节和数据。这是按照内部编程循环周期。页编程指令允许一次编程多大256字节（前提条件：它们是连续地址在同一页上内存）。优化时序，推荐使用页编程操作指示去对全部指定连续字节（在一个单一序列）与使用数个页编程序列（每个只有几个字节）。（见6.8页编程（PP））。扇区擦除、整块擦除 4.3 页编程允许把bit状态从1变为0，前提条件是这个bit所在扇区事先被擦除过 （为FFh），一次能够擦除一个扇区。或者你能够擦除整块。详细见扇区擦除操作 和整块擦除操作说明（在擦除前要写（WREN）写指令（写使能））。M25P32提供快速编程和擦除模式，使用快速编程和擦除操作要一些特殊条件（Vcc必须在正常范围）引脚电压必须等于VPPH(见Table10)周围环境温度在25℃±10引脚电压等于VPPH累计时间不能超出80小时。有用功率模式，备用功率模式，睡眠模式当片选端（）为低时，器件被选中，这时器件工作在有用功率工作模式。当片选端（）为高时，器件没被选中，器件退出有用功率工作模式，除非这时内部还有事情在处理（编程，擦除，写状态存放器）。这时器件进入备用功率工作模式，器件功耗下降到ICC1。当特殊指令DP(DeepPowerDownInstruction)z执行时，器件进入睡眠模式，这能够作为一个软件保护装置。假如器件没有被激活，这么能够保护意外编程，擦写操作。状态存放器中包含一些状态和控制位，可用于读写和设置。详细操作见6.4。保护模式存放组织结构存放组织：4194304bytes（8位）64个扇区（每个扇区65536字节，即512k）16384页（每页256bytes）每页能够单独进行编程，不过擦除操作只能针对一个扇区或整块进行，对页不能进行擦除操作。图7表3存放组织结构6 指令说明 全部指令控制着数据（地址，数据）输入、输出。当片选端（）拉低以后，串行数据输入（D）是在取样第一个上升沿串行时钟，接着一个字节指令码写入器件，每一位被时钟信号上升沿锁存。指令说明见表4每个指令时序是从一个字节指令代码开始，跟着指令码之后，这可能是地址字节，或数据字节，或由两个或无。表46.16.26.36.4 读状态存放器状态存放器读指令能够对状态存放器进行读写，状态存放器在任何时候都能够进行读，甚至在编程，擦除，写状态存放器时都能够，当器件内部正在执行指令，处理数据时，提议在向器件写入新指令前应该检测WIP（WriteInProgress）位,能够连续读取状态存放器，见图11图116.56.66.76.8 页编程页编程指令就是向存放器中写数据，第一步先向器件写入写使能指令（WREN），写使能位置1。一样在页编程之前片选端应该为低（），接着写入页地址，和器件地址（同时确保写入地址每位（A7-A0）都不为0）。最终将数据写入存放单元。在数据传输之前都要进行写入当前页，开始存放物理单元地址。而且片选信号在连续数据传输过程中必须保持为低。假如一次传输数据超出256bytes那么先前数据将会丢失，最新256bytes数据将会被保留在同一页。假如传输数据少于256bytes，它们会被正确地存放在你要求地址单元，而不会影响同一页中其余数据。优化时序编程序列（每个只有几个字节）。（见6.8页编程（PP））。片选信号必须等最终8位数据传输结束后才能拉高。不然页编程（PP）指令无效。假如片选信号拉高，而此时页编已经开始（连续周期内），即使页编程正在进行，状态存放器能够读取（WIP位），页编程周期内WIP位是1，当页编程结束后变为0。在页编程周期完成之前一个不确定时间内写使能（WEL位）复位。6.9扇区擦除操作扇区擦除操作是将所选择扇区全部为置1（FFh）,第一步写入写使能命令（WREN），执行写使能命令以后，硬件将WEL位置1，接着拉低片选信号，然后向串口数据口（D）写入三个地址数据（有效地地址能够参考表3），在写入地址数据期间片选信号必须为0。写入地址时序见图16当三个8位地址写入完以后，将片选信号拉高，不然扇区擦除指令不会执行，当片选信号拉高以后，即进入擦除周期（擦除时间为tSE，大约为3秒），在扇区擦除周期内能够访问状态存放器中WIP（WriteInProgress）位，在擦除周期内WIP位为1。擦除结束后WIP位为0。在擦除结束前不确定时间WEL（WriteEnableLatch）位是复位状态。6.10整块擦除操作整块擦除操作指令是将全部位置1，在执行擦除操作指令之前，第一步先向器件写入写使能指令（WREN）。接着拉低片选信号（）、写入擦除命令（BE）,在写入擦除命令（BE）期间片要保持选信号（）一直为高。写擦除命令时序图如图17图17当擦除操作指令（BE）第八位