第三章半导体晶体定向

1、第三章第三章 半导体晶体定向半导体晶体定向3.1 半导体晶体取向的表示方法半导体晶体取向的表示方法3.2 光图定向光图定向3.3 X射线定向射线定向v一、半导体晶体定向在生产中的应用一、半导体晶体定向在生产中的应用v1、生产工艺的要求，晶体的生长方向与晶向之间存在一定、生产工艺的要求，晶体的生长方向与晶向之间存在一定的偏离角度。的偏离角度。v2、切籽晶时，要求有一定晶向的偏离度。、切籽晶时，要求有一定晶向的偏离度。(无位错生长无位错生长）v3、晶体在制造器件或进行外延时，要求按一定的晶向切片、晶体在制造器件或进行外延时，要求按一定的晶向切片v4、制造小器件时，按一定方向进行切片可以减少碎片，提

2、、制造小器件时，按一定方向进行切片可以减少碎片，提高成品率。高成品率。按国家质量技术监督检验检疫总局，半导体单晶晶向测定方法有按国家质量技术监督检验检疫总局，半导体单晶晶向测定方法有两种：两种：（适用于测定半导体单晶材料大致平行于低指数原子面的适用于测定半导体单晶材料大致平行于低指数原子面的表面取向表面取向）（1）X射线衍射定向法射线衍射定向法：该方法可用于所有半导体单晶的定向；：该方法可用于所有半导体单晶的定向；（2）光图定向法光图定向法：该方法目的主要用于单一元素半导体单晶的：该方法目的主要用于单一元素半导体单晶的定向。定向。二、定向方法二、定向方法 1、通过晶体的外观判断晶体的生长方向。

3、、通过晶体的外观判断晶体的生长方向。2、通过解理面或破碎面判断。、通过解理面或破碎面判断。3、通过腐蚀坑的形态判断。、通过腐蚀坑的形态判断。4、通过仪器测量定向、通过仪器测量定向 。 1、晶体定向（广义）、晶体定向（广义）: 在晶体上建立一个坐标系，由在晶体上建立一个坐标系，由X, Y, Z 轴组成。轴组成。X, Y, Z 轴也称为晶轴也称为晶轴或结晶主轴。三根晶轴上分别轴或结晶主轴。三根晶轴上分别有轴单位矢量有轴单位矢量a, b, c, 还有轴角还有轴角，。 晶轴的方向以在原点的晶轴的方向以在原点的前方、右方、上方为正，反之为前方、右方、上方为正，反之为负负。如右图所示。如右图所示。 3.1

4、 半导体晶体取向的表示方法半导体晶体取向的表示方法一、晶面指数和晶向指数的确定一、晶面指数和晶向指数的确定七大晶系七大晶系aaaaaa a120ocacaacabcab acb 立方立方 三方三方 六方六方 四方四方正交正交 单斜单斜 三斜三斜 对立方体和八面体来说，对立方体和八面体来说，X，Y，Z是对称的，性质相同的，是对称的，性质相同的，所以所以abc，而且，三根晶轴是相互垂直的，所以，而且，三根晶轴是相互垂直的，所以902、晶体定向的作用：、晶体定向的作用：v（1）晶体定向后就可以对晶体上所有的面、线等进行标定，）晶体定向后就可以对晶体上所有的面、线等进行标定，给出这些面、线的晶体学方向

5、性符号；给出这些面、线的晶体学方向性符号； v（2）晶体定向是研究晶体各种物理性质方向性的基础。）晶体定向是研究晶体各种物理性质方向性的基础。 v3、晶向指数和晶面指数、晶向指数和晶面指数（1）定义：在晶体中存在着一系列的原子列或原子平面，）定义：在晶体中存在着一系列的原子列或原子平面，晶体中原子组成的平面叫晶体中原子组成的平面叫晶面晶面，原子列表示的方向称原子列表示的方向称为为晶向晶向。v为了便于表示各种晶向和晶面，需要确定一种统一的为了便于表示各种晶向和晶面，需要确定一种统一的标号，称为标号，称为晶向指数和晶面指数晶向指数和晶面指数，国际上通用的是密国际上通用的是密勒（勒（Miller）指

6、数。）指数。v （2）晶向指数的确定：）晶向指数的确定： （如图（如图3-1-2）图图3-1-2 晶向指数的确定晶向指数的确定 v在晶胞建立坐标系（在晶胞建立坐标系（确定原点，坐标轴，单位基矢确定原点，坐标轴，单位基矢）v过晶胞原点作一直线过晶胞原点作一直线OP，使其平行于待标定的晶向，使其平行于待标定的晶向AB；v在直线在直线OP上选取距原点上选取距原点O最近的一个阵点最近的一个阵点P，确定，确定P点的点的坐标值；坐标值；v将此值乘以最小公倍数化为最小整数将此值乘以最小公倍数化为最小整数u、v、w，加上方括，加上方括号，号，uvw 即为即为AB晶向的晶向指数。如晶向的晶向指数。如u、v、w中

7、某一数中某一数为负值，则将负号标注在该数的上方。为负值，则将负号标注在该数的上方。v晶体中因对称关系而等同的各组晶向可归并为一个晶体中因对称关系而等同的各组晶向可归并为一个晶向族晶向族，用用表示。表示。例例1： 已知简单立方结已知简单立方结构中的晶格常数构中的晶格常数a，AA1=BB1= a/3，试确试确定定BA的晶向指数的晶向指数.ZXYoA1AA2BB1P答案：答案：301 例例2 2：如图在立方体中，：如图在立方体中，D是是BC的中点，求的中点，求BE, ,AD的晶向指数。的晶向指数。kcjbia ,ABCEDBE的晶向指数的晶向指数:221AD的晶向指数的晶向指数:011abcov（3

8、）晶面指数的确定）晶面指数的确定 v建立坐标系建立坐标系,对晶胞作晶轴对晶胞作晶轴X、Y、Z，以晶胞的边长（，以晶胞的边长（a、b、c)作为晶轴上的单位长度；作为晶轴上的单位长度；v 求出待定晶面在三个晶轴上的截距求出待定晶面在三个晶轴上的截距r、s、t(如该晶面与某如该晶面与某轴平行，则截距为轴平行，则截距为) v 取这些截距数的倒数取这些截距数的倒数1/r、1/s、1/t 。v 将上述倒数化为最小的简单整数，并加上圆括号，即表将上述倒数化为最小的简单整数，并加上圆括号，即表示该晶面的指数，一般记为示该晶面的指数，一般记为（hkl）在晶体中有些晶面具有共同的特点在晶体中有些晶面具有共同的特点

9、（其上原子排列和分布规律是完全其上原子排列和分布规律是完全相同的，晶面间距也相同相同的，晶面间距也相同）唯一不）唯一不同的是晶面在空间的位向，这样的同的是晶面在空间的位向，这样的一组等同晶面称为一组等同晶面称为一个晶面族一个晶面族，用，用符号符号hkl表示。表示。 v例例1：如图所示为立方晶系，：如图所示为立方晶系，I和和H分别是分别是BC,EF的的中点，试求晶面中点，试求晶面DOF,ABCD, AIHO的米勒指数。的米勒指数。)210()001()111(晶面晶面DOF：晶面晶面ABCD：晶面晶面AIHO：DACOGFEBHI例例2：在立方晶系中画出（：在立方晶系中画出（210）（）（ ）晶

10、面。晶面。121oXYZ如图所示，立方晶系中的晶面与晶向：如图所示，立方晶系中的晶面与晶向：（指数相同的指数相同的晶面和晶向相互垂直晶面和晶向相互垂直）v4、晶面间距与晶面夹角、晶面间距与晶面夹角v不同的不同的hkl晶面，其面间距晶面，其面间距(即相邻的两个平行晶面之间的即相邻的两个平行晶面之间的距离距离)各不相同。其特点：各不相同。其特点：低指数的晶面其面间距较大，而低指数的晶面其面间距较大，而高指数面的面间距小。高指数面的面间距小。 如图所示：如图所示：v正交晶系的面间距公式：正交晶系的面间距公式：2221clbkahdhklv简单立方晶系面间距计算式：简单立方晶系面间距计算式：222lk

11、hadhkl注意：注意：以上对简单晶胞而言；以上对简单晶胞而言；复杂晶胞应考虑层面增加的影响。如，在体心立方或面心复杂晶胞应考虑层面增加的影响。如，在体心立方或面心立方晶胞中间有一层，故实际晶面间距应为立方晶胞中间有一层，故实际晶面间距应为 d001/2。v立方晶系，两个晶面（立方晶系，两个晶面（h1k1l1)和（和（h2k2l2)之间的夹之间的夹角：角：v各个晶面之间的夹角如书中表格各个晶面之间的夹角如书中表格3-1（p69)2222222121212121211coslkhlkhl lkkhhv5、晶带定理及应用、晶带定理及应用v（1）晶带定理：）晶带定理：v相交于同一直线相交于同一直线(

12、或平行于同一或平行于同一直线直线)的所有晶面的组合称为晶的所有晶面的组合称为晶带，该直线称为带，该直线称为晶带轴晶带轴，同一，同一晶带轴中的所有晶面的共同特晶带轴中的所有晶面的共同特点是，点是，所有晶面的法线都与晶所有晶面的法线都与晶带轴垂直带轴垂直(如图如图1-23所示所示)。C1C2v设有一晶带其晶带轴为设有一晶带其晶带轴为uvw晶向，该晶带中任一晶面为晶向，该晶带中任一晶面为(hkl)，则由矢量代数可以证明晶带轴，则由矢量代数可以证明晶带轴uvw与该晶带的任一与该晶带的任一晶面晶面(hkl)之间均具有下列关系：之间均具有下列关系：vhu+kv+lw =0v这就是晶带定理。凡满足此关系的晶

13、面都属于以这就是晶带定理。凡满足此关系的晶面都属于以uvw为晶为晶带轴的晶带。如图所示带轴的晶带。如图所示属晶带轴属晶带轴001的晶带。的晶带。包括晶面（包括晶面（100）（）（010）（110）等晶面）等晶面v（2）晶带定理的应用：）晶带定理的应用： va)已知某晶带中任意两个晶面已知某晶带中任意两个晶面(h1k1l1)和和(h2k2l2)，则可通过，则可通过下式求出该晶带的晶带轴方向下式求出该晶带的晶带轴方向uvw：vu=k1.l2k2.l1 vv= l1.h2l2 .h1vw=h1. k2h2. k1vb) 已知某晶面同属于两个晶带已知某晶面同属于两个晶带u1v1w1和和u2v2w2，则

14、可通，则可通过下式求出该晶面的晶面指数过下式求出该晶面的晶面指数(hkl)：vh=v1 w2v2 w1vk=w1 u2w2 u1vl =u1 v2u2 v1 v课后作业：课后作业：v1、判断、判断(100)、（、（111）是否属于晶向轴为）是否属于晶向轴为001的的晶带。晶带。v2、已知某晶带中任意两个晶面、已知某晶带中任意两个晶面(100)和和(110)，计算，计算该晶带的晶带轴方向该晶带的晶带轴方向uvw。v3、已知某晶面同属于两个晶带、已知某晶面同属于两个晶带010和和001，计算，计算该晶面的晶面指数该晶面的晶面指数(hkl)。v二、晶面的投影表示二、晶面的投影表示v1、球面投影、球面

15、投影(立方晶系立方晶系）v（1）概念：将立方晶体晶面模型放在参考球中心，对晶体）概念：将立方晶体晶面模型放在参考球中心，对晶体的的每个晶面作法线并和球表面相交于一点每个晶面作法线并和球表面相交于一点，这些交点称为，这些交点称为“极点极点”。所有极点的集合称为晶体的球面投影。所有极点的集合称为晶体的球面投影。晶面与极晶面与极点成一一对应关系点成一一对应关系。如图所示。如图所示立方晶系的立体模型立方晶系的立体模型立方晶系的球面投影立方晶系的球面投影va)过球心的平面与球相交于一过球心的平面与球相交于一大圆，大圆，直径等于参考球的；直径等于参考球的；不过球心的平面与球相交于一不过球心的平面与球相交于

16、一小圆小圆，直径小于参考球直，直径小于参考球直径。径。vb)任意两个晶面的任意两个晶面的交角交角等于它们的极点在参考球上的等于它们的极点在参考球上的角角距离距离。vc)属于属于同一晶带同一晶带的许多晶面，它们的极点必定位于同一的许多晶面，它们的极点必定位于同一大圆大圆上，晶带轴的上，晶带轴的投影点投影点则在与此大圆成则在与此大圆成90度角的度角的圆上圆上。v（2）球面投影的特点）球面投影的特点v2、极射赤面投影、极射赤面投影（1）概念：取通过参考球中心的赤道平面为投影面，与参考）概念：取通过参考球中心的赤道平面为投影面，与参考球相交的大圆为边界，此大圆称为球相交的大圆为边界，此大圆称为基圆基圆

17、。再选取参考球的南。再选取参考球的南极或北极作为投影点。假设上半球的某一个晶面的球面投影极或北极作为投影点。假设上半球的某一个晶面的球面投影点与点与S的连线与基圆的交点即为该晶面的极射赤面投影点。的连线与基圆的交点即为该晶面的极射赤面投影点。所有晶面的极射赤面投影点的集合构成整个晶体的极射赤面所有晶面的极射赤面投影点的集合构成整个晶体的极射赤面投影。投影。110001100101011101011SN101O1 2 3 4 5（001）的极射赤面投影）的极射赤面投影立方晶系的球面投影立方晶系的球面投影v（2）极射赤面投影的特点）极射赤面投影的特点va) 参考球上的参考球上的大圆大圆的极射赤面投

18、影为的极射赤面投影为大圆弧大圆弧，它以基圆直径，它以基圆直径的的两个端点为起始点两个端点为起始点；若大圆经过；若大圆经过南北极南北极时为基圆上的一直时为基圆上的一直径；垂直于南北极的大圆（基圆）的极射赤面投影为基圆本径；垂直于南北极的大圆（基圆）的极射赤面投影为基圆本身。身。vb) 若晶体以若晶体以基圆上下对称基圆上下对称，则上下两半球的极射赤面投影，则上下两半球的极射赤面投影完全相同。完全相同。vc) 若晶体中若晶体中某主要晶面的极点某主要晶面的极点位于极射赤面投影的位于极射赤面投影的中心中心，则，则得到的极射赤面投影为该晶面的标准投影。如图所示分别为得到的极射赤面投影为该晶面的标准投影。如

19、图所示分别为（110）和（）和（111）的标准极射赤面投影：）的标准极射赤面投影：3.2 光图定向法光图定向法1、不同晶向生长的硅单晶，经过择优腐蚀后形成腐蚀小、不同晶向生长的硅单晶，经过择优腐蚀后形成腐蚀小坑，坑壁为原子密排面，且有不同的宏观对称性。坑，坑壁为原子密排面，且有不同的宏观对称性。2、将平行光束入射到晶体表面的腐蚀坑壁上时，再由坑、将平行光束入射到晶体表面的腐蚀坑壁上时，再由坑壁反射到不同的方向上。如果在反射光路上放一个光屏，壁反射到不同的方向上。如果在反射光路上放一个光屏，将会在光屏上得到晶体的光像，此光像与腐蚀坑具有对将会在光屏上得到晶体的光像，此光像与腐蚀坑具有对应的应的宏

20、观对称性宏观对称性。3、通过晶体反射光像的对称性以及光图中心的偏离角，、通过晶体反射光像的对称性以及光图中心的偏离角，来确定晶体的生长方向及晶体的晶向偏离角。来确定晶体的生长方向及晶体的晶向偏离角。如图所示如图所示一、光图定向的基本原理一、光图定向的基本原理图图3-2-1 入射光通过光屏中心孔入射光通过光屏中心孔照射到样品经反射后在光屏上产照射到样品经反射后在光屏上产生的光像生的光像图图 3-2-2 入射光被腐蚀坑底主晶入射光被腐蚀坑底主晶面所反射面所反射A腐蚀坑底面腐蚀面v二、测试仪的特点二、测试仪的特点 1、光点定向设备简单，准确度也比较高。、光点定向设备简单，准确度也比较高。2、光源已用

21、激光源直接代替透镜系统，可以获得高亮度和高准、光源已用激光源直接代替透镜系统，可以获得高亮度和高准确度的照明光束。确度的照明光束。v三、晶向与光像的关系三、晶向与光像的关系 各晶向生长的晶面得到的光瓣方位和对称性与各晶向生长的晶面得到的光瓣方位和对称性与111在极射投在极射投影面的投影点完全一致。影面的投影点完全一致。v1、111晶向生长的硅单晶，如图所示晶向生长的硅单晶，如图所示（1）朝尾端，即（）朝尾端，即（111）面光瓣指向晶棱，图）面光瓣指向晶棱，图3-2-3 （a）（2）朝籽晶端，即）朝籽晶端，即 面光瓣背向晶棱，图面光瓣背向晶棱，图3-2-3（b）)111()111(111 ）和（

22、图图3-2-3 硅硅 极射赤面投影上表示光像、晶棱、腐蚀坑关系极射赤面投影上表示光像、晶棱、腐蚀坑关系2、100晶向生长的硅单晶：晶向生长的硅单晶：光图中光瓣的方位与晶棱的位光图中光瓣的方位与晶棱的位置一致，解理坑的四个角的方位与棱线的方位相互成置一致，解理坑的四个角的方位与棱线的方位相互成45度角度角图图3-2-4 硅硅 极射赤面投影上表示光像、晶棱、腐蚀坑关系极射赤面投影上表示光像、晶棱、腐蚀坑关系)001(100）和（图图3-2-5 硅硅 极射赤面投影上表示光像、晶棱、腐蚀坑关系极射赤面投影上表示光像、晶棱、腐蚀坑关系)011(110）和（3、110晶向生长的硅单晶：晶向生长的硅单晶：光

23、图中光瓣的方位与晶棱的光图中光瓣的方位与晶棱的位置一致位置一致v1、晶向偏离度：晶体、晶向偏离度：晶体生长方向偏离晶轴的角生长方向偏离晶轴的角度。（如图所示度。（如图所示角）角）v2、晶向偏离度的计算、晶向偏离度的计算:如图所示，则有如图所示，则有 图图3-2-6光图定向仪示意图光图定向仪示意图三、晶向偏离度的计算三、晶向偏离度的计算角调节角调节所以所以因此得因此得v四、工艺过程四、工艺过程v1、晶向的判定、晶向的判定v（1）样品的制备与处理。）样品的制备与处理。v（2）光图显示，并判断其所在晶向。）光图显示，并判断其所在晶向。v2、晶向偏离度的测定。、晶向偏离度的测定。v（1）调整入射光束与

24、样品表面垂直（）调整入射光束与样品表面垂直（用平面反射镜用平面反射镜） ，记记录的角坐标录的角坐标1 1 、1 1 。v（2) 旋转样品台的垂直、水平两个方向转轴直至反射光中旋转样品台的垂直、水平两个方向转轴直至反射光中心经过光屏中心孔，调节心经过光屏中心孔，调节、角，并记录角坐标角，并记录角坐标2 2、2 2 ，则有，则有= = 2 2 - - 1 1， = = 2 2 - - 1 1 。v（3)3)计算计算晶向偏离度晶向偏离度vcos =cos.cos 2= 2 2+ + 2 2(偏离度偏离度 Halite - NaCl68布喇格布喇格实验得到了“选择反射”的结果，即当X射线以某些角度入射

25、时，记录到反射线（以Cu K射线照射NaCl表面，当2=27.4和2=31.7等时记录到反射线）；其它角度入射，则无反射。69（2 2）布喇格布喇格方程的导出方程的导出 具备三个条件：具备三个条件：由于晶体结构的周期性，可将晶体视为由许多相互平由于晶体结构的周期性，可将晶体视为由许多相互平行且晶面间距（行且晶面间距（d d ）相等的原子面组成；）相等的原子面组成； X X射线具有穿透性，可照射到晶体的各个原子面上；射线具有穿透性，可照射到晶体的各个原子面上； 光源及记录装置到样品的距离比光源及记录装置到样品的距离比d d 数量级大得多，故数量级大得多，故入射线与反射线均可视为平行光。入射线与反

26、射线均可视为平行光。（夫琅禾费衍射）（夫琅禾费衍射）布拉格将布拉格将X射线的射线的“选择反射选择反射”解释为：解释为： 入射的平行光照射到晶体中各平行原子面上，各原子入射的平行光照射到晶体中各平行原子面上，各原子面各自产生的相互平行的反射线间的干涉作用。因此把晶面各自产生的相互平行的反射线间的干涉作用。因此把晶体当做体当做反射光栅反射光栅来处理。来处理。设一束平行的X射线（波长）以 角照射到晶体中晶面指数为（hklhkl）的各原子面上，各原子面产生反射。任选两相邻面，反射线光程差： = =MLML+ +LNLN=2=2d dsinsin 干涉一致加强的条件为 = =n n ，即2 2d dsi

27、nsin = =n n n n=0,=0,1,1,2.v以上的方程称为以上的方程称为布喇格方程布喇格方程，或或布喇格定律布喇格定律。v布拉格定律除满足以上方程外，还应符合以下两个条布拉格定律除满足以上方程外，还应符合以下两个条件：件：sin2nd（1）入射线、反射线和反射晶面的法线满足反射定律。）入射线、反射线和反射晶面的法线满足反射定律。（2）范围符合）范围符合0sin1,即即012ndv式中：式中：n为为反射级数，反射级数，d为（为（hkl）晶面间距，即）晶面间距，即 。hkldv或者或者v5、X射线衍射与可见光的反射本质的区别：射线衍射与可见光的反射本质的区别：v（1） X射线的衍射是一

28、种射线的衍射是一种X射线在一定条件下（满足布喇格射线在一定条件下（满足布喇格定律）在晶体中发生散射后产生干涉的结果。定律）在晶体中发生散射后产生干涉的结果。v（2） X射线的衍射不仅发生在晶体表面，而且发生在晶体射线的衍射不仅发生在晶体表面，而且发生在晶体内部。而可见光的反射只发生在物体的表面。内部。而可见光的反射只发生在物体的表面。v五、五、X射线的检测射线的检测v1、利用、利用X射线的荧光作用，用一个涂了荧光物质射线的荧光作用，用一个涂了荧光物质（硫化锌、（硫化锌、钨酸钙等）钨酸钙等）的荧光屏来确定的荧光屏来确定X光束的位置。光束的位置。v2、利用电离作用用电离室或计数管检测、利用电离作用

29、用电离室或计数管检测X射线的存在及强射线的存在及强度（盖革度（盖革-弥勒计数管）弥勒计数管）v六、六、x射线衍射方法及应用：射线衍射方法及应用：v1、当入射的、当入射的X射线方向和晶体的取向固定不变时射线方向和晶体的取向固定不变时，试样为，试样为固定的单晶体，入射固定的单晶体，入射X射线从一定方向入射晶体，因此与各射线从一定方向入射晶体，因此与各族的（族的（hkl)晶体形成一定晶体形成一定掠射角掠射角。使各个不同的。使各个不同的角都有角都有相应的波长相应的波长 来来衍射，衍射，这样这样的衍射的衍射称为劳称为劳尔法。如尔法。如图图所示。所示。可以根据可以根据劳尔斑点的分布算出晶面间距劳尔斑点的分

30、布算出晶面间距。v2 2、当入射的、当入射的x x射线波长及方向不变时射线波长及方向不变时v1 1）单色的）单色的X X射线及单晶试样。射线及单晶试样。v 入射的入射的X X射线与晶体的某一个主要晶轴垂直，并使晶体绕这射线与晶体的某一个主要晶轴垂直，并使晶体绕这个轴旋转或回摆，这样可以使入射个轴旋转或回摆，这样可以使入射x x射线和各个不同（射线和各个不同（hkl)hkl)晶面的掠射角不断改变以符合衍射条件，这种方法叫做回摆晶面的掠射角不断改变以符合衍射条件，这种方法叫做回摆晶体法。这种方法用来测定晶体的晶体法。这种方法用来测定晶体的生长方向偏离晶轴的角度生长方向偏离晶轴的角度。v2 2）单色

31、的）单色的X X射线及多晶试样。射线及多晶试样。v样品为块状或样品为块状或粉末状粉末状的多晶体，由于试样中数量较多的小晶的多晶体，由于试样中数量较多的小晶粒取向不同，粒取向不同，X X射线总可以与某些小晶粒形成发生衍射的掠射线总可以与某些小晶粒形成发生衍射的掠射角射角，从而产生衍射光束。这种方法称为粉末法。此法可，从而产生衍射光束。这种方法称为粉末法。此法可以用来以用来测定晶体的晶格常数测定晶体的晶格常数。v七、单色七、单色X射线衍射法定向射线衍射法定向v1、X射线衍射仪射线衍射仪v如图所示为如图所示为X射线衍射定向仪示意图。主要由三部分组成：射线衍射定向仪示意图。主要由三部分组成：单色单色X

32、射线发生器、样品台、探测仪。射线发生器、样品台、探测仪。X射线衍射定向仪示意图射线衍射定向仪示意图1）单色单色X射线发生器：射线发生器：X射线测试装置一般使用铜靶，射线测试装置一般使用铜靶，X射线束通过一个狭缝系统校正，使其穿过一个薄的射线束通过一个狭缝系统校正，使其穿过一个薄的镍制滤光片而成为一束基本上为单色的平行射线。镍制滤光片而成为一束基本上为单色的平行射线。2） 样品台：样品台：试样放置在一个支座上，使被侧面可以绕轴试样放置在一个支座上，使被侧面可以绕轴旋转一定角度，满足布喇格条件。旋转一定角度，满足布喇格条件。3） 探测仪：探测仪：用盖革计数管进行定位，使入射用盖革计数管进行定位，使入射X射线束、射线束、衍射光束、基准面法线及探测器窗口在同一平面内。衍射光束、基准面法线及探测器窗口在同一平面内。v各部分作用各部分作用v2、X射线定向原理：射线定向原理：v当一束单色当一束单色X射线照射到晶体表面，使入射线与晶体中表射线照射到晶体表面，使入射线与晶体中表面的夹角为面的夹角为，利用计数器探测衍射线，根据其出现的位利用计数器探测衍射线，根据其出