什么是静电敏感器件

1、(V) 我厂所用元器件典型范例IRF640 、SPP1 1N60S5、BSN304TDA4605、TDA16846M24C08、AT24C16K30AA 号板的 CF6264V 号板 LM3580S、V 号板 AT27C0 1 0(L)高清上网板 1N5817C1815、A1015V 号板 SFORIB42什么是静电敏感器件易被静电损坏的电子器件称为静电敏感器件(Static Sensitive Device简称SSD)。由于科技时代的需要，小体积、多功能、快速度的集成电路已是目前电子工业的基本要求。增厚氧化膜，提高其耐压性，显然是 行不通的， 因此在器件的集成度越来越高的趋势下， 通常将器件

2、氧化膜的膜厚做得越来越薄使其尺寸减少， 器件的耐压也随之降低。 半导体器件，特别是IC,根据其种类不同受静电破坏的程度也不一样，弱至100V的静电也会造成破坏，具体数据见表 l。表 l 各种半导体器受静电破坏的水平 元件的种类 遭受破坏的电压范围 VMOS 器件301800MOS 场效应器件 100200坤化镓场效应器件100300EPROM 100 结型场效应器件 1407000表面滤波器150500运算放大器1902500CMOS 器件2503000肖特基二极管 3002500薄膜电阻3003000双极型晶体管 3807000可控硅 6801000肖特基 TTL10002500从上表可以看

3、出， 元器件对静电的敏感度是不一样的， 主要可分为以下三个级别 (见表二)表二敏感类别敏感电压阈值 （V）1类0 - 19992 类2000 - 39993 类4000 - 15999敏感电压阈值大于 16000V 的产品，属于非敏感产品。静电敏感元器件一般采用以下图形（见 “工艺资料 ”栏目下的静电标识 。）作为防静电标志，生产过程 中碰到贴有这些标志的元器件时要特别注意防静电问题：半导体集成电路在设计上对防静电失效采取了保护措施，能为最敏感的元器件提供最低 2000V 的静电放 电设计保护，如增加保护电阻和嵌位二极管使之具有较强的抗静电能力。尽管静电防护设计成效很大，但 因为受到结构设计微

4、小型化和产品基本构造原理的局限，毕竟只能将敏感电压阈值提高到一定程度。另一 方面，该电压阈值还与元器件的制造工艺有密切关系。所以在器件应用时，仍需采取各种有效措施来防止 器件受到静电损伤。静电放电（ESD）失效可以是热效应，也可以是电效应，这取决于半导体集成电路承受外界过电应力的 瞬间以及器件对地的绝缘程度。若器件的某一引出端对地短路，则放电瞬间产生电流脉冲形成焦耳热，使 器件局部金属连线融化或芯片出现热斑，以至诱发二次击穿，这就是热效应。若器件与地不接触，没有直 接电流通路，则静电源不是通过器件到地直接放电，而是将储存电荷传到器件，放电瞬间表现为过电压导 致介质击穿或表面击穿，这就属于静电效应。静电敏感元器件被静电损伤后主要表现为两种形式，即硬击穿和软击穿。电子元器件被静电破坏后，约 有 90%产生软击穿，而 10%左右被完全破坏。电视机中的静电敏感元器件发生硬击穿后，往往会产生某种 故障，在生产过程中可以马上检验出来，不留隐患。而被软击穿的元器件，通常在事故发生后6天6 个月后工作性能发生变化，这种变化可以导致间接性故障，通常引发参数暂时性的漂移、不稳定或是带负载能 力变差。软击穿还