电子科技大学博士考试大纲8109707024.doc

2011年电子科技大学博士研究生入学考试大纲考试科目1002英语考试形式笔试（闭卷）考试时间180分钟考试总分100分一、总体要求考试对象：报考电子科技大学所属各院、所、中心相关专业拟攻读博士学位的考生。考试目的：检验考生是否具有进入攻读博士学位阶段的英语水平和能力。二、考试类型、考试内容及考试结构本考试共有五个部分：词汇（占10%）、完形填空（占15%）、阅读理解（占40%）、英译汉占（15%），写作占20%。试卷分为：试卷一（Paper One）客观试题，包括前三个部分，共75题，顺序排号；试卷二（Paper Two）主观试题，包括英译汉和写作两个部分。（一）词汇：主要测试考生是否具备一定的词汇量和根据上下文对词和词组意义判断的能力。词和词组的测试范围基本以本考试大纲所列参考书为依据。共20题。每题为一个留有空白的英文句子。要求考生从所给的四个选项中选出可用在句中的最恰当词或词组。（二）完形填空：主要测试考生在语篇层次上的理解能力以及对词汇表达方式和结构掌握的程度。考生应具有借助于词汇、句法及上下文线索对语言进行综合分析和应用的能力。要求考生就所给篇章中15处空白所需的词或短语分别从四个选项中选出最佳答案。（三）阅读理解：本部分共分两节。要求考生能：1）掌握中心思想、主要内容和具体细节；2）进行相关的判断和推理；3）准确把握某些词和词组在上下文中的特定含义；4）领会作者观点和意图、判断作者的态度。A节：主要测试考生在规定时间内通过阅读获取相关信息的能力。考生须完成1800-2000词的阅读量并就题目从四个选项中选出最佳答案。B节：主要测试考生对诸如连贯性和一致性等语段特征的理解。考生须完成700900词的阅读量（2篇短文），并根据每篇文章（约400词）的内容，从文后所提供的6段文字中选择能分别放进文章中5个空白处的5段。（四）英译汉：要求考生将一篇近400词的英语短文中有下划线的5个句子翻译成汉语。主要测试考生是否能从语篇的角度正确理解英语原句的意思，并能用准确、达意的汉语书面表达出来。（五）写作：要求考生按照命题、所给提纲或背景图、表写出一篇不少于200字的短文。目的是测试考生用英语表达思想或传递信息的能力及对英文写作基础知识的实际运用。考试时间及计分：考试时间总计为180分钟,其中试卷一为110分钟,试卷二为70分钟。卷面总分100分。详见下表：试卷一：题号名称题量分值时间（分钟）I词汇选择填空201015II完形填空151515III-A阅读理解（A）303060III-B阅读理解（B）101020小计7565110分钟试卷二：题号名称题量分值时间（分钟）IV英译汉语篇中句子51530V写作12040小计63570分钟考试科目2001马克思主义经典著作考试形式笔试（闭卷）考试时间180分钟考试总分100分一、总体要求认真研读原著，紧紧围绕“什么是马克思主义、怎样对待马克思主义”这个根本问题，深入了解马克思主义经典作家有那些经典性论述？这些经典论述的历史背景是什么？其理论价值和现实意义是什么？二、内容及比例（一）研读马克思主义经典著作的立场、观点与方法（马克思、恩格斯、列宁怎样对待自己的著作，如何用他们的立场、观点和方法学习与研究他们的著作；马克思主义经典作家关于“什么是马克思主义、怎样对待马克思主义”的经典论述）；（二）历史唯物主义的创立及其历史必然性（精读：关于费尔巴哈的提纲、德意志意识形态（节选）、政治经济学批判序言；马克思、恩格斯关于历史唯物主义的经典表述，关于其创立历史必然性及其意义的相关论述）；（三）共产党宣言的发表与科学社会主义原理的系统阐述（精读：共产党宣言、致约魏德迈（1852年3月5日）；马克思主义经典作家关于社会主义、共产主义的经典论述；马克思、恩格斯关于无产阶级专政与民主的相关论述）；（四）对资本主义生产方式运动规律的探索（精读：政治经济学批判导言、资本论第一卷（节选）；马克思的“政治经济学的方法”，资本主义积累的历史趋势）；（五）科学理论的拓展（精读：哥达纲领批判、社会主义从空想到科学的发展、费尔巴哈和德国古典哲学的终结（节选）、卡马克思1848年至1850年法兰西阶级斗争一书导言、在马克思墓前的讲话；恩格斯晚年对马克思思想的发展）；（六）列宁对马克思主义的继承与发展（精读：帝国主义是资本主义的最高阶段（节选）、国家与革命（节选）、论粮食税；列宁关于“什么是社会主义、怎样建设社会主义”的论述）。三、题型及分值比例简答题：40%论述题：60%考试科目2002数理方程和复变函数考试形式笔试(闭卷)考试时间180分钟考试总分100分一、总体要求要求考生全面系统地掌握数理方程和复变函数的有关理论，并且能灵活运用，具备较强的分析问题与解决问题的能力。二、内容及比例1. 定解问题 典型数学物理方程的导出（波动方程，热传导方程，拉普拉斯方程），并能写出（导出）定解条件，线性方程解的叠加性质，齐次化原理，解的适定性，二阶线性数理方程的分类和化简。2. 分离变量法 掌握分离变量法，能应用于波动方程、热传导方程的混合问题和特殊区域上拉普拉斯方程的狄利克雷问题，非齐次方程的固有函数法和齐次化原理，对于非齐次边界条件的处理方法。3. 行波法 行波法导出一维波动方程的达朗贝尔公式（限齐次方程），弦振动问题的“依赖区间”、“决定区域”和“影响区域”，三维波动方程的泊松公式，降维法，定解问题的公式解。4. 积分变换 傅立叶积分，傅立叶变换、性质，拉普拉斯变换与性质，傅立叶变换和拉普拉斯变换求解定解问题的方法。5. 格林函数法 拉普拉斯方程第一、第二类边值问题的提法，格林公式和应用，格林函数的性质，一些特殊区域上的格林函数和狄利克雷问题。6. 贝塞尔函数 贝塞尔函数及其性质7. 勒让德多项式 勒让德多项式及其性质。8. 复数与复变函数 复数、复平面上的点集，复数的代数运算、乘幂与方根，复数的三角表示，复变函数，极限，连续性，区域与若尔当曲线，复球面与无穷远点。9. 解析函数 解析函数概念与柯西黎曼条件，求导法则，可微的必要条件和充分条件，奇点，初等解析函数（正整数次幂函数、指数函数、三角函数、双曲函数），初等多值函数（根式函数、对数函数、反三角函数、一般指数函数、一般幂函数），多值解析函数的支点、割线、解析分支。10. 复变函数的积分 复积分的概念及基本性质，柯西古萨基本定理（单连通与复连通域），定积分与原函数，柯西积分公式，高阶导数公式，解析函数的无穷可微性，刘维尔定理，摩勒拉定理，调和函数与共轭调和函数，平均值定理与极值原理。11. 解析函数的幂级数表示法 复级数的基本性质，收敛与一致收敛，幂级数，收敛半径，和函数的性质，解析函数的泰勒展开式，解析函数零点的孤立性及唯一性定理，最大模原理。12. 解析函数的洛朗展开式与孤立奇点 解析函数的洛朗展开式，解析函数的孤立奇点，皮卡定理，解析函数在无穷远点的性态，整函数与亚纯函数的概念。13. 留数理论及其应用 留数的概念和求法，留数定理，用留数计算实积分，辐角原理，儒歇定理及应用。14. 保形变换 解析变换的特征，导数的几何意义，单叶解析变换的共形性，分式线性变换，唯一决定分式线性变换的条件。三、题型及分值比例选择题：20%填空题：20%简答和证明题：20%计算题：40%考试科目2003随机过程考试形式笔试（闭卷）考试时间180分钟考试总分100分一、总体要求掌握本课程基本理论及随机分析的基本思想与基本方法,掌握随机过程的基本概念和工程的应用意义.理解随机过程的基本概念和基本类型.掌握几类重要随机过程:正态过程、维纳过程、泊松过程的概念及相关计算.掌握均方微积分中的极限、导数与积分概念.掌握平稳过程概念以及均方遍历性,谱概念和分解定理. 随机过程的马尔科夫性，齐次马氏链的各种性质.二、内容及比例1概率论概要（5%）概率空间、黎曼斯蒂阶积分、随机变量的数字特征、条件数学期望概念及性质.收敛性与极限定理.2随机过程基本概念（15%）随机过程的数学定义及工程背景.过程的样本函数概念及随机过程的二元理解. 随机过程有限维分布函数族的概念及其性质.随机过程的基本类型: 二阶矩过程、独立过程、独立增量过程、独立平稳增量过程等.随机过程的数字特征概念及计算方法.3几类重要随机过程（20%）正态随机过程的定义，其有限维分布函数族和有限维特征函数族.正态过程的奇异性. 维纳过程的数学定义及性质:增量正态性、独立平稳增量性、零初值性以及维纳过程的非平稳性. 齐次泊松过程的定义及性质:零初值性、平稳增量性以及随机点发生的稀有性. 齐次泊松过程有关随机变量: 到达时间间隔、等待时间间隔. 到达时间的分布.4均方微积分（15%）距离空间H中二阶矩随机过程的均方极限和均方收敛概念.均方极限的运算性质, 二阶矩随机过程均方极限的数字特征.均方极限收敛性与其自相关函数收敛性的关系. 随机过程的均方连续概念及均方连续准则.随机过程的均方导数定义及过程均方可微准则. 均方导数过程的数字特征计算. 随机过程的黎曼均方定积分定义及均方可积准则. 均方定积分性质, 均方定积分的数字特征及性质.均方不定积分定义及性质.5.平稳随机过程（25%）严平稳过程的概念及工程理解. 宽平稳过程的概念及工程理解. 实(复)平稳过程的自相关函数的性质. 平稳过程均方连续的充分必要条件. 平稳过程的均方导数过程、均方积分过程的数字特征. 平稳过程的均方遍历性(各态历经性)概念及遍历性定理. 平稳随机过程的功率谱密度(功率谱, 谱密度)概念及工程意义. 平稳过程的相关函数与功率谱密度的Fourier变换关系.平稳过程相关函数的谱分解式.6马尔可夫过程（20%）随机过程的马尔科夫性及工程意义, 马尔科夫过程的有限维分布.离散参数马氏链的定义,马氏链的转移概率、转移矩阵及切普曼柯尔莫哥洛夫方程.齐次马尔可夫链的概念及性质，其绝对概率分布，极限分布、平稳分布的概念及计算方法.齐次马氏链的遍历性概念及遍历性定理. 齐次马氏链状态的类型的分类，其状态空间的分解定理及分解方法三、题型及分值比例选择题：20% 填空题： 简答题：30% 计算题：50%考试科目2004线性代数和概率论考试形式笔试（闭卷）考试时间180分钟考试总分100分一、总体要求 主要考察学生对线性代数和概率论这两门重要数学课程的基本概念、基本理论、基本方法的掌握情况，考察其中的基本分析和解决问题的能力。二、内容及比例第一部分 线性代数501、矩阵及初等变换矩阵及其运算;高斯消元法, 矩阵的初等变换, 初等矩阵;逆矩阵;分块矩阵.2、行列式n阶行列式;Laplace定理；伴随矩阵、Cramer法则;矩阵的秩.3、n维向量空间n维向量空间的概念, Rn的子空间;线性相关、线性无关、向量组的秩与最大无关组, Rn的基, 维数和坐标;齐次线性方程组, 非齐次线性方程组解的性质、结构与计算.4、特征值与特征向量特征值与特征向量; 相似矩阵, 矩阵的相似对角化; 向量的内积, 正交性, Schmidt正交化方法;实对称矩阵的相似对角化. 5、二次型实二次型, 正交变换化二次型为标准形.正定二次型, 正定矩阵及其判别方法.第二部分 概率论501、概率论的基本概念事件之间的关系及其基本运算；概率定义及其基本性质；条件概率的概念；概率的三个重要公式概率乘法公式、全概率公式和贝叶斯公式；事件独立性。2、随机变量的分布随机变量的概念；随机变量的分布函数的概念及性质；离散型随机变量和连续型随机变量的描述方法；分布函数、分布律、概率密度函数的定义和性质；二项分布、泊松分布、均匀分布、指数分布、和正态分布的概率分布； 3、多维随机变量多维随机变量的概念；二维随机变量的联合分布函数、联合概率密度、联合分布律的概念，并会利用相关的性质进行计算；二维随机变量的边缘分布；随机变量的独立性，掌握判定独立性的条件，并会利用相关的性质进行计算；简单的随机变量函数的分布。4、随机变量的数字特征随机变量的数学期望和方差的概念以及性质和有关计算，随机变量函数的数学期望；二项分布、泊松分布、均匀分布、指数分布、和正态分布的数学期望和方差；矩、协方差和相关系数的概念、性质及有关运算。5、大数定律和中心极限定理依概率收敛和依分布收敛的概念；切比雪夫不等式与切比雪夫大数定律、独立同分布大数定律和贝努里大数定律；独立同分布的中心极限定理和棣莫孚拉普拉斯中心极限定理。三、题型及分值比例计算题、证明题：大约各50，但不受此比例限制。考试科目2005数理方程与特殊函数考试形式笔试（闭卷）考试时间180分钟考试总分100一、总体要求要求考生掌握数学物理方程中的基本概念和基本的理论体系，掌握偏微分方程定解问题求解的常用方法，并具备较对较简单数学物理问题的建模、分析与求解能力。二、内容及比例一、定解问题与偏微分方程理论(25%)三类物理问题的定解问题的建立、 二阶线性偏微分方程的化简与分类、二阶线性偏微分方程基本理论 二、分离变量法 (15%)一维齐次混合问题分离变量解法、二维Laplace定解问题分离变量法、非齐次方程的解、非齐次边界条件的解 三、行波法 (15%)一维波动方程的dAlembert公式、半无界弦振动问题、高维波动方程Cauchy问题、非齐次波动方程解法四、积分变换 (15%)Fourier变换、Fourier变换的应用、Laplace变换、Laplace变换的应用 五、Green函数法 (15%)Poisson方程的边值问题、Green公式与调和函数、Poisson方程Dirichlet问题Green函数法、几种特殊区域上Dirichlet问题的Green函数 六、Bessel函数 (10%)Bessel方程、Bessel函数的母函数、Bessel函数的正交性、Bessel函数的递推公式七、Legendre多项式(5%) Legendre方程、Legendre多项式的母函数、Legendre多项式的展开、Legendre多项式的递推公式三、题型及分值比例建模题：25证明题：10简答题：10计算题：55考试科目2006 分子生物学考试形式笔试（闭卷）考试时间180分钟考试总分100分一、总体要求在考查基本知识、基本理论的基础上，注重考查考生的试验设计能力，综合分析问题的能力。二、内容及比例1、分子生物学基本理论：生物大分子（蛋白质、核酸）的化学组成、结构与功能；遗传信息的复制、转录与翻译；基因表达调控；DNA损伤、修复和重组；瘤相关基因；结构基因组学和功能基因组学。2、分子生物学研究实验方法的基本原理：分子克隆操作常用的工具酶的特性、分子克隆常用的DNA载体的特点和用途；分子克隆的基本程序；基因敲除和定点诱变技术；基因组文库和cDNA文库的构建方法和用途；蛋白质分离纯化与分析手段；细胞通讯与细胞信号转导的分子机制；人类基因组计划与后基因组主要研究内容及方法；基因诊断与基因治疗。3、运用有关知识，解释和设计实验论证某种生化与分子生物学实验现象。4、分子生物学研究领域的最新进展。三、题型及分值名词解释：30%问答题：70%考试科目2007组合数学考试形式笔试（闭卷）考试时间180分钟考试总分100一、总体要求笔试，闭卷，不带计算器。其它以通常的考博的要求为准。二、内容及比例1排列与组合（15%）（1）排列与组合（普通排列，可重排列，圆排列，普通组合，可重组合等）的计算。（2）组合恒等式的应用、组合意义及其证明。2. 鸽笼原理与与容斥原理（15%）（1）鸽笼原理的应用，Ramsey数的概念，涉及Ramsey定理的有关证明。（2）容斥原理的应用，错排问题，棋子多项式及一般有限制的排列。3. 母函数及其应用（15%）母函数及其应用。整数拆分的概念，简单拆分数计算，一些拆分数的母函数的确定。4递推关系及其应用（20%）（1）递推关系的建立与解法（解法中重点为母函数法及求解常系数线性递推关系的特征根法）。（2）第2类Stirling数定义、组合意义、递推关系和基本性质。5. Polya定理（10%）Burnside引理、Polya定理及母函数型的Polya定理的应用，即用上述引理和定理求解排列组合问题。6.组合设计与组合优化（25%）（1）最大流的概念与求法，最小割的概念与求法，最大流与最小割的关系，推广网络中最大流的求法。（2）线性规划问题的数学模型，图解法，单纯形法（含表格法与二阶段法）。（3）动态规划中的最优原理与递归函数方程，动态规划问题的数学模型的建立。（4）正交拉丁方的概念与构造。 三、题型及分值比例选择题：10%填空题：10%简答题：10%计算题：60%证明题：10%考试科目2008运筹学考试形式笔试（闭卷）考试时间180分钟考试总分100分一、总体要求在考查运筹学的基本知识、基本理论的基础上，考查考生的实际计算能力，综合分析问题的能力。二、内容及比例（1）、线性规划与目标规划1. 掌握线性规划的建模与单纯形解法；2. 掌握对偶理论、灵敏度分析与经济解释；3. 掌握目标规划的建模，熟悉目标规划的解法。（2）、非线性规划1. 掌握库恩塔克条件及其经济意义；2. 了解无约束和约束极值问题的解法。（3）、动态规划1. 掌握动态规划的原理；2. 掌握动态规划在资源分配、生产与存储、复合系统工作可靠性、设备更新问题、排序问题中的应用。（4）、排队论1. 熟悉单服务台、多服务台负指数分布排队系统的分析；2. 了解排队系统的优化。（5）、对策论1. 熟悉矩阵对策的基本定理；2. 熟悉矩阵对策的解法。（6）、决策论1. 掌握风险决策分析原理与决策树方法；2. 掌握信息价值的计算方法。（7）、多目标决策1. 掌握多目标决策非劣解的概念、经济意义与求解方法；2. 了解多目标决策化多为少的方法、多目标线性规划解法、层次分析法。三、题型及分值计算题（每题10-20分）考试科目2009泛函分析考试形式笔试(闭卷)考试时间180分钟考试总分100分一、总体要求主要考查学生对“线性泛函分析”基本理论和方法的掌握情况。二、内容及比例1、 距离线性空间：线性空间、距离空间、距离线性空间；距离空间中的拓扑、可分空间；完备的距离空间；赋范线性空间；列紧性；压缩映象原理；2、 Hilbert空间：内积空间；正规正交基；射影定理、Frechet-Riesz表现定理；Hilbert共轭算子、Lax-Milgram定理；3、 Banach空间上的有界线性算子：有界线性算子；Hahn-Banach定理；Baire纲定理；对偶空间、二次对偶、自反空间；Banach共轭算子；算子的值域与零空间；4、 有界线性算子谱论：有界线性算子的谱；射影算子；紧算子；有界自伴算子；酉算子.三、题型及分值比例简答题：100%考试科目2011近世代数考试形式笔试(闭卷)考试时间180分钟考试总分100分一、总体要求主要考察学生掌握近世代数的基本知识，基本理论和基本技能的情况及其用分析的理论与方法分析问题和解决问题的能力。二、内容及比例5、 数论基础：整除、最大公因子的定义及性质, 一次同余方程的求解,中国剩余定理及其应用.6、 群论： 群的定义，等价的定义及其性质； 子群的定义， 性质及判定；元素的阶； 循环群的性质，有限置换群的基本性质，Lagrange定理与陪集的性质； 正规子群的定义及其性质，商群；元素的共轭与子群的共轭、共轭类的性质； 群同态的定义、性质及若干同态定理； 群作用的定义、性质； 轨道计数的Burnside定理及其实际应用， 群的直积与有限交换群的结构； 阶数8的低阶群的结构。7、 环论： 环、子环、理想与商环的定义及性质；环的同态基本定理；整环中的因子分解、既约元与素元、最大公因子的定义及其性质；惟一分解整环的定义及其性质；主理想整环； 欧氏环；域上一元多项式环的基本性质；本原多项式；有理数域上多项式环中不可约多项式的Eisenstein判定法；8、 域论： 域的定义及其基本性质； 代数元、超越元；代数扩张与有限扩张； 有限域的基本性质与构作。三、题型及分值比例填空题：30%简答题：50%计算题：20%考试科目2015随机过程与排队论考试形式笔试（闭卷）考试时间180分钟考试总分100分一、总体要求随机过程与排队论在社会科学、自然科学和工程技术领域都有十分广泛的应用。作为计算机专业的一门基础课程，学生要了解什么是随机过程与排队论以及它们的应用实例，然后当然最重要的是如何运用随机过程。二、内容及比例1、随机过程的基本概念 随机过程的定义及分类； 随机过程的分布及数字特征2、独立过程与独立增量过程 3、泊松过程 4、马尔可夫过程 马尔可夫过程的概念 离散参数马氏链 齐次马氏链状态的分类 连续参数马氏链 生灭过程 5、排队系统概述，M/M/1/排队系统 6、M/M/排队系统与M/M/c/排队系统 7、M/M/c/K混合制排队系统 8、M/M/c/m/m系统及损失制系统 9、有备用品的M/M/c/m+K/m系统 二阶段循环排队系统 10、嵌入马尔柯夫链，队长 三、题型及分值简答题 40%计算题 60%考试科目3001半导体物理考试形式笔试（闭卷）考试时间180分钟考试总分100分一、总体要求 要求考生对半导体物理中的基本概念有深刻的理解，系统掌握半导体物理学的基础理论，并能灵活应用基础理论和基本概念去分析金属/半导体接触和金属/绝缘体/半导体（MIS）结构中的载流子分布、能带状况以及两种结构的电学性能，具有较强的分析问题和解决问题的能力。二、内容及比例第一章、半导体中的电子状态l 了解半导体的三种常见晶体结构即金刚石型、闪锌矿和纤锌矿型结构；以及两种化合键形式即共价键和离子键在不同结构中的特点。l 了解电子的共有化运动；l 理解能带不同形式导带、价带、禁带的形成；导体、半导体、绝缘体的能带与导电性能的差异；l 掌握本征激发的概念。l 理解半导体中电子的平均速度和加速度；l 掌握半导体有效质量的概念、意义和计算。l 理解本征半导体的导电机构；l 掌握半导体空穴的概念及其特点。l 理解典型半导体材料锗、硅、砷化镓和锗硅的能带结构。重要术语：1. 允带 2. 电子的有效质量 3. 禁带4. 本征半导体5. 本征激发6. 空穴7. 空穴的有效质量知识点： 学完本章后，学生应具备以下能力：1. 对单晶中的允带和禁带的概念进行定性的讨论。2. 讨论硅中能带的分裂。3. 根据K-k关系曲线论述有效质量的定义，并讨论它对于晶体中粒子运动的意义。4. 本征半导体与本征激发的概念。5. 讨论空穴的概念。6. 定性地讨论金属、绝缘体和半导体在能带方面的差异。 第二章、半导体中的杂质和缺陷能级l 掌握锗、硅晶体中的浅能级形成原因，多子和少子的概念；l 了解浅能级杂质电离能的计算；l 了解杂质补偿作用及其产生的原因；。l 了解锗、硅晶体中深能级杂质的特点和作用；l 理解III-V族化合物中的杂质能级的形成及特点；l 了解等电子陷阱、等电子络合物以及两性杂质的概念；l 了解缺陷（主要是两类点缺陷弗仑克耳缺陷和肖脱基缺陷）、位错（一种线缺陷）施主或受主能级的形成。 重要术语1. 受主原子2. 载流子电荷3. 补偿半导体4. 完全电离5. 施主原子6. 非本征半导体7. 束缚态知识点：学完本章后，学生应具备如下能力：1. 描述半导体内掺人施主与受主杂质后的影响。2. 理解完全电离的概念。第三章 热平衡时半导体中载流子的统计分布l 掌握状态密度，费米能级的概念；l 掌握载流子的费米统计分布和波尔兹曼统计分布；l 掌握本征半导体的载流子浓度和费米能级公式推导和计算；l 掌握非简并半导体载流子浓度和费米能级公式推导和计算、杂质半导体的载流子浓度以及费米能级随掺杂浓度以及温度变化的规律；l 了解简并半导体及其简并化条件。重要术语1. 完全电离2. 简并半导体3. 有效状态密度4. 费米概率分布函数5. 玻尔兹曼近似6. 本征载流子浓度ni7. 本征费米能级EFi8. 非简并半导体知识点：学完本章后，学生应具备如下能力：1. 讨论有效状态密度函数。2. 理解费米狄拉克分布函数和费米能级的意义。3. 推导出热平衡电子浓度与空穴浓度关于费米能级的表达式。4. 推导出本征载流子浓度的表达式。5. 说出 T300 K下Si的本征载流于浓度值。6. 推导出本征费米能级的表达式。7. 掌握公式ni2n。p。的推导过程。8. 描述简并与非简并半导体的概念。9. 讨论电中性的概念。10. 推导出n。与p。关于掺杂浓度的表达式。11. 描述费米能级随温度与掺杂浓度的变化情况。第四章 半导体的导电性l 了解载流子的热运动特点；l 掌握迁移率、电导率、杂质散射、晶格散射等概念；l 重点掌握载流子的漂移运动；l 理解载流子的散射理论；l 迁移率、电阻率与杂质浓度和温度的关系等。l 理解强电场效应、多能谷散射。l 理解霍耳效应、磁阻效应重要术语：1. 电导率2. 漂移3. 漂移电流4. 漂移速度5. 电离杂质散射6. 晶格散射7. 迁移率8. 电阻率9. 霍耳效应10. 磁阻效应知识点： 学完本章后，学生应具备如下能力：1. 论述载流子漂移电流密度。2. 解释为什么在外加电场作用下载流子达到平均漂移速度。3. 论述晶格散射和杂质散射机制。4. 定义迁移率，并论述迁移率对温度和电离杂质浓度的依赖关系。5. 论述电阻率对温度和电离杂质浓度的依赖关系第五章 非平衡载流子l 了解非平衡载流子；l 理解非平衡载流子的注人与复合；l 掌握非平衡载流子的寿命；l 掌握准费米能级；l 掌握复合理论；l 理解陷阶效应；l 掌握载流子的扩散运动及其计算；l 掌握爱因斯坦关系l 理解连续性方程。重要术语：1. 非平衡载流子的产生2. 非平衡载流子的复合3. 非平衡载流子4. 非平衡少子寿命产生率5. 小注入6. 少子扩散长度7. 准费米能级8. 复合率9. 表面态知识点： 学完本章后，学生应具备如下能力：1. 论述非平衡产生和复合的概念。2. 论述过剩载流子寿命的概念。3. 论述电子和空穴与时间无关的扩散方程的推导过程。4. 理解在小注人状态和非本征半导体中，双极输运方程系数可以归纳为少子系数的结论。5. 描述电子和空穴的准费米能级。6. 描述给定浓度的过剩载流子的复合率。7. 了解过剩载流子浓度的表面效应。第七章 金属和半导体的接触l 理解功函数的概念；l 理解肖特基势垒高度；l 掌握金属和半导体接触的整流理论；l 理解少数载流子的注人；l 理解欧姆接触；l 理解镜像力降低效应。l 理解镜像力降低效应l 理解欧姆接触和隧道效应重要术语：1. 功函数2. 肖特基势垒3. 金属和半导体接触4. 少数载流子的注人5. 欧姆接触6. 镜像力7. 隧道效应知识点： 学完本章后，学生应具备如下能力：1. 能大致画出肖特基势垒二极管在零偏、反偏以及正偏时的能带图。2. 描述肖特基势垒二极管正、反偏时的电荷流动情况。3. 解释肖特基势垒降低现象以及这种现象对肖特基势垒二极管反向饱和电流的影响。4. 解释表面态对肖特基势垒二极管的影响。5. 解释欧姆接触。第八章 半导体表面与MIS结构l 掌握半导体表面理论；l 掌握表面电场效应l 理解表面态；l 掌握MIS结构的电容一电压特性；l 理解硅一二氧化硅系统的性质；重要术语1. 积累层电荷 2. 反型层电荷3. 平带电压4. 界面态5. 金属一半导体功函数差6. 临界反型7. 栅氧化层电容8. 强反型9. 阈值电压10. 弱反型知识点： 学完本章后，学生应该具备如下能力：1. 绘出在不同偏置条件下的MOS结构的能带图。2. 描述MOS结构中反型层电荷的产生过程。3. 分析当反型层形成时空间电荷宽度达到最大值的原因。4. 分析金属-半导体功函数差的意义。5. 描述平带电压的意义。6. 定义阈值电压。7. 绘出高、低频时n、p型衬底MOS电容器的CV特性曲线。8. 分析C-V特性曲线中固定电荷的影响。三、题型及分值1. 简答题 25%2. 分析说明题 20%3. 作图题 15%4. 证明题 15%5. 计算题 25%考试科目3002材料化学考试形式笔试（闭卷）考试时间180分钟考试总分100分一、总体要求基本概念清楚，熟悉基本公式并能熟练应用。二、内容及比例1 掌握热力学第一定律、卡诺循环、化学反应热的计算、基尔霍夫定律；2 掌握热力学第二、三定律、各热力学函数的计算、各热力学函数的关系、克拉贝龙方程及其应用、多组分体系的偏摩尔量及化学势；3 掌握理想、非理想气体、溶液化学势的计算、稀溶液化学势的应用；4 掌握相律及相平衡的基本原理、二、三组分体系相图的识别；5 掌握不同化学平衡常数表示法之间的关系、不同条件对化学平衡的影响关系；6 掌握摩尔电导率与溶液浓度的关系、离子独立移动定律、电导测定的应用；电解质平均活度及活度系数的计算；7 掌握可逆电池的热力学、可逆电池电动势计算及其应用；8 掌握超电势的原理及计算、溶液中不同成分的分离原理；9 掌握简单级数反应动力学方程及应用、三种复杂反应的动力学方程、阿仑尼乌斯公式及其应用、直链反应历程的验证、光化学及催化化学反应动力学；10 掌握弯曲表面的附加压力及蒸气压的计算、固体表面的吸附、气固表面催化反应动力学；11 胶体化学的基本知识。三、题型及分值比例简答题：40%计算题：60%考试科目3003电磁理论考试形式笔试考试时间180分钟考试总分100分一、总体要求掌握电磁场与波的物理及数学基础，包括电磁理论的基本定律；电磁波的基本知识；求解电磁场与电磁波问题的基本数学方法；导波场论基础；辐射基本概念。二、内容及比例全面掌握以下内容：（1）张克潜，微波与光电子学中的电磁理论，前五章；（2）R. F. Harrington，Time-Harmonic Electromagnetics，前三章。以下是微波与光电子学中的电磁理论前五章的内容：第一章 宏观电磁理论的基本定律1.1 麦克斯韦方程1.2 边界条件方程1.3 波动方程1.4 坡印廷定理1.5 电磁场的位函数1.6 赫兹矢量1.7 对偶定理1.8 互易定理第二章 电磁波基础2.1 简谐均匀平面电磁波2.2 电磁波的偏振2.3 电磁波的反射与透射2.4 电磁波的阻抗变换和微波或光学涂层第三章 电磁波的传输线模拟和网络模拟3.1 电磁波的传输线模拟3.2 电磁波的网络模拟3.3 阻抗变换器的网络参数第四章 亥姆霍兹方程的边值问题4.1 时变场问题的唯一性定理4.2 正交曲坐标系中矢量亥姆霍兹方程的求解4.3 博格尼斯函数的边界条件4.4 分离变量法4.5 柱形系统中的电磁波4.6 矩坐标系中标量亥姆霍兹方程的解4.7 圆柱坐标系中标量亥姆霍兹方程的解4.8 求坐标系中标量亥姆霍兹方程的解4.9 矢量本征函数和正态模式4.10 亥姆霍兹方程复杂边值问题的近似解第五章 金属波导与谐振腔5.1 金属波导的一般特性5.2 谐振腔的一般特性5.3 矩坐标系的波导与谐振腔5.4 圆柱坐标系的波导与谐振腔5.5 球坐标系的波导与谐振腔5.6 重入谐振腔，复杂边界条件问题5.7 微扰原理以下是Time-Harmonic Electromagnetics前三章的内容：第一章 基本概念1.1 引言1.2 基本方程1.3 组成关系1.4 流量的广义概念1.5 能量和功率1.6 电路概念1.7 复数量1.8 复数方程1.9 复数组成参量1.10 复数功率1.11 物质的交流特性1.12 流量的讨论1.13 电路元件的交流行为1.14 场的奇异点第二章 波的简介2.1 波动方程2.2 在理想介质中的波2.3 固有波常数2.4 在有损耗物质中的波2.5 波的反射2.6 传输线概念2.7 波导概念2.8 谐振腔概念2.9 辐射2.10 天线概念2.11 波的通论第三章 若干定理和概念3.1 源的概念3.2 二重性3.3 唯一性3.4 镜像理论3.5 等效原理3.6 半空间内的场3.7 感应定理3.8 互易性3.9 格林函数3.10 张量格林函数3.11 积分方程3.12 解的构成3.13 辐射场三、题型及分值比例综合题：共六题，任选五题，每题20分，总分100分。考试科目3004电动力学考试形式笔试（开卷）考试时间180分钟考试总分100分一、总体要求二、内容及比例1. 数学准备知识（矢量分析和场论） 2. 电磁现象的普遍规律 掌握麦克斯韦方程组的导出；理解介质中的电磁性质方程，电磁场与电荷体系的能量守恒与能量转换，电磁能量密度、能流密度和电磁动量密度的概念；理解并掌握麦克斯韦方程组（包括介质中的麦克斯韦微分方程组），边值关系以及洛仑兹力公式。 3. 静电问题理解静电场的标势、静电标势的微分方程与边值关系、静电场的唯一性定理以及电势的多极展开；重点掌握处理静电问题的方法：（1）分离变量法（定解问题、Laplace方程的求解）、（2）镜像法（镜像法的解题依据、镜像法的解题步骤）；（3）格林函数法（了解）。4. 静磁问题理解静磁场的磁矢势、磁标势；理解稳恒电流磁场的能量；了解磁多极矩；重点掌握描述静磁场的两种方法：（1）引入磁矢势结合磁矢势微分方程，用类似于静电场的方法求解静磁场；（2）引入磁标势并利用假想磁荷的概念建立磁标势所满足的方程，用类似求解静电场的方法求解静磁场。 5. 电磁波的传播 了解全反射；理解平面单色电磁波在介质分界面和导体表面的反、折射定律；重点掌握迅变电磁场的波动性和平面单色电磁波在真空、介质和导体中传播的规律；掌握波导管、谐振腔中电磁场的基本求解方法。6. 电磁波的辐射 掌握用矢势和标势描述电磁场；理解规范变换与规范不变性、Lorentz规范、推迟势（重点理解）和电磁动量的概念；重点掌握偶极子的辐射场。7. 狭义相对论 了解相对论的实验基础；重点掌握狭义相对论的基本原理以及Lorentz变换、相对论的时空观（同时的相对性、Einstein时钟延缓、Lorentz收缩、因果律）；掌握相对论的四维协变形式，电动力学的相对论不变性及相对论动力学。8. 带电粒子和电磁场的相互作用掌握用矢势和标势描述任意运动带电粒子的电磁场；理解切伦柯夫辐射的物理机理；理解自场对带电粒子的反作用及电磁质量、辐射阻尼的概念；掌握电磁波的散射和吸收；了解经典电动力学的局限性。三、题型及分值比例选择题：0%填空题：0%简答题：20%计算题：80%考试科目3005电子材料与器件考试形式笔试（闭卷）考试时间180分钟考试总分100分一、总体要求主要考察学生掌握电子材料与元器件方面的基本知识，基本理论的情况及应用基本知识解决问题的能力。二、内容及比例电子材料部分（50%）：1. 电子材料的分类的方法。2. 固溶体的种类，形成无限固溶体的条件。3. 电子材料常用的微观分析法。4. 纳米材料及其特点。5. 复合材料与梯度功能材料与一般材料的异同。6. 导电材料与电阻材料有哪些要求和参数。7. 超导体及其基本特性。8. 从能带结构看，半导体材料有何特点。 9. 本征半导体、杂质半导体和补偿半导体。10. 半导体的电导与温度和杂质的关系。11. 半导体的光吸收的类型，光电导的形成。12. 半导体的发光过程。直接禁带与间接禁带和它们的发光效率。13. 介质材料的特点。14. 电容器电介质的要求。15. 电解电容器常用材料和其工件机理。16. 陶瓷电容器介质材料的类型。17. 铁电材料的特点。18. 压电效应与热释电效应。19. 磁性及其分类。 20. 软磁材料的基本特性和应用。21. 硬磁材料的基本特性和应用。22. 敏感材料及其分类。23. 常用NTC 与PTC陶瓷材料及工作机理。 24. 电子陶瓷工艺基本流程。25. 厚膜工艺的特点和厚膜浆的基本成分。26. 制备电子薄膜有哪些主要工艺。电子器件导论部分（50%）：1掌握起始磁导率、增量磁导率及有效磁导率的定义及物理意义，掌握提高起始磁导率途径。2明确磁芯开气隙后对磁芯性能影响的影响，并能进行开隙磁芯有效磁导率的推算。3明确磁芯优值的定义及降低优值的途径，掌握电感因子和匝数因子的物理意义，并能根据这两个参数进行电感值的计算。4掌握低功率线性变压器（宽带变压器）的等效电路，明确各等效参数的物理意义。5掌握磁性器件损耗包括的范围及明确降低各种损耗的途径。6明确插入损耗,反射损耗的定义并能根据定义进行相应的计算。7明确吸收式和组合式抗EMI器件的工作原理，明确共模与差摸EMI的区别。能进行基本类型抗EMI器件(如型,T型,型或吸收型)的插损计算。8掌握电容器在电路中的功能，明确电容器主要分为几大类、及每类电容器主要的特点。9掌握不同种类电容器在具体电路的典型应用。10掌握电容器的等效电路及其电感和阻抗频率特性。11明确电容器损耗的组成，在高频和低频不同情况下电容器的损耗各以什么为主。12掌握电阻器的几个种类和每种电阻器主要的特点。明确电阻器的交、直流等效电路。13掌握电阻器非线性及其产生的机理 。 14掌握压电效应的定义，压电效应的特点，产生压电效应的条件及压电效应的机理。15掌握压电振子的四类边界条件及压电变压器的工作原理。16掌握滤波器的定义及其种类。掌握压电陶瓷滤波器特点并能应用压电振子设计滤波器。三、题型及分值问答题40%计算题20%论述题40%考试科目3006电子测试技术及仪器考试形式笔试（闭卷）考试时间180分钟考试总分100分一、总体要求 全面掌握各种电参量的测量方法、电子测量仪器的组成原理、自动测试技术，以及测试信号处理与分析方法，具备在测试领域进行科学研究所必须的专业知识。二、内容及比例1测量误差及数据处理（10%左右）（1）测量误差的分类、估计和处理：随机误差、系统误差、粗大误差。（2）测量结果的处理步骤，等精度测量和不等精度测量；（3）测量不确定度概念和分类，标准不确定度的A类评定方法和B类评定方法；测量不确定度的评定步骤；（4）测量数据的表示方法：一元线性回归法、端点法、平均选点法、最小二乘法。2.测量的基本概念与基本原理（1）测量的基本概念、基本要素，测量的基本原理。（2）电子测量的实现原理：变换、比较、处理、显示技术。（2）计量的基本概念，单位和单位制，基准和标准，量值的传递准则。（3）电子测量的基本对象，测量系统的静态特性与动态特性。3测试信号的处理与分析方法（10%-15%）（1）测试信号的