集成电路设计（第4版）试卷及答案 卷7

PAGE1共5页第2页学号姓名学号姓名密封线一、名词解释：PVT分析MCM(10分)PVT分析：包括工艺角（Process）分析、电压（Voltage）分析和温度（Temperature）分析,分析工艺，电压和温度的波动对电路性能的影响。MCM：MCM（Multi-Chip-Module）多芯片组件即是当前微组装技术的代表技术。MCM技术将多个裸片形式的集成电路芯片和其他片式元器件组装在一块多层互连基板上，然后，封装在一个外壳内，组成一个具有设计复杂功能的电路模块。二、简述集成电路版图设计中，进行抗干扰设计有哪些方法。(10分)数模混合电路的版图中，解决信号干扰问题有多种措施：首先，可以将模拟和数字电源地的分离；其次，模拟电路和数字电路、模拟总线和数字总线应尽量分开而不交叉混合；再次，根据各模拟单元的重要程度，决定其与数字部分的间距的大小次序。对敏感信号进行屏蔽，形成金属屏蔽空间；在敏感电路周围做一个接地的保护环等。加滤波电容：电源线上和版图空余地方可填加MOS电容进行电源滤波，对模拟电路中的偏置电压和参考电压加多晶电容进行滤波。三、列出CMOS存储器的分类。（15分）半导体存储器按数据存取方式的不同可分为随机存储器（RAM）和只读存储器（ROM）.基于单个数据存储单元的工作原理，RAM主要分为两大类：动态存储器(DRAM)和静态存储器(SRAM)。而在ROM中根据数据存储(写入数据)方式的不同，可分为掩膜ROM和可编ROM(PROM)。可编程ROM又可进一步分为熔丝型ROM、可擦除PROM(EPROM)、电可擦除PROM(EEPROM)和闪存（Flash），下图概括了存储器的分类。四、运算放大器有哪些特点和性能指标?画出两级运算放大器的电路图。(15分)运算放大器是高增益的差动放大器，通常工作在闭环状态。其性能指标有：增益、小信号带宽、大信号带宽、输出摆幅、线性度、噪声与失调、电源抑制两级运放五、写出下述电路的SPICE语言描述（L=1um,W>1um），其中I1的波形如图所示，I2比I1延时3ns。对电路执行瞬态分析，写出输出结果的语句。（15分）.libe:\tecs\LIBRARY\TSMC025.LIBTYPICAL15分vsourcevddvss3.3Vvssvss00XMP1FI1vddvddcmospL=1UW=5UXMP2FI2vddvddcmospL=1UW=5UXMN3FI1XvsscmosnL=1UW=2UXMN4XI2vssvsscmosnL=1UW=2Uvd1I101.5pulse(0.52.51ns2ns2ns4ns12ns)vd2I201.5pulse(0.52.54ns2ns2ns4ns12ns).op.TRAN0.01N8N8分.PLOTvd1vd2V(F).END六、列举出至少三种你所知道的做DRC、LVS的工具名称。（10分）Diva,Dracula,Assura,Calibre等每个3分七、如下图所示为一电阻的示意图。已知该电阻的方块电阻值为200Ω/Square，每个接触孔电阻75Ω，L=100u，W=10u。请估算该电阻值大小。（10分）R=200*L/W+75*2/3=2050八、芯片进行互连线版图设计时，要注意哪些问题？(15分)①通常，为了减少信号或电源引起的损耗，以及为了减少芯片面积，大多数连线应该尽量短。②为了提高集成度，在传输电流非常微弱时，大多数互连线应以制造工艺提供的最小宽度来布线。③在连接线要传输大电流时，应估计其电流容量并保留足够的裕量。④制造工艺提供的多层金属能有效地提高集成度。⑤在微波和毫米波范围内，应注意互连线的趋肤效应和寄生参数。如果可能，为了更易建模和分析，可使用传输线结构。⑥在某些情况下，可有目的地利用互连线的寄生效应。例如，传导电阻可用来实现低值电阻。两条或共面或上下平行互连线间的电容可用做微波或毫米波信号的旁路电容。CMOS工艺发展到深亚微米阶段后