T-NXCL 28-2024 半导体级单晶硅生长用合成石英坩埚

NXCLSyntheticquartzcrucibleforsemiconductorgraI本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的夏大学、宁夏高创特能源科技有限公司、宁夏旭樱新能源科技有限1半导体级单晶硅生长用合成石英坩埚GB/T2828.1—2012计数抽样检测程序第一部分：按接受质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划JC/T2205界定的以及下列术语及定义适用于本3.1坩埚内壁本体的白色斑点，是粘附于坩埚内表面部分熔融的砂粉块或坩埚夹层未融化的石英3.2透明层厚度bubbledepletionlayerthick4规格尺寸21——石英坩埚透明层；2——石英坩埚不透明层；d——石英坩埚外径；h——石英坩埚高度；r——石英坩埚弯弧半径；R——石英坩埚半径；t1——石英坩埚直壁厚度；t2——石英坩埚弯弧厚度；t3——石英坩埚底部厚度。按石英坩埚外径不同分为三类：d≤610mm、610mm＜d≤710mm、d＞710mm。制作合成石英坩埚的外层原料主要为纯度大于99.99%的天然石英砂，内层原料为纯度大于rR223石英坩埚的透明层厚度应大于等于对应部位壁厚的五分之一，小于等于对应部位壁厚的百分之七5.4外观质量ϕ>13.0mm6.0mm<ϕ≤13.0mmϕ>3.0mm2.5mm<ϕ≤3.0mm2.0mm<ϕ≤2.5mm1.5mm<ϕ≤2.0mm1.0mm<ϕ≤1.5mm0.5mm<ϕ≤1.0mm宽度≤1.4mm；3mm＜长度≤8mm的细长杂质点≤1个；长度＞8mm的杂质点不允许ϕ>5.0mm3.5mm<ϕ≤5.0mm2.5mm<ϕ≤3.5mm≤3个≤3个1.5mm<ϕ≤2.5mm1.0mm<ϕ≤1.5mm0.5mm<ϕ≤1.0mm两个或两个以上直径小于0.5mm的NaKNi内层合成(≤)外层天然(≤)5.6抗析晶性45.7耐热性采用分度值不大于0.02mm的游标卡尺等同精度的测量器具测量石英坩埚端口的外少于3个且均匀分布。外径最大值减去标称外径所得代数差为外径上偏差，最小值减去标称外径所得采用精度不低于0.01mm的超声波测厚仪等同精度的测量器具，测量石英坩埚距端口约10mm最小值减去标称直壁壁厚所得代数差为直壁壁厚下偏差。直壁壁厚最大值减去最小值所得差值为偏壁采用精度值不低于0.01mm的超声波测厚仪等同精度的测量器具，测量石英坩埚弯弧处的壁厚，测量点不少于4个且分布均匀。最大值减去标定弯弧壁厚所得代数差为弯弧壁厚上偏差，最小值减去采用精度不低于0.01mm的超声波测厚仪等同精度的测量器具，测量石英坩埚底部点不少于4个。最大值减去标定底部壁厚所得的代数差为底部壁厚上偏差，最小值减去标定底部壁厚的平台上，测量石英坩埚底部最高点到平台的距离，测量点不少于3个且分布均匀。高度最大值减去标称高度所得代数差为高度上偏差，最小值减去标称高度所得代数差为高度下偏6.2透明层厚度弧中心点透明层厚度，各部位测量点不少于4个，所得4个测量值误差不大于0.5m6.3外观质量石英坩埚的外观以目视检测，照明光源与石英坩埚距离不超过600mm，石英处照度不低于100056.5抗析晶性6.7等效试验7.3型式检验a)新产品或老产品转厂生产试制的定型鉴c)原材料、工艺有重大改变并可能影响到产品性能6c)完成纠正措施后，重新进行型式检