光伏产业链名词解释大全

光伏产业链名词解释大全1、普通名词光伏效应、光伏物体由于吸收光子而产生电动势的现象，是当物体受光照时，物体内部的电荷分布状态发生变化而产生电动势和电流的一种效应，全称光生伏特效应光伏发电利用光生伏特效应，将太阳光能直接转化为电能的发电技术瓦（W）、千瓦（KW）、兆瓦（MW）、吉瓦GW）、太瓦（TW）电的功率单位，为衡量光伏电站发电能力的单位。1TW=1,000GW=1,000,000MW=1,000,000,000kW=1,000,000,000,000W千瓦时（KWh）电的能量单位，lKWh的电能即为一度电装机容量太阳能电池经过串联后进行封装保护可形成大面积的太阳电池组件，再配合上功率控制器等部件就形成了光伏发电装置。这种装置的发电功率就是装机容量容配比光伏电站的组件容量与逆变器容量之比平均转换效率平均光电转换效率，是衡量太阳能电池将光能转换为电能能力的指标平准化度电成本LevelizedCostofEnergy缩写为LCOE,简称度电成本，是对项目生命周期内的成本和发电量先进行平准化，再计算得到的发电成本，即生命周期内的成本现值/生命周期内发电量现值平价上网包括发电侧平价与用户侧平价两层含义：发电侧平价是指光伏发电即使按照传统能源的上网电价收购（无补贴）也能实现合理利润；用户侧平价是指光伏发电成本低于售电价格，根据用户类型及其购电成本的不同，又可分为工商业、居民用户侧平价标杆上网电价、上网电价国家发改委制定电网公司对集中式光伏电站并网发电电量的收购价格（含税）发电设备利用小时数指发电机组在1年内平均的满负荷运行时间；在每年的8760h中，发电设备利用小时半导体材料导电能力介于导体和绝缘体之间的材料"双反"调查对来自某一个（或几个）国家或地区的同一种产品同时进行反倾销和反补贴调查光伏发电领跑者计划是指中国国家能源局2015年起实施的光伏扶持计划，旨在促进光伏发电技术进步、产业升级和成本下降。领跑者先进技术产品要求达到规定的技术先进性指标等要求高纯晶硅纯度大于99.9999999%的高纯度单质金属硅2、多晶硅、硅料多晶硅、硅料单质硅的一种形态，由具有一定尺寸的硅晶粒组成的多晶体，各个硅晶粒的晶体取向不同，多晶硅是光伏电池与半导体设备的主要原材料根据纯度，多晶硅可分为太阳能级（光伏级）多晶硅与电子级（半导体级）多晶硅单晶硅片用料用于单晶硅拉制并生产单晶硅片的多晶硅产品多晶硅片用料指指用于多晶铸锭并生产多晶硅片的多晶硅产品工业硅粉、硅粉由硅矿石和碳质还原剂在矿热炉内冶炼成的产品，主要成分为硅元素是多晶硅的主要原材料三氯氢硅、TCS由工业硅粉与氯化氢合成而得的硅化合物，能在1100OC左右被氢还原为单质硅，是本公司生产多晶硅的中间品，化学式为SiHCl3，英文名称Trichlorosilane四氯化硅、TET、STC三氯氢硅合成及三氯氢硅还原等多晶硅生产过程中的副产物，可以通过冷氢化工艺制备三氯氢硅，化学式为SiCl4，英文名称SiliconTetrachloride二氯二氢硅、DCS三氯氢硅合成、冷氢化、三氯氢硅还原等多晶硅生产过程中的副产物，可以与四氯化硅在催化剂条件下反歧化生成三氯化硅，化学式为SiH2Cl2，英文名称Dichlorosilane西门子法西门子法为生产多晶硅的原有工艺，是以氢气还原高纯度三氯氢硅，在加热到1,1001左右的硅芯上沉积多晶硅的生产工艺改良西门子法目前国内外最主流及最成熟的多晶硅生产工艺，又称“闭环西门子法”其主要是在西门子法基础上增加了尾气回收和四氯化硅氢化工艺，实现了生产过程的闭路循环，避免副产品直接排放污染环境，并实现原料的循环利用，有效降低了生产成本硅烷流化床法多晶硅生产工艺之一。硅烷流化床法是以四氯化硅、氢气、氯化氢和工业硅为原料在流化床内（沸腾床）高温高压下生成三氯氢硅，将三氯氢硅再进一步歧化加氢反应生成二氯二氢硅，继而生成硅烷气。制得的硅烷气通入加有小颗粒硅粉的流化床反应炉内进行连续热分解反应，生成粒状多晶硅产品3、硅片环节碳基复合材料以碳纤维为增强体，以碳或碳化硅等为基体，以化学气相沉积或液相浸渍等工艺形成的复合材料，主要包括碳/碳复合材料产品（碳纤维增强基体碳）、碳/陶复合材料产品（碳纤维增强碳化硅）等碳纤维含碳量在90%以上的高强度高模量纤维，用腈纶、沥青或粘胶纤维等原料，经高温氧化碳化而成碳纤维预制体（毡体、毛坯）以碳纤维为原材料，通过碳纤维成网、织布、布网复合成型等技术所形成的坯体碳/碳（C/C）复合材料由碳纤维及其织物增强碳基体所形成的高性能复合材料等静压石墨采用等静压成型方式生产的石墨材料粉末冶金材料用粉末冶金工艺制得的多孔、半致密或全致密材料（包括制品）CVD、化学气相沉积指利用气态物质在高温下通过化学反应生产固态物质的一种工艺方法，是制备碳基复合材料的一种方法直拉法（CZ法）直拉法又称为切克劳斯基法，它是1918年由切克劳斯基（Czochralski）建立起来的一种晶体生长方法，简称CZ法。CZ法的特点是在一个直筒型的热系统中，用石墨电阻加热，将装在高纯度石英坩埚中的多晶硅料熔化，然后将籽晶插入熔体表面进行熔接，同时转动籽晶，再反转坩埚，籽晶缓慢向上提升，经过引晶、放肩、转肩、等径生长、收尾等过程，生长出单晶棒区熔法（FZ法）垂直悬浮区熔法，将一段棒状材料（如半导体材料、金属等）垂直固定，用高频感应等方法加热使其一段区域熔化，熔体靠表面张力支撑悬浮。竖直移动棒状材料或加热器，使熔区移动，在熔区移动过的区域材料冷却而生成为单晶体。通过区熔法，可以获取高纯度的单晶单晶硅生长炉在真空状态和惰性气体保护下，通过石墨电阻加热器将多晶硅原料加热熔化，然后用直拉法生长单晶的设备，也称"单晶生长炉"或"单晶炉"区熔炉一种高纯单晶硅棒生长设备，用于悬浮区熔提纯与单晶生长，也称"硅单晶区熔炉"、"区熔硅单晶炉"单晶硅棒多晶硅原料熔化后，用直拉法或区熔法从熔体中生长出的棒状单晶硅半导体单晶硅滚圆机将半导体硅单晶棒进行外圆、槽口磨削，最终加工出满足一定尺寸精度和表面粗糙度要求的半导体硅圆棒的全自动一体加工设备半导体单晶硅截断机将半导体硅单晶棒进行头尾截断、体部截断、截取样片，最终截断出满足一定尺寸精度和表面粗糙度要求的半导体硅段料的全自动一体加工设备硅片抛光机使用抛光液通过化学反应和机械作用对硅片表面进行抛光的设备硅片研磨机使用磨料，对切割后的硅片表面进行机械式研磨的设备单晶硅棒切磨复合加工一体机将硅单晶棒切除四周边皮，再将弧面和平面进行磨削，最终加工出满足一定尺寸精度和表面粗糙度要求的方棒的全自动切磨一体复合加工设备。晶棒单线截断机采用金刚线切割的方式对硅单晶棒进行截断加工，可用于切头尾，切样片以及等长批量截断切割的加工设备多晶硅铸锭炉在真空状态和惰性气体保护下，通过石墨电阻加热器将多晶硅原料加热熔化，然后在受严格控制的温度场中用定向凝固法生长多晶硅锭的设备多晶硅锭多晶硅原料熔化后，用定向凝固法生长出的锭状多晶硅多晶硅块倒角磨面加工一体机将多晶硅块四面粗精磨削处理，最终加工出满足一定尺寸精度和表面粗糙度要求的方棒的全自动倒角磨面一体复合加工设备多晶硅块研磨一体机将多晶硅块的平面进行磨削，对硅块的4个棱角进行倒角的复合加工设备硅块单线截断机采用金刚线切割技术进行多晶硅块去头尾，同时实现40块多晶硅块的全自动加工设备。金刚线将金刚石颗粒嵌入到钢线表面的切割线金刚石线切割晶片技术将金刚石采用粘接和电镀的方式固定在直拉钢线上对硅棒进行高速往返切削得到硅片的一种切割技术硅片由单晶硅棒或多晶硅锭切割形成的方片或八角形片晶硅晶体硅材料，包括多晶硅、单晶硅等单晶硅整块硅晶体中的硅原子按周期性排列的单晶硅，是用高纯度多晶硅为原料，主要通过直拉法和区熔法取得P型单晶硅在单晶硅生产过程中掺入三价元素（如硼），使之取代硅原子，形成P型单晶硅N型单晶硅在单晶硅生产过程中掺入五价元素（如磷），使之取代硅原子，形成N型单晶硅抛光片对切割研磨后再经过抛光获得的硅片4、电池片环节电池、电池片、太阳能电池、太阳能电池片、光伏电池、光伏电池片利用"光生伏特效应"原理将太阳能转化为电能的半导体器件晶硅太阳能电池制作太阳能电池主要是以半导体材料为基础，其工作原理是利用光电材料吸收光能后发生光电转换反应，根据所用材料的不同，分为单晶太阳能电池和多晶太阳能电池。单晶太阳能电池建立在高质量单晶硅材料和加工处理工艺基础上，一般采用表面织构化、发射区钝化、分区掺杂等技术开发的一种太阳能电池多晶太阳能电池采用太阳能级多晶硅材料，制造工艺与单晶硅太阳电池类似，目前的光电转换效率和生产成本都略低于单晶太阳能电池电池转换效率太阳能电池的最佳输出功率与投射到其表面上的太阳辐射功率之比SE技术SelectiveEmitter技术，选择性发射极技术，一种提高电池效率的技术。通过在电极接触区域进行高浓度掺杂，光吸收区域进行低浓度掺杂，从而影响电池的导电特性。电池分重扩区和轻扩区，重扩区用于和金属电极接触，轻扩区通过提升方块电阻降低表面复合速率。钝化接触技术在电池背面制备一层超薄的可隧穿的氧化层和一层高掺杂的多晶硅薄层，二者共同形成了钝化接触结构，为硅片的背面提供了良好的表面钝化，从而实现背面整面钝化，且无需开孔接触，可大幅提升N型电池转换效率，是N型电池重要发展方向MWTMetalWrapThrough，金属绕通背接触电池。一种应用于晶体硅的髙效太阳能电池技术PVDPhysicalVaporDeposition物理气相沉积CVDChemicalVaporDeposition化学汽相沉积LPCVDLowPressureChemicalVaporDeposition低压化学汽相沉积光伏丝网印刷制作太阳能电池工艺段中的一种方法，例如使浆料（银浆、铝浆等）通过刮刀压力透过已制好栅线图形的网膜漏印在已扩散过的硅片上形成上、下电极，加热后使浆料中有机溶剂挥发，形成太阳能电池电极。EL测试用于检测太阳能电池组件的缺陷、隐裂、碎片、虚焊、断栅以及不同转换效率单片电池异常现象。PL测试电池片PL测试是通过光致发光无损检测方式，相对于EL的差别在于非接触检测避免对电池片造成损伤，可以更简单地自动化集成，无需对电池片进行复杂定位，占地面积更小PECVD等离子体增强化学气相沉积法(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition),该法是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，等离子体化学活性很强，在基片上沉积出所期望的薄膜，从而形成介质层、含P型或N型掺杂物的薄层，进而形成PN结或形成降低表面反射率和提髙硅片表面钝化效果的薄层，提升电池的光电转换率。PECVD按实现方式不同，分为管式PECVD、板式(线式流程)PECVD和集群式PECVD管式PECVD上下料机用于镀膜工艺段上下料环节的自动化设备，主要作用是将花篮中的硅片自动转载至石墨舟中，传送至管式PECVD生产工艺设备中，完成后将石墨舟中的硅片自动装卸至花篮并输出。板式PECVD上下料机用于镀膜工艺段上下料环节的自动化设备，主要作用是将花篮中的硅片自动转载至石墨框中，传送至板式PECVD生产工艺设备中，完成后将石墨框中的硅片自动装卸至花篮并输出。扩散自动化上下料机用于扩散工艺段上下料环节的自动化设备，主要作用是将花篮中的硅片自动转载至石英舟，校准定位后自动送至扩散炉内进行制结，制结完成后将石英舟中的硅片自动转载至花篮并输出。刻蚀上下料机用于刻蚀工艺段上下料环节的自动化设备，主要作用是将花篮中的硅片自动排放到上料端，在下料端再把制程后的硅片自动转载至花篮并输出。装盒机用于槽式制绒工艺装花篮，主要作用是将堆叠的硅片自动转载至花篮并输出。BSF一种太阳能电池技术，即铝背场电池(AluminiumBackSurfaceField)，为改善太阳能电池的效率，在p-n结制备完成后，在硅片的背光面沉积一层铝膜，制备P+层，称为铝背场电池。PERC电池PassivatedEmitterandRearContact,钝化发射极及背接触电池，一种高效晶硅太阳能电池结构，针对全铝背场太阳能电池在背表面的载流子复合较髙的缺点，使用AL203膜或SiNX在背表面构成钝化层,并激光开膜使得铝背场与硅衬底实现有效的接触。PERTPassivatedEmitterandRearTotally—DiffusedCell,钝化发射极背面全扩散电池，一种髙效晶硅太阳能电池结构。这种电池系在PERC太阳能电池基础上，为了能够进一步降低PERC电池背面金半接触电阻，对背面接触区域进行背面全扩散。TOPCONTunnelOxidePassivatedContact,遂穿氧化钝化电池技术，是在电池片的背面上覆盖一层厚度在2nm以下的超薄氧化硅层，再覆盖一层掺杂的多晶硅或非晶硅层，然后经过高温退火形成高掺杂多晶硅（n+）背接触的一项光伏电池技术。该技术可改善电池表面钝化又可促进多数载流子传输，进而提升电池的开路电压和填充因子，进一步提升光电转换效率。HJT电池技术Hetero-junctionwithintrinsicThinTayer，本征薄膜异质结电池，一种高效晶硅太阳能电池结构，利用晶体硅基板和非晶硅薄膜制成的混合型太阳能电池，即在P型氢化非晶硅和N型氢化非晶硅与N型硅衬底之间增加一层非掺杂（本征）氢化非晶硅薄膜oHJT电池具有工艺温度低、钝化效果好、开路电压高、双面发电等优点。iBCInterdigitatedBackContact,全背电极接触晶硅光伏电池，是将太阳能电池的正负两极金属接触均移到电池片背面的技术HBC交叉指式背接触异质结太阳电池，正面无电极遮挡，采用a-Si:H作为双面钝化层，同时具备IBC电池和SHJ（异质结）电池的优势，能够取得更高的开路电压和更高的短路电流，从而达到更高的光电转换效率。叠层电池不同类型叠加结构的太阳能电池。166mm电池采用硅片M6（硅片长度166mm，最大对角线长度223mm）生产的电池，比常规M2（硅片长度156.75mm，最大对角线长度211mm）的面积大12.21%，因此也称166大尺寸电池、166大面积电池。182mm电池采用硅片M10（硅片长度182mm）生产的电池210mm电池采用硅片M12（硅片长度210mm，最大对角线长度295mm）生产的电池，比常规M2（硅片长度156.75mm，最大对角线长度211mm）的面积大80.5%，因此也称210mm大尺寸电或210mm大面积电池。太阳能电池量产平均转换效率太阳能电池受到光照时的最大输出功率与照射到电池上的入射光功率的比值，是衡量电池质量和技术水平的重要参数，转换效率越高，电池片的单片输出功率越高，单片功率越高的电池可以封装形成功率越高的光伏组件。太阳能电池研发最高转换效率研发实验中所测试电池的最高平均转换效率。黑硅通过刻蚀技术，一方面在常规硅片表面制绒的基础上形成纳米级的小绒面，从而加大陷光的效果，降低反射率，增加对光的吸收；另一方面，通过二次刻蚀来降低表面复合，从而将常规电池的转换效率绝对值提高薄膜电池通过溅射法、PECVD法、LPCVD法等方法，在玻璃、金属或其他材料上制成特殊薄膜，经过不同的电池工艺过程制得单结和叠层太阳能电池的一种太阳能电池。5、组件环节组件太阳能组件，由若干个太阳能发电单元通过串并联的方式组成。其功能是将功率较小的太阳能发电单元放大成为可以单独使用的光电器件，通常功率较大，可以单独使用为各类蓄电池充电，也可以多片串联或并联使用，作为离网或并网太阳能供电系统的发电单元叠瓦组件将相邻太阳能电池部分区域重叠、互联以消除片间距的一种组件技术叠瓦叠瓦组件系电池片切分后相互之间通过导电胶粘接交叠密排设计的先进技术组件，其独特的电池片连接技术取代了传统技术中的焊带，从而增加电池片有效发电面积双面组件对入射到正面以及背面的光线都能加以利用，产生光能的组件称为双面组件，通常双面组件的背面功率是正面功率的60%以上双面双玻组件采用双面电池、双面玻璃制备的组件。超薄双玻组件由盖板为W2.0mm的光伏减反玻璃，背板为W2.0mm的超薄镀膜玻璃,中间复合太阳能电池片组成复合层，电池片之间由导线串、并联汇集引线端的整体构件，该组件不需要加装铝边框固定。多栅电池组件电池采用多主栅设计的组件，电池主栅数量多于5根，比如6主栅，9主栅，12主栅均可称为多主栅叠加半片技术在原有的技术基础上叠加了电池切半的半片技术半片叠焊将已经切半的相邻太阳能电池部分区域重叠、互联以消除片间距的一种组件技术多主栅电池主栅数量多于5根，比如6主栅，9主栅，12主栅均可称为多主栅拼片一种新的组件技术，采用柔性焊带减少电池的片间距长期光致衰减（LID）长时间光照导致的电池、组件输出功率的衰减叠片机将单晶硅、多晶硅太阳能电池片使用激光切割技术按照栅线设计要求进行划片，通过印刷方式进行导电胶涂覆，再经过裂片机构将电池片分裂，最后采用叠瓦方式将分裂的电池条串联焊接的全自动化设备叠瓦焊接机叠瓦焊接机将整片电池片切成合理小片后，每小片之间叠加排布，用柔性导电胶无焊带互连，大大减小组件线损，减小组件热斑影响，更充分利用组件面积，大幅提高组件输出功率6、其它逆变器太阳能光伏发电系统中的关键设备之一，其作用是将太阳能电池发出的直流电转化为符合电网电能质量要求的交流电组串式逆变器组串式逆变器是对几组（一般为1-4组）光伏组串进行单独的最大功率峰值跟踪，再经过逆变以后并入交流电网，一台组串式逆变器可以有多个最大功率峰值跟踪模块，功率相对较小，主要应用于分布式发电系统，在集中式光伏发电系统亦应用EVA胶膜由乙烯-醋酸乙烯酯共聚物通过挤出流涎、压延等熔融加工方法获得的胶膜白色EVA用于电池片背面封装的白色EVA胶膜，增加反射率POE、POE胶膜由聚烯烃弹性体通过挤出流涎、压延等熔融加工方法获得的胶膜，广泛用于光伏组件的封装KPF型背板采用氟皮膜技术生产的复合型光伏电池背板，中间为PET基膜，外侧通过胶粘剂与PVDF薄膜复合在一起，内侧直接与氟皮膜相粘背膜/背板一种位于太阳能电池组件背面的光伏封装材料，在户外环境下保护太阳能电池组件抵抗光湿热等环境影响因素对EVA胶膜、电池片等材料的侵蚀，起耐候绝缘保护作用。由于其位于光伏组件背面的最外层，直接与外部环境大面积接触，需具备优异的耐高低温、耐紫外辐照、耐环境老化和水汽阻隔、电气绝缘等性能，以满足太阳能电池组件25年的使用寿命光伏导电银浆、导电银浆晶体硅太阳能电池电极用银浆料，是制备太阳能电池金属电极的关键材料光伏支架光伏发电系统中用来安装、支撑、固定光伏组件的特殊功能支架，包括跟踪支架和固定支架跟踪支架、跟踪系统、跟踪器通过机械、电气、电子电路及程序的联合作用，实时调整太阳能组件平面相对入射太阳光的空间角度以增加太阳光投射到太阳能组件上的辐照量而提高发电量的设备BIPVBuildingIntegratedPhotostatic，即光伏建筑一体化，与建筑物同时设计、同时施工、同时安装并与建筑物形成完美结合的光伏发电系统，既发挥建筑材料的功能（如遮风、挡雨、隔热等），又发挥发电的功能，使建筑物成为绿色建筑逆跟踪支架运行方向与太阳运行方向逆向的一种跟踪算法。非跟踪太阳最佳辐射角，旨在当太阳高度角比较低时避免太阳能电池板的遮挡问题耐候性材料对如光照、冷热、风雨、细菌等造成的综合破坏的耐受能力渔光互补渔业养殖与光伏发电相结合，在鱼塘上方架设光伏板阵列，光伏板下方水域可