标准解读
《YS/T 1167-2016 硅单晶腐蚀片》是一项针对硅单晶腐蚀片的标准,主要应用于半导体材料领域。该标准规定了硅单晶腐蚀片的技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输和贮存等内容。
根据标准,硅单晶腐蚀片应满足特定的尺寸精度要求,包括直径偏差、厚度偏差等参数。此外,对于表面质量也有明确的规定,比如不允许存在影响使用的缺陷或损伤。在电阻率方面,根据不同用途的需求,设定了相应的范围值,并且对少数载流子寿命提出了具体要求。
试验方法部分详细描述了如何检测硅单晶腐蚀片的各项性能指标,包括但不限于外观检查、几何尺寸测量、电阻率测试及少子寿命测定等。通过这些测试可以确保产品符合既定的质量标准。
检验规则明确了抽样方案与判定原则,指导企业如何正确执行产品质量控制流程。同时,还提供了关于如何进行合格评定的信息。
最后,在标志、包装、运输和贮存章节中,给出了为保证产品从生产到最终用户手中的整个过程中不受损害而需要遵守的具体指南。这涵盖了标签内容、包装方式、适宜的运输条件以及推荐的存储环境等方面的要求。
如需获取更多详尽信息,请直接参考下方经官方授权发布的权威标准文档。
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- 现行
- 正在执行有效
- 2016-07-11 颁布
- 2017-01-01 实施
文档简介
ICS29045
H82.
中华人民共和国有色金属行业标准
YS/T1167—2016
硅单晶腐蚀片
Monocrystallinesiliconetchedwafers
2016-07-11发布2017-01-01实施
中华人民共和国工业和信息化部发布
中华人民共和国有色金属
行业标准
硅单晶腐蚀片
YS/T1167—2016
*
中国标准出版社出版发行
北京市朝阳区和平里西街甲号
2(100029)
北京市西城区三里河北街号
16(100045)
网址
:
服务热线
:400-168-0010
年月第一版
20189
*
书号
:155066·2-44939
版权专有侵权必究
YS/T1167—2016
前言
本标准按照给出的规则起草
GB/T1.1—2009。
本标准由全国有色金属标准化技术委员会提出并归口
(SAC/TC243)。
本标准起草单位天津市环欧半导体材料技术有限公司天津中环领先材料技术有限公司洛阳鸿
:、、
泰半导体有限公司有研半导体材料有限公司杭州海纳半导体有限公司
、、。
本标准主要起草人由佰玲张雪囡蒋建国孙燕王飞尧沈浩平
:、、、、、。
Ⅰ
YS/T1167—2016
硅单晶腐蚀片
1范围
本标准规定了硅单晶腐蚀片的牌号及分类要求试验方法检验规则以及标志包装运输贮存
、、、、、、、
质量证明书和订货单或合同内容
()。
本标准适用于直拉法悬浮区熔法包括区熔中子嬗变和气相掺杂制备的硅单晶研磨片经化学腐
、()
蚀液去除表面损伤层后制备的酸腐蚀片和碱腐蚀片以下简称腐蚀片产品主要用于制作晶体管整
()。、
流管特大功率晶闸管光电器件等半导体元器件或进一步加工成硅抛光片
、、。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件
。,()。
非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T1550
半导体单晶晶向测定方法
GB/T1555
计数抽样检验程序第部分按接收质量限检索的逐批检验抽样计划
GB/T2828.11(AQL)
半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻率测试方法非接触涡流法
GB/T6616
硅片厚度和总厚度变化测试方法
GB/T6618
硅片翘曲度非接触式测试方法
GB/T6620
硅片径向电阻率变化的测量方法
GB/T11073
硅单晶
GB/T12962
硅单晶切割片和研磨片
GB/T12965
硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法
GB/T13387
硅片参考面结晶学取向射线测试方法
GB/T13388X
硅片直径测量方法
GB/T14140
半导体材料术语
GB/T14264
半导体材料牌号表示方法
GB/T14844
铝及铝合金阳极氧化阳极氧化膜镜面反射率和镜面光泽度的测定
GB/T2050320°、45°、60°、
角度方向
85°
硅片切口尺寸测试方法
GB/T26067
硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法
GB/T29505
硅材料原生缺陷图谱
GB/T30453
硅片边缘轮廓检验方法
YS/T26
硅片包装
YS/T28
3术语和定
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