GB/T 14139-2019硅外延片

ICS29045

H82.

中华人民共和国国家标准

GB/T14139—2019

代替

GB/T14139—2009

硅外延片

Siliconepitaxialwafers

2019-06-04发布2020-05-01实施

国家市场监督管理总局发布

中国国家标准化管理委员会

GB/T14139—2019

前言

本标准按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

本标准代替硅外延片本标准与相比除编辑性修改外

GB/T14139—2009《》。GB/T14139—2009,

主要技术变化如下

:

修改了适用范围将本标准适用于在型硅抛光片衬底上生长的型外延层+和在

———,“Nn(N/N)p

型硅抛光片衬底上生长的型外延层+的同质硅外延片产品主要用于制作硅半导体

P(P/P)。

器件其他类型的硅外延片可参照适用改为本标准适用于在直径不大于的型

。。”“150mmN

和型硅抛光片衬底上生长的硅外延片见第章年版的第章

P”(1,20091)。

规范性引用文件中删除了增加了

———GB/T12962、GB/T14145、YS/T24,GB/T1550、

见第章

GB/T1555、GB/T14844、GB/T19921、GB/T24578、YS/T28、SEMIM85(2,2009

年版的第章

2)。

增加了术语和定义见第章

———“”(3)。

将产品的牌号和分类单列一章并修订了牌号表示方法和外延层的晶向见第章年版

———,(4,2009

的

3.1)。

修订了外延片用衬底材料的要求见年版的

———(5.1,20093.2)。

增加了外延层的导电类型晶向的要求试验方法检验规则等见第

———、、、(5.2.1、5.2.2、6.1、6.2、7

章

)。

外延层电阻率由中心电阻率修订为平均电阻率并修订了电阻率电阻率允许偏差及径向电阻

———,、

率变化的要求见年版的

(5.2.3,20093.3)。

外延层厚度由中心厚度修订为平均厚度并修订了厚度厚度允许偏差及径向厚度变化的要求

———,、

见年版的

(5.2.4,20093.4)。

增加了外延层纵向电阻率分布及过渡区宽度的要求试验方法检验规则等见第

———、、(5.2.5、6.5、7

章

)。

修改了外延层位错密度的要求由不大于个2修订为应不大于-2见

———,“500/cm”“50cm”(5.2.6,

年版的

20093.5.1)。

增加了表面金属的要求试验方法及检验规则见第章

———、(5.2.7、6.7、7)。

删除了大点缺陷的要求见年版的

———(20093.6.1)。

删除了表面缺陷区域系指直径不大于的硅外延片去除边缘环形区域直径

———“76.2mm2mm,

和硅外延片去除边缘环形区域的整个表面见年版的

100mm、125mm150mm3mm”(2009

3.6.2)。

删除了表面点状缺陷包括符合的钉粘附的颗粒突起物夹杂小丘和棱锥

———“GB/T14264、、、、。

使用清洗技术能除去的颗粒不属于点状缺陷见年版的

”(20093.6.3)。

删除了崩边是指外延片边缘在径向的缺损深度大于的损伤最大崩边径向深度不

———“0.3mm。

大于累计崩边最大周边长不大于见年版的

0.5mm,2.5mm”(20093.6.4)。

删除了雾的定义见见年版的

———“GB/T14264”(20093.6.5)。

删除了沾污包括色斑手套印尘埃污迹和溶剂残留物见年版的

———“、、、”(20093.6.6)。

增加了组批检验项目的要求见

———、(7.2、7.3)。

修改了包装要求见年版的

———(8.1.1,20096.1.1)。

Ⅰ

GB/T14139—2019

增加了订货单或合同内容见第章

———()(9)。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备和材料标准

(SAC/TC203)

化技术委员会材料分技术委员会共同提出并归口

(SAC/TC203/SC2)。

本标准起草单位浙江金瑞泓科技股份有限公司南京国盛电子有限公司上海合晶硅材料有限公

:、、

司有色金属技术经济研究院有研半导体材料有限公司

、、。

本标准主要起草人张海英李慎重蒋玉龙骆红胡金枝卢立延李素青

:、、、、、、。

本标准所代替标准的历次版本发布情况为

:

———GB/T14139—1993、GB/T14139—2009。

Ⅱ

GB/T14139—2019

硅外延片

1范围

本标准规定了硅外延片的牌号和分类要求试验方法检验规则标志包装运输贮存质量证明

、、、、、、、、

书和订货单或合同内容

()。

本标准适用于在直径不大于的型和型硅抛光片衬底上生长的硅外延片

150mmNP。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

。,()。

非本征半导体材料导电类型测试方法

GB/T1550

半导体单晶晶向测定方法

GB/T1555

计数抽样检验程序第部分按接收质量限检索的逐批检验抽样

GB/T2828.1—20121:(AQL)

计划

硅片电阻率测定扩展电阻探针法

GB/T6617

硅抛光片表面质量目测检验方法

GB/T6624

硅单晶抛光片

GB/T12964

掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程

GB/T13389

硅外延层扩展层和离子注入层薄层电阻的测定直排四探针法

GB/T14141、

硅外延层晶体完整性检验方法腐蚀法

GB/T14142

硅外延层载流子浓度测定汞探针电容电压法

GB/T14146-

半导体材料术语

GB/T14264

半导体材料牌号表示方法

GB/T14844

重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法