标准解读
《GB/T 14139-2009 硅外延片》相比于《GB/T 14139-1993 硅外延片》,主要在以下几个方面进行了更新与调整:
-
技术指标的提升:2009版标准对硅外延片的电学性能、表面质量、厚度均匀性以及微缺陷控制等方面提出了更严格的要求,反映了随着半导体技术的发展,对外延片性能要求的提高。
-
检测方法的改进:新标准引入了更先进的检测技术和方法,如使用高精度仪器进行厚度测量、光散射技术评估表面质量和晶体缺陷等,以确保测试结果的准确性和可靠性。
-
分类和命名规则的优化:2009版标准对硅外延片的分类体系进行了细化,根据不同的应用需求,对外延片进行了更明确的分类,并规范了命名规则,便于生产和使用中的识别与交流。
-
增加了环保和安全要求:考虑到环境保护和生产安全的重要性,新标准加入了对外延片生产过程中材料选择、废弃物处理及操作安全的相关规定,体现了标准制定中对可持续发展的关注。
-
标准适用范围的扩展:相较于1993版,2009版标准扩大了适用的硅外延片类型和尺寸范围,以适应半导体器件多样化和集成度不断提高的需求。
-
术语和定义的更新:为了与国际标准接轨并反映技术进步,新标准对一些专业术语进行了修订或新增,提高了标准的国际化水平和可操作性。
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文档简介
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犎80
中华人民共和国国家标准
犌犅/犜14139—2009
代替GB/T14139—1993
硅外延片
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20091030发布20100601实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
发布
中国国家标准化管理委员会
书
犌犅/犜14139—2009
前言
本标准代替GB/T14139—1993《硅外延片》。
本标准与原标准相比,主要有如下变动:
———删除了引用标准YS/T23《硅外延层厚度测定堆垛层错尺寸法》和YS/T28《硅片包装》;
———增加了引用标准GB/T14141《硅外延层、扩展层和离子注入层薄层电阻的测定直排四探针
法》和GB/T14847《重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法》;
———修改了产品规格规范,去除原标准中50.8mm、80mm、90mm三个规格,增加了直径尺寸
125mm和150mm;
———在产品牌号中增加衬底掺杂内容;
———衬底掺杂元素中增加衬底掺杂元素磷(P);
———对外延层中心电阻率、径向电阻率和外延层厚度进行了修订,对其允许偏差进行加严;
———修改了外延层厚度测量方法,对外延片表面缺陷检测方法进行加严;
———修改了合格质量水平(AQL)规定,增加了表面质量、位错等检验项目合格质量水平规定。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位:宁波立立电子股份有限公司。
本标准主要起草人:许峰、刘培东、李慎重、谌攀。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
———GB/T14139—1993。
Ⅰ
书
犌犅/犜14139—2009
硅外延片
1范围
本标准规定了硅外延片的产品分类、技术要求、试验方法和检验规则及标志、包装运输、贮存等。
本标准适用于在N型硅抛光片衬底上生长的n型外延层(N/N+)和在p型硅抛光片衬底上生长的
P型外延层(P/P+)的同质硅外延片。产品主要用于制作硅半导体器件。其他类型的硅外延片可参照
使用。
2规范性引用文件
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有
的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究
是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。
GB/T2828.1计数抽样检验程序第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划
(GB/T2828.1—2003,ISO28591:1999,IDT)
GB/T6617硅片电阻率测定扩展电阻探针法
GB/T6624硅抛光片表面质量目测检验方法
GB/T12962硅单晶
GB/T12964硅单晶抛光片
GB/T13389掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂浓度换算规程
GB/T14141硅外延层、扩展层和离子注入层薄层电阻的测定直排四探针法
GB/T14142硅外延层晶体完整性检验方法腐蚀法
GB/T14145硅外延层堆垛层错密度测定干涉相衬显微镜法
GB/T14146硅外延层载流子浓度测定汞探针电容电压法
GB/T14246半导体材料术语
GB/T14847重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
YS/T24外延钉缺陷的检验方法
3技术要求
3.1产品分类
3.1.1导电类型
产品按导电类型分为
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