
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文档简介
PAGEPAGE3线性电子线路试题一、是非题(一、是非题(20分)1.N型半导体的空穴浓度比本征半导体的空穴浓度大。()2.空穴运动实质上是自由电子的反向运动。()3.固定偏置电路RV 不变时,为使Q点脱离饱和区,可减小R。B CC C()4.场效应管温度特性比三极管差,但集成度较高。()5.增强型MOS管同结型场效应管一样,可采用自偏置方式。()6.温度升高时三极管参数、I 、V ,其结果均使I 。CBO BE(on) CQ()7.一信号源内阻较小,若要求负载变化时输出电流基本不变,应采用电流串联负反馈。)8.放大电路输出电阻随负载电阻的变化而变化。()9.三种组态电路中,共集电路特点:R大、R小、A1。i o i()10.简单电容补偿技术是通过降低 增加系统稳定性的。()P1(5分)设二极管为理想器件,V6V,V9V,R3k,试判断图示电路中1 2二极管是导通还是截止,并求V 值。AOD1D1D2-V1+R+V2-+V-(15分)图示电路,已知场效应管的
AOO、三极管的、rm
be
及各电阻值,r 与rds ce忽略不计。(1)试指出放大电路由哪两种组态组合而成。(2)写出Ri、Ro、Av的表达式。四(20分)差分放大电路如图所示,已知60,V 0.7V(1)求I 。BE(on) CQ1 CQ2(2)当v100mV,v50mV时,求输出电压v。i1 i2 o五(10分图示电路已知R 750R 1.2kR1kR 4kR1k,E1 E2 S C2 LR10k,设各电容对交流呈短路,R 、R 忽略不计,试在深度负反馈条件下估算A 。f B1 B2 vfs六(10分)已知基本放大器中频增益A103,极点频率f 1MHz10MHz,I P1 P2f 100MHz,若要求闭环中频增益AP3
20dB,试用渐近波特图判断电路是否自激。七(10分)图示电路,集成运放是理想的。已知 vs1
2mV,vs2
4mV,试求输出电压v。R2R250kR1100k-+R3100kR450kvs1vv os2八、(10分)由理想运放构成的电路如图所示,写出v的表达式,并在RR1k,o 1 3RR10k时,计算A值。2 4 vvo1A1Rvo1A1R-+2R1-A2+R3 R4vi2参考答案一、错、错、对、错、错、对、对、错、错、二(1)D管截止,D管导通,V 6V1 2 AO(1)T、T1 2
组成共漏—共发组合放大器。g R g (2)RR
,RR,AAA
m i2 ( C) m Ci G o C 0V V
v2
1g Rm
rbe2
1gmI
rbe2四、IEE
BE(on) EE0.48REE
CQ1
ICQ2
EE0.242r
rbe2
)26 6.61kI1 (R //
CQ1)
R //RA C vd2 2 R r
34.8, Avc2
C2R
L0.167Bv v
be EEv ic 2
i2 75mV, vid
v vi1
50mV, vo
A vvc2ic
A vvd2id
1.73Vi R 1 R //R
f E2 0.107, A 9.3, A A
L7.47fi io
RRf E2
iifs kfi
vifs
ifs RS六、因相位裕量0,因此电路自激七、vv v 0.5(v -v )1mVo o1 o2 s2 s1R R R R v
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