pspice参数扫描分析与统计分析

实验四参数扫描分析和统计分析实验目的：1、 学习一些特定参数分析的方法，使之能够在今后的场合适用;2、 学会做蒙托卡诺这种随机抽样、统计分析的分析方法；3、 学会观测输出文件中的数据以及如何用图形表示出相应数据。实验步骤：1、首先确定好研究对象，即下面的差分电路：2、进行参数扫描分析：1）首先在原图的基础上选定一个参数扫描分析的对象，如选定R1。要先加入参数符号可从元器件图开符号库中调出名称为PAPAM的符号，如下图:

2）加入元件一一 三辽后，双击它则需要给它加入一个属性，点击new:3）在上面Property中填入R1,然后，在R1中输入1K的阻值，然后，右击该值，选择Display，在出现的DisplayProperties中选择“NameAndValue”4）设定好之后，把图中R1的值改为｛R1｝，则完成的图形如下:

现在设置仿真参数，在时域分析的同时做参数分析，参数设置如下:一般设置：SuulationSettings一TRAHOptionsGeneral AxL：OptionsGeneral AxL：ilysisDataCollectionIiLcludt!FilesProbeWindowLibraries EtimulusAnidlysistype:|TimeDomain(.Tr：Anidlysistype:|TimeDomain(.Tr：anEi>QptionsQGener：alSettingE□Mont已匚;irltj/ViSrztCa:0P::hjtietricSweepI|Temper日taret.Sweep.〕OSaveBiasFointIILoadBiasPointRijtlto |1ue secondsSt&i-1saving已牡tw.|0 seconds-TraiLsientoptitrnz—MaximuiTistep| secondsSkiptheinitialtraiLzientbiaspointcalciiL：.tputFileOptions.1确定1取消应用1确定1取消应用(A)帮助参数设置：“Sweepvariable”中选择“Globalparameter”.注意parameter中的R1不用加{}SimulationSettings一TRAHI确定I确定I 取■消 I应用®I帮助I点击运行之后在probe中出现:口回冈xaMple-TRAN—口回冈xaMple-TRAN—OrCADPSpiceA/D4a“％%现|Example-TRANFileViewSimulaticmTool4a“％%现|Example-TRANFileViewSimulaticmTooleWindowKelpAvailableSectionsad1circuitfileforprofile:TRANcircuitfileforprofile:TRANcircuitfileforprofile:TRANcircuitfileforprofile:TRANcircuitfileforprofile:TRANcircuitfileforprofile:TRANcircuitfileforprofile:TRANcircuitfileforprofile:TRANcircuitfileforprofile:TRANcircuitfilefororofile:TRANTr：aiL5ientAiTr：ansientAiC：alciilatirLgad1circuitfileforprofile:TRANcircuitfileforprofile:TRANcircuitfileforprofile:TRANcircuitfileforprofile:TRANcircuitfileforprofile:TRANcircuitfileforprofile:TRANcircuitfileforprofile:TRANcircuitfileforprofile:TRANcircuitfileforprofile:TRANcircuitfilefororofile:TRANTr：aiL5ientAiTr：ansientAiC：alciilatirLgEiaspoi111c:alculatedTr：ansientArL：alysisTr：aiLEientArL：alysiefinishedS1mill日tioncompl已t已.FI1.FI1.FI1.FI1.FI1.FI1.FI1.FI1.FI1F；11.0000E+032.0000E+033.0000E+034.0000E+035.0000E+036.0000E+037.0000E+03EIJ：II：IOOE+I：I39.0000E+0310.0000E+03O--Q-O--O--O--O--O--O--O--=!r-e-u已eR-已eR-已11=-DDDDDDDDD_^_ooooooooo.IJ!■.■■.rf'.71.!■.■■.71.!■.■■.!■.■■.71.!■.■■.a7222222222.CancelTimestep= 14.3...Time= 1.000E_06EndnwiDwlForHelp^pressFlTime^1.000E-06ForHelp^pressFl点击OK以后出现的图形如下：(图中outl、out2都加了电压针)儿 V(0UT2) *V(OUT1)Time该波形是呈对称的波形，随着电阻从1K至10K的变化，电压变化的越来越平缓且电压平均在逐渐减小。3、蒙托卡诺分析PARAMETERS:1)在上图的基础上，首先把全局参数设置的==■- 删除，把R1改成Rbreak中电阻元件:对刚替换的R1符号后要设置电阻的模型参数变化，贝V，首先选中该元件，再执行Capture中的Edit/PSpiceModel子命令，则出现下图，并设置相应的DEV、LOT参数变化模式：

3）设置相应的仿真参数如下图所示：（选择蒙态卡诺分析）0・8us1・0usOs 0.2us 0・3）设置相应的仿真参数如下图所示：（选择蒙态卡诺分析）0・8us1・0us人 *V(OUT2)Time4、最坏情况分析:

保持MC分析中的设置等，只是在做MC分析时，选择最坏情况分析设置参数如下:最坏情况分析的结果如下:Time它是截取了最咼点与最低点的波形。5、标志符的设置与分析：在out2端口上放置VPLOT1,表示将该符号引出端与电路图中某一节点相连，使该节点与地之间的电压分析结果以字符图形的形式存入out文件。添加元器件如下：

进行此种分析时可不用进行其它附加分析，只要在一般瞬态分析下执行就可以：设置参数如下：厂I12.DDV|-637.4{nVRC110kQ2N222202O2N2222Q2N2222I12.DDV|-637.4{nVRC110kQ2N222202O2N2222Q2N22226.4V6.0V5.6V0.2us0.4us0.6us0.8us1・6.4V6.0V5.6V0.2us0.4us0.6us0.8us1・0us运行之后，probe出现如下图形：（它只是out2点的电压瞬态分析）5.2V0s口V(0UT2)Time

调出其OUT文件，则可找到如下的图形曲线如下:****TRANSIENTANALYSIS TEMPERATURE= 27.000DEGCTIME V(OUT2)(*) 5.0000E+00 5.5000E+00 6.0000E+00 6.5000E+00 7.0000E+000.000E+005.449E+00.*..2.000E-085.494E+00.*.4.000E-085.633E+00..*.6.000E-085.821E+00.*.8.000E-085.999E+00.*1.000E-076.092E+00..*1.200E-076.056E+00..*1.400E-075.905E+00.*.1.600E-075.697E+00.*.1.800E-075.511E+00.*.2.000E-075.405E+00.*..2.200E-075.424E+00.*..2.400E-075.558E+00..*.2.600E-075.754E+00.*.2.800E-075.939E+00.*.3.000E-076.037E+00..*3.200E-076.002E+00.*3.400E-075.847E+00.*.3.600E-075.634E+00..*3.800E-075.457E+00.*.4.000E-075.370E+00.*.4.200E-075.393E+00.*.4.400E-075.526E+00..*4.600E-075.711E+00.*4.800E-075.894E+00.*.5.000E-075.993E+00.*5.200E-075.960E+00.*.5.400E-075.806E+00.*.5.600E-075.594E+00..*.5.800E-075.418E+00.*..6.000E-075.329E+00.*.6.200E-075.352E+00.*.6.400E-075.479E+00.*.6.600E-075.677E+00.*6.800E-075.865E+00.*.7.00