晶圆级芯片封装测试及倒贴片项目一期前道设备采购

1、 晶圆级芯片封装测试及倒贴片项目一期前道设备采购采购需求方案采购人：淄博高新产业投资有限公司采购代理机构：山东中慧咨询管理有限公司项目名称：晶圆级芯片封装测试及倒贴片项目一期前道设备采购编制时间：2021年7月13日 一、采购项目需实现的功能：晶圆级芯片封装测试及倒贴片项目一期前道设备采购 落实政府采购政策需满足的要求：（1）节能、环保产品（2）小型和微型企业（3）监狱企业（4）残疾人福利性单位 二、采购项目需执行的标准： 与本项目有关法律法规标准规范和满足国家、省市相关规范及其他相关专业现行规范及标准。 三、采购要求：本次招标共 3 个包，供应商必须按招标文件要求对采购的全部内容及要求做出报

2、价响应，否则作废标处理。（一）采购项目名称及预算：项目名称：晶圆级芯片封装测试及倒贴片项目一期前道设备采购；预算金额：（大写）贰亿叁仟零捌拾柒万元整（230870000元）。（二）采购项目通用要求项目要求常规标准1、设备用途：用于生产及检测12/8吋晶圆凸块产品。2、典型产品构造：direct bump, 1P1M, 2P2M。3、典型电镀凸块：Cu/SnAg 40-60um/20-30um。4、典型植球凸块：150um-300um。常规配置要求1、设备内部密封：确保设备内部处于独立于生产车间的孤立状态；2、主控计算机：包含实现设备完整功能的软件且能够自我备份和记录日志；3、Barcode/R

3、fid Reader：具备，并注明具备具体哪种reader；4、UPS：确保保护产品不受损坏、支持到完成log写入的UPS。通讯要求支持SECS-GEM通讯协议，非自动化设备除外安全标准设备应符合SEMI S2 93A、SEMI S2-0200或SEMI S2 0302安全标准，如有日本设备应符合JIS安全标准（三）采购项目清单及技术要求包A：前道工艺设备序号设备名称技术参数单位数量1溅镀机1、自动上下料机构（EFEM）要求：具备，并支持使用方与第三方建立的CIM系统；2、LoadPort要求：至少两个LoadPort，支持Foup、Cassette；3、硅片翘曲度支持3mm；4、支持硅片尺寸

4、要求：12吋或8吋兼容（支持Notch或支持Flat）；5、破片率10ppm；6、设备ESD 保护搭建：静电电压小于35V；设备接地电阻小于1；距离小于30cm时，消散时间小于15秒；距离大于30cm时，消散时间小于30秒；7、真空腔室漏气率要求：10000nTorr/Min；8、多片Degas加热均匀性（+/-, ）要求：200；12、沉积速率（A/Min）要求：700（STD Ti）/2300（STD Cu）；13、片间电阻均匀性（%, 1）：5；14、片内电阻均匀性（%, 1）：5；15、Proclean片间均匀性（%, 1）：5；16、Proclean片内均匀性（%, 1）：5。台12

5、光刻胶涂布机1、自动上下料机构（EFEM）要求：具备，并支持使用方与第三方建立的CIM系统；2、LoadPort要求：至少两个LoadPort，支持Foup、Cassette；3、硅片翘曲度支持3mm；4、支持硅片尺寸要求：12吋或8吋兼容（支持Notch或支持Flat）；5、破片率10ppm；6、设备ESD 保护搭建：静电电压小于35V；设备接地电阻小于1；距离小于30cm时，消散时间小于15秒；距离大于30cm时，消散时间小于30秒；7、涂布均匀性要求：5% (片内，从wafer 3mm以内)，for 20um胶厚以下；10% (片内，从wafer 3mm以内)，for 超过20um胶厚；

6、4% (片间)；8、打胶量控制精度：1-16ml+/-0.1ml；9、热盘温度范围：R.T180；10、冷盘温度范围：2025；11、热盘温度误差：2；12、冷盘温度误差：0.5；13、匀胶枪体温度精度；230.5；14、匀胶枪体温度精度：455%；15、工艺要求：涂布时保证无气泡、洗边流量位置控制精确；16、工艺控制：实时监控工艺参数和关键机台参数，超范围报警，并可随时追溯历史参数；17、EBR精度范围：1.4 0.2mm。台13光刻机1、自动上下料机构（EFEM）要求：具备，并支持使用方与第三方建立的CIM系统；2、LoadPort要求：至少两个LoadPort，支持Foup、Casset

7、te；3、硅片翘曲度支持3mm；4、支持硅片尺寸要求：12吋或8吋兼容（支持Notch或支持Flat）；5、破片率10ppm；6、设备ESD 保护搭建：静电电压小于35V；设备接地电阻小于1；距离小于30cm时，消散时间小于15秒；距离大于30cm时，消散时间小于30秒；7、曝光波长：i-line, ghi-line；8、照明均匀性：误差小于3%；9、剂量精度：误差小于2%；10、关键尺寸 L/S：2um；11、CD均匀性：10%BF&BE；12、DOF：10um2um L/S；13、硅片曝光强度：2000mW/c（ghi-line）；14、产率：以1000mj计算。台14显影机1、自动上下料

8、机构（EFEM）要求：具备，并支持使用方与第三方建立的CIM系统；2、LoadPort要求：至少两个LoadPort，支持Foup、Cassette；3、硅片翘曲度支持3mm；4、支持硅片尺寸要求：12吋或8吋兼容（支持Notch或支持Flat）；5、破片率10ppm；6、设备ESD 保护搭建：静电电压小于35V；设备接地电阻小于1；距离小于30cm时，消散时间小于15秒；距离大于30cm时，消散时间小于30秒；7、转速精度：1rpm（503000rpm） ；8、热盘温度范围：R.T180；9、冷盘温度范围：2025；10、热盘温度误差：2；11、冷盘温度误差：0.5；12、显影液、定影液流量

9、精度：2%；13、工艺控制：实时监控工艺参数和关键机台参数，超范围报警，并可随时追溯历史参数；14、Chiller温度误差：231。台15介电层固化炉1、自动上下料机构（EFEM）要求：具备，并支持使用方与第三方建立的CIM系统；2、支持硅片尺寸：12吋&8吋兼容；Notch、Flat兼容；3、硅片翘曲度支持3mm；4、LoadPort要求：2进2出，支持Foup、Casset等；5、破片率10ppm；6、设备ESD 保护搭建：静电电压小于35V；设备接地电阻小于1；距离小于30cm时，消散时间小于15秒；距离大于30cm时，消散时间小于30秒；7、自动化（CIM）接口：具备兼容性接口；8、最

10、大操作温度：750；9、控温精度：5；10、工艺控制：实时监控工艺参数和关键机台参数，超范围报警，并可随时追溯历史参数。台16干刻蚀设备1、自动上下料机构（EFEM）要求：具备，并支持使用方与第三方建立的CIM系统；2、支持硅片尺寸：12吋&8吋兼容；Notch、Flat兼容；3、硅片翘曲度支持3mm；4、LoadPort要求：2进2出，支持Foup、Casset等；5、破片率10ppm；6、设备ESD 保护搭建：设备接地电阻Rg：1，报警器通过ESD校准；7、自动化（CIM）接口：具备兼容性接口；8、片内刻蚀速率均一性（49pt, EE5mm)： 10%；9、片间刻蚀速率均一性（49pt,

11、EE5mm)：5%；10、工艺控制：实时监控工艺参数和关键机台参数，超范围报警，并可随时追溯历史参数；11、水滴角：40；12、工艺控压精度：0.05Torr ；13、下电极温度范围：540；14、下电极温度精度：0.5。台17晶圆电镀机1、自动上下料机构（EFEM）要求：具备，并支持使用方与第三方建立的CIM系统；2、LoadPort要求：至少两个LoadPort，支持Foup、Cassette；3、硅片翘曲度支持3mm；4、支持硅片尺寸要求：12吋或8吋兼容（支持Notch或支持Flat）；5、破片率10ppm；6、设备ESD 保护搭建：静电电压小于35V；设备接地电阻小于1；距离小于30

12、cm时，消散时间小于15秒；距离大于30cm时，消散时间小于30秒；7、工艺控制：实时监控工艺参数和关键机台参数，超范围报警，并可随时追溯历史参数；8、片间均匀性（%, 1）：8；9、片内均匀性（%, 1）：8；10、重布线片内均匀性（%, 1）：150A/s；8、Ti腐蚀速率：15A/s；9、Cu腐蚀片内/片间均匀性分别是10%和10%；10、Ti腐蚀片内/片间均匀性分别是10%和10%；11、Cu、Ti单边undercut：1.5um。台110植球机1、自动上下料机构（EFEM）要求：具备，并支持使用方与第三方建立的CIM系统；2、LoadPort要求：至少两个LoadPort，支持Fou

13、p、Cassette；3、硅片翘曲度支持3mm；4、支持硅片尺寸要求：12吋或8吋兼容（至少支持Notch）；5、破片率10ppm；6、设备ESD 保护搭建：静电电压小于35V；设备接地电阻小于1；距离小于30cm时，消散时间小于15秒；距离大于30cm时，消散时间小于30秒；7、图像识别功能：可自动定位晶圆；8、对准精度：25m或1/3球直径；9、最小晶圆厚度：200m；10、最小植球直径：60um；11、最大植球直径：300m；12、植球成功率：94%。台111回流炉1、自动上下料机构（EFEM）要求：具备，并支持使用方与第三方建立的CIM系统；2、LoadPort要求：至少两个LoadP

14、ort，支持Foup、Cassette；3、硅片翘曲度支持3mm；4、支持硅片尺寸要求：12吋或8吋兼容（至少支持Notch）；5、破片率10ppm；6、设备ESD 保护搭建：静电电压小于35V；设备接地电阻小于1；距离小于30cm时，消散时间小于15秒；距离大于30cm时，消散时间小于30秒；7、温控要求：最高温度：400；误差2（200条件下）；8、含氧量：50PPM；9、涂布机转速偏差3%；10、喷涂品质需求：均匀涂布，无中断、气泡、,拉扯、漏滴、晶背无残留。台1包B：前道辅助工艺设备序号设备名称技术参数单位数量1FOUP清洗机1、自动上下料机构（EFEM）要求：具备，并支持使用方与第三

15、方建立的CIM系统；2、LoadPort要求：至少两个LoadPort，支持Foup、Cassette；3、硅片翘曲度支持3mm；4、支持硅片尺寸要求：12吋&8吋兼容（支持Notch或支持Flat）；5、破片率10ppm；6、设备ESD 保护搭建：静电电压小于35V；设备接地电阻小于1；距离小于30cm时，消散时间小于15秒；距离大于30cm时，消散时间小于30秒；7、最大压强10Mpa；8、清洗要求：干进干出，不伤害部件本体；9、颗粒去除率99。台12Wafer分片机1、自动上下料机构（EFEM）要求：具备，并支持使用方与第三方建立的CIM系统；2、硅片翘曲度支持3mm；3、支持硅片尺寸要

16、求：12吋&8吋兼容（支持Notch或支持Flat）；4、破片率10ppm；5、设备ESD保护搭建：静电电压小于35V；设备接地电阻小于1；距离小于30cm时，消散时间小于15秒；距离大于30cm时，消散时间小于30秒；6、Load Port：4；7、产率：180WPH（OCRPre Aligner ）台13Wafer清洗机1、自动上下料机构（EFEM）要求：具备，并支持使用方与第三方建立的CIM系统；2、LoadPort要求：至少两个LoadPort，支持Foup、Cassette。3、硅片翘曲度支持3mm；4、支持硅片尺寸要求：12吋或8吋兼容（支持Notch或支持Flat）；5、破片率1

17、0ppm；6、设备ESD 保护搭建：静电电压小于35V；设备接地电阻小于1；距离小于30cm时，消散时间小于15秒；距离大于30cm时，消散时间小于30秒；7、颗粒去除能力要求：作业完圆片表面尺寸2um，颗粒少于40个；8、圆片清洗质量：圆片正反面均无水印，无圆片缺陷；9、腔体数量及要求：单片式清洗，至少清洗四个腔体，四个均具备充CO2功能，且其中至少两个腔体具备水加热功能；10、清洗要求：同时拥有二流体和高压（Max10MPa）清洗功能，干进干出。台14光刻板清洗机1、清洁光刻版尺寸：6寸、9寸和14寸；2、光刻版位置检测功能、热水及水枪、设备run货记录：必备；3、清洗能力：除污率 99.

18、99；4、UPH：2 pcs/hr。台15补球机1、自动上下料机构（EFEM）要求：具备，并支持使用方与第三方建立的CIM系统；2、LoadPort要求：至少两个LoadPort，支持Foup、Cassette；3、硅片翘曲度支持3mm；4、支持硅片尺寸要求：12吋或8吋兼容（至少支持Notch）；5、破片率10ppm；6、设备ESD 保护搭建：静电电压小于35V；设备接地电阻小于1；距离小于30cm时，消散时间小于15秒；距离大于30cm时，消散时间小于30秒；7、图像识别功能：可自动定位晶圆；8、对准精度：25m或1/3球直径；9、晶圆厚度：200m；10、最小植球直径：60um；11、最

19、大植球直径：300m；12、补球后良率：99.5%。台1包C：前道检测设备序号设备名称技术参数单位数量1半自动显微镜1、硅片翘曲度支持3mm；2、支持硅片尺寸要求：12吋或8吋（支持Notch或支持Flat）；3、破片率10ppm；4、设备ESD 保护搭建：静电电压小于35V；设备接地电阻小于1；距离小于30cm时，消散时间小于15秒；距离大于30cm时，消散时间小于30秒；5、支持明暗场功能；6、拍照和存档要求：可实时进行图像的预览和拍照保存，支持数据导出；7、放大倍数要求：25X500X（至少四档）；8、晶圆自动传送要求：在手不接触wafer的情况下进行晶圆传送和检查；9、光源要求：长寿命

20、LED冷光源照明，寿命不小于2万小时。台22手动显微镜1、硅片翘曲度支持3mm；2、破片率10ppm；3、设备ESD 保护搭建：ESD保护搭建：静电电压小于35V；设备接地电阻小于1；距离小于30cm时，消散时间小于15秒；距离大于30cm时，消散时间小于30秒；4、支持明暗场功能；5、拍照和存档要求：可实时进行图像的预览和拍照保存，支持数据导出；6、放大倍数要求：25X1000X（至少四档）；7、光源要求：长寿命LED冷光源照明，寿命不小于2万小时。台23剪力量测仪1、自动上下料机构（EFEM）要求：具备，并支持使用方与第三方建立的CIM系统；2、LoadPort要求：不要求；3、硅片翘曲度

21、支持3mm；4、支持硅片尺寸要求：12吋或8吋兼容（支持Notch或支持Flat）；5、破片率10ppm；6、设备ESD 保护搭建：静电电压小于35V；设备接地电阻小于1；距离小于30cm时，消散时间小于15秒；距离大于30cm时，消散时间小于30秒；7、清除残留要求：须能自动化推球、拉球且作业后可清除残留锡球；8、管制界限要求：机台可设定测力数值的管制界限，超过界限发出警告，保证在自动作业时不会因机台错误或误判造成产品异常问题；9、感测器重复性精度：0.08%；10、偏移距离要求：对位点可抓取的偏移距离最大为0.15mm，且执行下刀位置不可触碰其他Bump。台14XRF电镀层检测仪1、硅片翘

22、曲度支持3mm；2、支持硅片尺寸要求：12吋或8吋兼容（支持Notch或支持Flat）；3、破片率10ppm；4、设备ESD 保护搭建：静电电压小于35V；设备接地电阻小于1；距离小于30cm时，消散时间小于15秒；距离大于30cm时，消散时间小于30秒；5、测量内容：测量Sn、Ag含量；6、测量精度：5%。台15晶圆外观检测及测量设备1、自动上下料机构（EFEM）要求：具备，并支持使用方与第三方建立的CIM系统；2、LoadPort要求：至少两个LoadPort，支持Foup、Cassette；3、硅片翘曲度支持3mm；4、支持硅片尺寸要求：12吋或8吋兼容（支持Notch或支持Flat）；

23、5、破片率10ppm；6、设备ESD 保护搭建：静电电压小于35V；设备接地电阻小于1；距离小于30cm时，消散时间小于15秒；距离大于30cm时，消散时间小于30秒；7、检测要求：可检测出10um的各类缺陷，综合检出率95%；8、支持明暗场功能；9、移动平台：各轴分辨率0.1m；10、垂直方向分辨率：0.3m；11、3D 检测效率：20WPH（200mm wafer）；2D 检测效率： 35 WPH for 5X（物镜）（200mm wafer）。台1特别说明：投标产品参数不得完全复制采购文件中的技术要求作实质性响应。各投标人在投标文件中须提供满足设备技术参数各项指标的技术描述或证明，如果评

24、审专家根据投标文件无法判断所报设备是否满足采购文件要求，则评审专家有权根据评标办法得分给予最低得分或最低档区间得分。投标供应商应选择满足或高于以上技术要求的产品进行报价。如有不一致的地方，供应商应逐一列在规格性能偏离表中。对招标要求虚假响应者，一经查实按废除其投标资格处理。 = 2 * GB3 * MERGEFORMAT 为保证正常工作需要，采购人在落实拟采购货物的“采购项目清单及技术参数”要求时，根据以往工作经验、并通过网络等途径参考了部分厂家相应型号的产品，“采购项目清单及技术参数”中如有涉及产品厂家或产品型号时，仅出于描述技术参数、性能要求的需要，采购人不存在指定厂家、指定品牌型号的意向

25、。（四）货物要求1、货物必须为合格产品，质量达到国家有关标准，供应商供货时须提供有关货物（包括原材料、燃料、设备、产品等）的合格证明材料、详细技术资料和检测报告等。2、供应商应保证货物是全新、未使用过的合格产品，如投标设备非全新设备，应当明确说明。并完全符合合同规定的质量、规格和性能的要求。供应商应保证所提供的货物经正确安装、正常运转和保养后，在其使用寿命期内应具有满意的性能。在货物质量保证期内供应商应对由于设计、工艺或者材料的缺陷而发生的任何不足或者故障负责。3、本项目设备：溅镀机、光刻胶涂布机、光刻机、显影机、介电层固化炉、干刻蚀设备、晶圆电镀机、光刻胶剥除机、金属刻蚀机、植球机、回流炉、

26、FOUP清洗机、Wafer分片机、Wafer清洗机、光刻板清洗机、补球机、半自动显微镜、手动显微镜、剪力量测仪、XRF电镀层检测仪、晶圆外观检测及测量设备；以上设备均可采购进口产品，但不对国产设备加以限制。进口产品是指通过中国海关报关，验放进入中国境内，且产自关境外的产品。投标供应商所投货物是进口产品的，必须保证货物的来源合法，报价为人民币完税价格。若中标，在货物验收的同时必须提供该货物的海关进口证明、海关货物报关单复印件、产品合格证书和商检证明。（五）中标后设备供货时提供随机资料清单：1、装箱清单。2、设备完整的使用手册（包含使用说明书、操作手册、维修及安装说明等）：至少1套洁净纸质版和1套

27、存有电子版的U盘。3、出厂检验报告。（六）安装、技术支持及培训1、中标供应商接到采购人通知后1周内执行设备现场安装，并需遵守采购方的规章制度。2、提前提供安装所需信息，且双方需提前制定安装计划，包括硬件安装及验收的时间表及所需人力。3、中标供应商负责整套装置的用户现场调试工作, 安装调试验收发生的费用由中标供应商承担。4、中标供应商负责对采购方人员进行至少2人的原理、操作、维护、保养、安全、检修培训，保证采购方人员能独立操作、维护、保养、检修工作。每种设备培训时间至少5个工作日。（七）验收 1、指标验收方案：投标供应商须根据设备功能与配置、技术指标要求编制验收方案。验收方案中应列出主要技术指标

28、的测试方法。指标验收方案须列在投标文件中。2、 验收条件和规格：根据出厂和现场验收方案验收所有的配置、功能和技术指标。3、乙方须提供出厂验收报告，经甲方及设备使用方确认后方可发货。4、最终验收在甲乙双方及设备使用方三方授权代表均在场的情况下按照现场验收方案逐项进行。乙方须提供最终验收报告，由甲乙双方及设备使用方三方共同签署后证明完成设备最终验收。如发现非合格产品或产品与投标文件不一致时或产品达不到使用要求以及有其他质量问题时，中标供应商须无条件修复或更换，以确保系统性能，否则采购人有权拒收并要求中标供应商赔偿由此对采购人造成的损失。（八）其他要求1、以上货物的质量标准均须符合国家、行业相关标准

29、要求。上述标准不一致的，以国家标准为准；没有国家标准、行业标准的，按照通常标准或者符合合同目的的特定标准确定。2、中标供应商须保证其所出售的上述货物均为全新的的合格产品，且须保证其所出售的上述货物没有侵犯任何第三人的知识产权和商业秘密等权利，如采购人使用中标供应商货物构成上述侵权的，则由中标供应商承担全部责任。3、中标供应商所提供的货物必须符合合同规定的规格、质量，如不符时，中标供应商应负全责并免费更换全部不合格货物。所有因货物规格不符、质量不符及损坏而造成的项目延误和由此产生的相关费用由中标供应商负责。同时，采购人有权终止合同。对采购人造成损失的，由中标供应商承担赔偿责任。4、交货时间：自合同签订之日起4个月内全部交货并安装调试完毕。4.1乙方应按付款进度在甲方付款5个工作日前出具发票。4.2乙方对于交货前的付款应随发票交付交机协议，协议里含设备交机时间。4.3如有不可抗力因素发生导致交期超出原订日期，乙方应在上述事件发生后 3日内发函通知甲方或设备使用方可推迟交货日期，推迟交货的日期应获得甲方或设备使用方同意许可。（九）质量保证与售后服务1、质保期：设备质保期为自甲乙双方及设备使用方共同签署最终验收报告之日起1年。质保期内，因乙方责任导致的设备或设备零部