可控硅参数说明

1、符号说明：VRRM- 反向重复峰值电压：在控制极断路和额定结温的条件下，可以重 复加在可控硅上的交流电压。此电压小于反向最高测试电压 100V 。反向 最高测试电压， 规定为反向漏电流急速增加， 反向特性曲线开始弯曲时的 电压。VRSM-反向不重复峰值电压 ；在控制极断路和额定结温的条件下，不允许加 在可控硅上的交流电压。Vdrm断态重复峰值电压；断态重复峰值电压是在门极断路而结温为额定 值时，允许重复加在器件上的正向峰值电压.国标规定重复频率为 50H ,每次持续时间不超高10ms。规定断态重复峰值电压Vdrm为断态不重复峰值电压(即断态最大瞬时电压) UDSM 的 90%.断态不重复峰值电

2、压应低于 正向转折电压 Ubo。IT(AV)/ IF(AV)-通态/正向平均电流；在环境温度 +40 C和额定结温下，导 通角不小于170阻性负载电路中，允许通过的50Hz正弦半波电流的平均值。I T(RMS), I F(RMS通态/正向方均根电流；是指在额定结温，允许流过器件的最大有 效电流值，用户在使用中须保证，在任何条件下流过器件的电流有效值，不 超过对应壳温下的方均根电流值I TSM,I FSM-通态/ 正向浪涌电流；指由于电路异常情况引起的并使结温超过额定 结温的不重复性最大正向过载电流(半个正弦波t=10ms, 50Hz)I t-表示可控硅所通过的电流产生的能量，是电流的平方乘以时

3、间，表示可 控硅的发热特性。Pgm-H极峰值功率；门极触发电压与最大触发电流的乘积；PG（AV）- 门极平均功率；门极触发电压与正常触发电流的乘积；di/dt- 通态电流临界上升率； 指在额定结温下，可控硅能承受的最大通态电 流上升率（如果电流上升太快，可能造成局部过热而使可控硅损坏）VISO-绝缘电压；芯片与可控硅的底板之间的绝缘电压。Tj- 工作结温；可控硅在正常工作条件下允许的 PN 结温度。Tjm-额定结温；可控硅在正常工作条件下允许的最高PN 结温度。Tstg- 储存温度；能保证可控硅正常工作的储存温度。Md-安装力矩/ 电极连接力矩 ；在安装过程中超过此规定，将造成可控硅 的损坏。

4、IDRM- 断态重复峰值电流； 为晶闸管在阻断状态下， 承受断态重复峰值电 压 VDRM 和反向重复峰值电压 VRRM 时，流过元件的正反向峰值漏电流， 该参数在器件允许工作的最高结温 Tjm 下测出。I RRM - 反向重复峰值漏电流； 为晶闸管在阻断状态下承受断态重复峰值电压VDrM和反向重复峰值电压VrrM时流过元件的正反向峰值漏电流该参数在器件允许工作的最高结温Tjm下测出VTM / VFM 通态/正向峰值电压；指器件通过规定正向峰值电流Ifm或通态峰值 电流Itm时的峰值电压也称峰值压降，该参数直接反映了器件的通态损耗特 性影响着器件的通态电流额定能力。VGT-门极触发电压；在额定结

5、温、在阳极和阴极加上正向电压（一般为 6V） 时，使元件从阻断状态转为导通状态，控制极所需要的最大的直流电压。也就 是说当触发电路输出的的直流触发电压不小于Vg就能保证该型号的元件均能可 靠的触发而导通。Vgd门极不触发电压； 在额定结温、在阳极和阴极加上正向阻断峰值电压时， 保证元件处于阻断状态所能加在门极上的最大直流电压。IGD-不触发电流； 在额定结温、在阳极和阴极加上正向阻断峰值电压时，保证元 件处于阻断状态所能允许的，加在门极上的最大触发电流。IGT-门极触发电流；在额定结温、在阳极和阴极加上一定正向电压（一般为 6时，保证元件从阻断状态到导通状态，加在门极上的最大触发电流。 dv/dt-断态电压临界上升率； 指在额定结温的门极断路的情况下， 不导至可 控硅从断态到通态转换的外加电压最大上升率IH- 维持电流；在门极断路时。规定环境温度和元件导通条件下，要保持 元件能处于导