MMIC项目建设方案课件

前言一、砷化镓（GaAs）半导体概况（1）国外砷化半体行于

1957年10月射了全世界第一Sputnik人造星，其中子系相关目是其中重要的一个部分。子系是国防子的重要依，从

1958年开始，在微系技域启了砷化IC技及硅大型体路两个重要目。砷化目商化的自

1988至1995年行的

MIMIC目，涵盖范包括材料、制程、模、封装等量化的，并将砷化件从原先复的分离器件成方展成集成路，美国一直到今日仍然是砷化的地位。一、砷化镓（GaAs）半导体概况（2）国内砷化半体行中国从上世60年代初开始研制砷化，近年来，随着中科稼英半体有限公司、北京圣科有限公司相成立，中国的新世代半体上新台，走向更快的展道路。中科英公司成功拉制出中国第一根6.4公斤5英寸LEC法大直径砷化晶；信部

46所生出中国第一根6英寸砷化晶，晶重

12kg，并已出

6根6英

寸

砷

化

晶；西安理工大在高晶炉上重

元技研方面取得了突破性的展。目前中国GaAs材料晶以2～3英寸主，4英

寸

在

化前期，研制水平达

6英寸，4英寸以上芯片及集成路GaAs芯片主要依口。砷化生主要原材料砷和，主要用于生光子器件。集成路用砷化材料的砷和原料要求达

7N，基本靠口解决。中国国内GaAs材料主要生包括中科英、有研硅股、信部子

46所、子13所、子55所等。二、市场分析（1）1、砷化半体用域市砷化半体广泛运用于高及无通(主要超1GHz以上的率)，激光器、无通信、光通信、移通信、

GPS全球航等域。砷化材料的用域主要分微子域和光子

域

。在微子域中，主要用于制作无通（星通、移通）、光通、子等用的微波器件。砷化下游--砷化集成路市平均增近年都在

40%以上。砷化芯片是手机中重要关性零部件，随着通网路的建构与普及而需求大增，砷化芯片的需求量也会愈来愈大。整个移通技第四代（

4G）的迅猛展，

也伴随着MMIC的快速展。二、市分析（2）附录表1

拟建项目产品主要应用领域及规格主要应用领域产品规格56%

PAE

for

GSM全球移动通信系统（GSM）和分散控制系统（DCS）应用53%

for

DCSABVSWR>10:139.1%

PAE

@

28dBma

great

ACPR

margin

of-10dBc功率增益27dBCDMA

DCS

(825MHz)

应用，3.3V动力试验二、市分析（3）¢

MMIC市场每年以40%的成长率增加。2011年有70亿颗的需求而预计2015年有200亿颗¢

六吋晶圆的需求:2011年为90万片(每月7.5万片)，2015年200万片(每月16.7万片)¢

主力市场在于手机、智能型手机与平板计算机对于MMIC芯片的急速需求¢

主要的MMIC需求:

HBTPA(主力)与BiHEMT(成长中)¢

目前主要客户群如skyworks,Avago与Renesas等全球砷化镓mmic市场趋势预估24005040302000Total

Market16001200MMIC

Market

forNew

SuppliersMarket

Share

forNew

Suppliers2080040001002009

2010

2011

2012

2013

2014

2015

2016YearRef.

StrategyAnalyticsConfidential全球砷化镓mmic代工市场趋势预估(只以hbtmmic价格评估)3000502400180012006000403020100Total

MarketMarket

forNew

SuppliersMarket

Share

forNew

Suppliers2009

2010

2011

2012

2013

2014

2015

2016YearNote:实际全球砷化镓组件产值在2011

年为58

亿美元(此包括高单价pHEMT,

HBT

MMIC芯片与封装)附录表1-1

半导体材料的分类及其应用表材料名称制作器件二极管、晶体管集成电路主要用途通讯、雷达、广播、电视、自动控制各种计算机、通讯、广播、自动控制、电子钟表、仪表整流整流器硅晶闸管整流、直流输配电、电气机车、设备自控、高频振荡器原子能分析、光量子检测太阳能发电射线探测器太阳能电池各种微波管激光管雷达、微波通讯、电视、移动通讯光纤通讯小功率/高功率红（外）光源磁场控制红（外）发光管霍尔组件砷化镓激光调制器高速集成电路太阳能电池xxxxxxxx纳米IC激光通讯高速计算机、移动通讯太阳能发电xxxxxxxxIC组件激光器件光学存储、激光打印机、医疗、军事应用信号灯、视频显示、微型灯泡、移动电话分析仪器、火焰检测、臭氧监测发光二极管紫外探测器集成电路xxxxxxxx纳米IC发光二极管整流器、晶闸管氮化镓通讯基站（功放器件）、永远性内存、电子开光、导弹xxxxxxxxIC组件信号灯、视频显示、微型灯泡、移动电话超高功率器件、国防应用碳化硅建设规模1、模确定的依据公司根据品生技的先性及成熟性，品的用范和国内外市需求，作确定本目品生模的重要依据，体

：（1）目品市的需求；（2）目品的技性能、市定位及品的争能力；（3）公司展划及未来展（4）合企自身的合能力、人力、技、管理水平、金的来源，原材料和能源的作配套条件等情况的合

考

。建设规模2、建根据上述依据，公司通本目的建，建砷化芯片生1条，可形成年砷化芯片

18万片的生模。建砷化外延片生1条，可年砷化外延片

6万片；3、投金本案投15人民，其中土建、厂工程施3人民；及其他12人民。4、效益本目达,估占全球市占率10-15%，估年可达

24.3元。利润平均35%以上毛利率，3~5年即达损益平衡。三、产品方案1、产品生产大纲本项目主要生产砷化镓芯片，根据原料来源的不同，分为专用芯片和普通芯片，专用芯片是外购砷化镓芯片，经外延加工、芯片生产二个加工过程，普通芯片是外购经过外延的砷化镓芯片，直接进行芯片加工生产。项目产品线宽在0.2微米以下，初步确定产品方案如下表。附表1-2品方案序号代表产品名称规格单位万片万片万片产量6备注1

专用砷化镓芯片2

普通砷化镓芯片**

合计6寸6寸1824附表1-3

半导体产业链及本项目工艺范围-子迁移速度高-耐高温四、产品主要特点-抗照附1-5

化合物半体附1-4

硅元素半体的石构五、项目建成影响（1）（1）目建有助于我国半体行新的突破目前4英寸以上芯片及集成路GaAs芯片主要依口。本目技在微波通域于世界先的地位，技自主研，技有能力以自行、改装生GaAs芯片，从外延、芯片生均可在厂内完成，高度垂直整合布局在全球同中取得相当争可充分公司的技研，通引高素技人才，确保公司技新的高效率和研工作的高水平。本目品主要用于全球移通信系（

GSM）、分散控制系（DCS）以及CDMADCS(825MHz)等高端市。五、项目建成影响（2）（2）有助于促我国通行的快速展

:整个移通技的展与

GaAs材料的技步与需求是相相成的。目前第四代（

4G）的通品已推向市，

4G通的快速展要求半体芯片有

高、高功率、高效率、低噪声指数等更异的气特性。砷化半体芯片技，以它基材料制成的集成路，其工作速度可比目前硅集成路高一个数量。四、MMIC品用

及品技种与用市场应用高光发电效率高频,

高速特性HBT/HEMT/BiHEMTMMICSOLARCELLLD/LED/PIN组件技术应用Military光纤通讯Others6%4%Consumer10%光源地面发电无线通信汽车雷达有线电视WirelessComm.62%储光数据

存

卫星发电Fiber

OpticalComm.18%商务卫星通信半导体技术及特性•电子迁移速率快•高崩溃电压•

耐高温•

发光,

抗辐射•

高光发电效率VSATVSAT汽车防撞雷达系统汽车防撞雷达系统智能型手机iPhone,

HTC..iPhone,

HTC..LMDSLMDS砷化镓ConfidentialThis

document

is

consider

“Hansemi

Corp.”,

Confidential

and

Proprietary”Confidential第二节

工艺技术方案1、技术选择的原则（1）安全与稳定的原则工艺技术的先进性决定产品生产质量及产品市场的竞争力，流程性生产过程必须满足生产安全性、运行稳定性要求。（2）设备配置合理，与规模相适应的原则生产工艺和生产设备的选择还必须针对生产规模、产品加工工艺特性要求，采用合理的工艺流程，配备先进的生产设备，使工艺流程、设备配置、生产能力与生产规模及产品质量相匹配，力求技术先进的同时，经济上合理。（3）坚持节能、环保与安全生产的原则项目建设中所采用的工艺技术体现“以人为本”的原则，确保安全生产和清洁生产的需要，有利于环境的保护，不对生产区内外环境质量构成危险性或威胁性影响。尽量采用节能、生产污染少的生产工艺和技术装备，从源头上消除和控制污染源、减少污染量，严格贯彻“三同时”原则，搞好三废治理。2、砷化镓半导体的技术发展半体微波通技展已有半个世，随着无通的蓬勃展，台湾在

90年代后期先后从美、日两国引一些技和成数家上、中游的公司，当包括了外延技用的达、全新和芯片制造的尚达、懋、GCT、宏捷等。并且目前全新和懋在外延和芯片代工都排在全球数一数二的地位。近年我国随着改革开放所来的，以及全球手机与手持装置无通品的速展，启了大的移通市，也了通下游系、服的蓬勃展，建立了部分上游材料基板，

在

品

能力也快速成。3-1、本项目技术来源（1）技术要求本项目为流程性生产，主要分为砷化镓外延片的制造、砷化镓芯片组件的制造二个部分。-

砷化镓外延片制造砷化镓外延片的结构非常复杂，单层材料的厚度可以薄至数十或数纳米，而每层之间的掺杂型态和浓度可能有快速的变化，因此无法以传统扩散方式来达成，而必须使用外延生长来取得外延芯片。-

组件制造复杂的组件结构对芯片制造