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文档简介
封装的趋势(1)微型化(2)集成化(3)I/O接口数不断增加(4)成本降低(包括制造、测试、返修)(5)可靠性好(电性能、热性能以及寿命)第3章新型封装技术焊球阵列(BGA)封装(BallGridArray)芯片尺寸封装(CSP:ChipScalePackage)圆片级封装(WLP:
WaferLevelPackage)多芯片模块(MCM:Mulit-chipModule)3维封装(3DPackage)系统级封装(SIP:SystemInPackage)
SOP:SystemOnPackage新技术3DICswithout3DSystemsCreatesGapComponentDensityorSource:IBM,Intel1081071051041031021019711980199520201061010109108107106105104103SystemIntegrationLawGap:
104x}19900.3mmComponentdensitySMTPTHMILLISCALETransistors/cm3Moore’sLawforICsMoore’sLawForICsto32mmMCM,3D,SIP3.1焊球阵列封装(BGA:ballgridarray)·定义I/O端是焊料球(Solderball),并呈阵列排列。即采用多功能、焊球阵列技术取代了传统的引线框式.·种类
按基材不同分:塑料BGA(PBGA),陶瓷BGA(CBGA)、带式BGA(TBGA)、金属BGA(MBGA)·特点能安排更多的I/O,且可用于MCM(多芯片模块),I/O端子数已经超过2600QFPBGA边长节距引脚(只)QFP32mm0.5mm208BGA31mm1.5mm4001mm900QFP(PlasticQuadFlatPackage),引脚间距小,操作人员和设备的要求提高,精细技术的代价高,(1.0mm、0.8mm、0.65mm(304)、0.5mm、0.4mm、0.3mm多个规格)电子器件工程联合会(JEDEC)制定的BGA物理标准中,规定BGA的球形引脚间距为:1.5mm;1.27mm和1.0mm技术关键焊球端子底面的高度偏差原因:基板翘曲225球、1.5mmBGA偏差130um在线检测困难不能目检探针检查难于实现一般采用断层X射线跟踪检测工艺CBGA焊点结构图由于BGA的引脚以阵列形式焊于PCB上,返修时难度较大。1、PBGA·结构示意图BT树脂PBGA封装,它采用BT树脂/玻璃层压板作为基板,以塑料环氧模塑混合物作为密封材料,焊球为共晶焊料63Sn37Pb或准共晶焊料62Sn36Pb2Ag1、PBGA结构中的BT树脂/玻璃层压板的热膨胀系数CTE约为14ppm/℃,PCB板的约为17ppm/℃
,两种材料的CTE比较接近,因而热匹配性好。PBGA封装的优缺点2在回流焊过程中可利用焊球的自对准作用,即熔融焊球的表面张力来达到焊球与焊盘的对准要求。3成本低。4电性能良好。缺点:
对湿气敏感,不适用于有气密性要求和可靠性要求高的器件的封装。优点:2、CBGA它的基板是多层陶瓷,金属盖板用密封焊料焊接在基板上,用以保护芯片、引线及焊盘。封装体尺寸为10-35mm,标准的焊球节距为1.5mm、1.27mm、1.0mm。焊球材料为高温共晶焊料10Sn90Pb,焊球和封装体的连接需使用低温共晶焊料63Sn37Pb。(IBM)
CCGACBGA的扩展CB府GA封装笑的优雅缺点1气密品性好赢,抗占湿气您性能葛高,踏因而水封装葱组件寄的长灯期可致靠性始高。2与PB公GA器件蒸相比羽,电亲绝缘滔特性狮更好涉。3与PB乳GA器件睛相比汗,封鞋装密珠度更拆高。4散热亦性能社优于PB欠GA结构笑。优点划:缺点鹿:1由于左陶瓷感基板由和PC颤B板的广热膨饰胀系行数CT傲E相差竿较大A1203陶瓷惧基板适的CT动E约为7p垃pm/℃,PC成B板的CT姑E约为17访pp蹄m/℃,因势此热匹引配性赵差,焊洒点疲咳劳是枕其主衣要的椅失效热形式役。2与PB除GA器件倒相比马,封赚装成本蚂高。3、TB奴GATB矿GA的载蔽体为宋铜/哗聚酰蜂亚胺即/铜赛的双姿金属弱层带(载带)。载发体上李表面国分布犯的铜预导线福起传崭输作层用,奖下表掌面的住铜层滤作地向线。赌硅片练与载严体实传现互敌连后智,将留硅片嗓包封租起到吴保护啄作用影。载蛛体上捷的过羽孔实阀现上跃下表绒面的壤导通尸,利型用类绣似金茎属丝止压焊市技术跟在过伤孔焊起盘上奶形成尚焊球裕阵列苦。焊叫球间娇距有1.末0m奸m、1.岔27胸mm、1.猫5m铲m几种帮。TB菌GA封装棋的优屑缺点1对湿厕气敏颗感;2不同箱材料默的多齐级组御合对沾可靠撕性产件生不匆利的仰影响暮。优点战:缺点浓:1封装道轻、歌小;2电性胖能良;3组装拖过程肯中热卵匹配况性好;4散热朱性能覆优于PB编GA结构毕。·定义封装扰后的IC尺寸边长不大望于芯解片的1.象2倍,IC面积只比筐裸片哪(Di苍e)大鸡不超突过1.饲4倍。·种类按设努计、考材料酱、应番用的据不同茄分:毯引线傻框架喘型(le炸ad千f唐ra耕me)、柔型怎基板裤型(Fl淡ex)、图硬质答基板公型(ri倍gi毯d)、圆片掠级型敏(WL)和汽叠层CS话P。·特点1.满足挖了芯披片I/们O引脚承不断跌增加浙的需聪要。2.芯片吧面积刊与封酸装面察积之熟间的算比值取很小悟。3.极大衔地缩震短延镜迟时盟间。3.增2芯片午尺寸回封装祖(CS佩P:ch偷ip西s姓ca顾le峰p省ac感ka萝ge)DIPPGAPLCCPQFPBGACSP引线数2000节距(mm)2.542.541.271.271.00.81.271.00.80.50.50.30.25引线长度4.6φ0.89或更小φ0.3或更小高度50umCS卧P基本寇结构简图互连备层是珠通过丙载带嘴自动液焊接束(T府A锅B)、狠引线衡键合畜(W辽B)、捏倒装勺芯片秋(FC)等得方法颠来实镜现芯桂片与结焊球躺(或塑凸点殿、焊秀柱)垦之间淹内部谷连接爽的,保是CS渐P封装奴的关样键组委成部谈分1.引线疾框架间型(le疮ad扇f英ra痒me)底部掠引线陶塑料挣封装(B荷LP脾)代表骂厂商涉有富妈士通首、日娇立、Ro看hm、高铸士达舞(Go悼ld忘st搬ar)等真等引线陕框通狡常是滨金属粥制的,外层穿的互霞连已姿做在屋引线证框上爆。2.柔性恼基板CS语P最有械名的访是Te河ss德er这a公司皮的mi澡cr机oB浸GA,CT种S的si垒m-B嘱GA也采刮用相章同的敢原理傍。其征他代错表厂乳商包久括通团用电巴气(GE)和NE捐C。该类CS吊P采用P拦I或与TA棍B工艺渡中相株似的抓带状姐材料殖作垫娘片,内层亏互连粮采用TA壶B、FC或WB。3.刚性离基板CS慈P代表贸厂商硬有摩轻托罗绵拉、膝索尼继、东旦芝、僻松下贞等等利用伶基板汇的刚铺性将喉在芯近片四慕周分桨布的易很窄垄节距秧焊盘跨再分救布成PC佣B板上柜较宽故节距旁的面希阵列表焊盘该类CS房诚P是用亡树脂笼和陶词瓷材顾料作号垫片,内层半互连恐方式瞎也有FC和WB两种倡。该类CS妇P是在纸晶圆葛阶段,利用术芯片启间较亿宽的饰划片方槽,在其孔中构祖造周疯边互厚连,随后大用玻榜璃、窗硅、杯树脂溜、陶捷瓷等副材料搜包封谅而完活成的4.圆片炉级CS割P(WL它CS熊P)投入救研发罪的厂熔商包辜括FC迫T、Ap煤to旗s、卡齿西欧盒、EP阵IC、富惰士通证、三背菱电彩子等槽。前面却几类CS机P:分割IC芯片引键遭合线模塑焊凸少点高神度在0.叫25唱m倡m-堡0.南4m丈m凸点腐节距炸最小开为0.练4m智m包括容凸点却在内缘瑞整个剖厚度豪小于1.狸0m呀m(1麦)如何亚解决音与CS沿P相匹印配的考细间室距高刚密度个布线芽基片移问题;(2触)焊接条技术,也就铃是焊涝接过表程中摇工艺茄匹配海的问娇题。(3洲)不容脆忽视讨的还汽有包探封技狂术。5.淘C面SP芯片衰制作指技术壶的关呜键开发芝引线究键合陡产品登需要排开发壳的封施装技钞术(a吹)短引卸线键睬合技临术在基症片封鞠装中,封装币基片恭比芯锦片尺房诚寸稍誉大,置于层引线竿框架谨中,引线迷框架矿的键拳合焊柿盘伸搭到了弓芯片棍上面,在键获合时,键合木线都哭很短,而且吐弧线围很低横。而轻在键狠合引持线很引短时,键合滋引线思的弧皇线控偷制很至困难性。常规CS攀P塑封肯料在梅注塑茄成形航时呈尚熔融殊状态吐,是拾有黏搅度的估运动屈流体济,因抬此具肌有一腊定的翼冲力体。冲香力作踢用在誓金丝暗上,稻使金类丝产金生偏温移,躬极端课情况廉下金里丝冲野断,女就是恢所谓作的冲绳丝。(b纯)包封不技术在引礼线键养合的晒包封邀中,不仅妖要解至决倒板装片延包封蠢中的币有关世技术末问题,还要蹈解决熊包封哑的冲丝问题须。(c洪)焊球订安装地技术辱。开发TA孟B键合祸产品斤需要脆开发繁的封选装技晋术(a)饼TA耽B键合炮技术诸。(b孤)包封粉技术迷。(c费)焊球爹安装显技术月。开发才倒装叉片键而合CS女P产品荐需要河开发名的封思装技酿术(a)二次奇布线绸技术二次连布线,就是骨把的挑周边丽焊盘拴再分配布成骗间距感为微认米左榆右的删阵列但焊盘受。在嫩对芯吗片焊狠盘进委行再趟分布额时,同时穿也形众成了塑再分计布焊晶盘的宵电镀排通道煮。(b悔)凸点资形成浓电镀上金凸文点或照焊料还凸点爆技术堵。在绞再分蜡布的劈燕芯片念焊盘架上形散成凸啊点。(c社)包封碧技术。包弃封时,由于预包封慈的材满料厚扯度薄,空洞法、裂瘦纹的予存在词会更赶严重盆的影幸响电谁路的烤可靠拾性(d圾)焊球攻安装震技术器。开发锹圆片解级产拔品需够要开市发的偿新技布术(a竹)二次迷布线细技术肿。(b罪)焊球材制作扣技术性。(c架)包封喉技术暴。(d返)圆片喘级测爱试和熄筛选阔技术岔。(e仪)圆片色划片言技术篇。利用密在圆万片上专的金督属层央将在蚊芯片校四周撞分布达的很乱窄的敲节距英焊盘咐再分味布成PC费B板上配较宽择节距装的面祝阵列张焊盘CS男P产品侮的封锈装基台片在CS暑P产品掩的封杂装中,需要腥使用甲高密盖度多骂层布呈线的倘柔性梦基片坐、层避压树备脂基母片、闻陶瓷混基片族。这忽些基麻片的获制造瞧难度胳相当而大。为了青保证况产品京的长燃期可著靠性,在选岭择材育料或迷开发论新材手料时,还要娃考虑雄到这锈些材袜料的庆热膨每胀系众数应叮与硅谁片的中相匹制配。包封赛材料由于掏产品废的尺挑寸小,在产绩品中,包封抱材料愈在各守处的伪厚度牌都小冶。为纹了避泡免在犹恶劣蓝环境多下失太效,包封所材料祖的气杆密性糠或与娱被包彻封的呀各种热材料惩的粘滔附性役必须吊良好停有好些的抗项潮气漏穿透衰能力,与硅驳片的砖热膨抱胀匹耀配以撇及一交些其贫它的纪相关水性能飘。组装乡丰产品累的印夺制板吗问题主要致困难牲在于败布线垮的线淋条窄,间距沾窄,还要毛制作病一定选数量卖的通显孔,表面据的平径整性屑要求驼也较交高。天在选藏择材些料时稼还要说考虑沾到热衫膨胀跨性能雷。6.巴C自S茶P封装妈技术也展望(1)标饮准化(2)可两靠性(3)成轮本采用筒引线子键合仁的柔性垫片CS套P对由续低到旱高的您引脚认数都螺适用,并且帝由于述其低婚廉的例价格,应用仔也最佩广。引线庭框架CS横P主要献用于低引网脚数的垃场合,刚性垫片CS员P用于中引汉脚数的笛场合随着IC向高体密度挂、高炊速度区方向禾发展,未来禾器件虽对针请脚数的要险求会意越来摄越高启。预负计到20般00年,储存第器、锤高频勾器件和玩逻辑同器件醉将分词别要禾求25默0、80峡0和10桌00个I/挣O。模塑莲型CS争P可以皆达到狸这么耳高的侮引脚绝数它的党芯片硬互连涨与测承试都糠是在满圆片鬼上完惰成的,之后待再切舞片,进行劝倒装表芯片缘瑞组装.3.府3圆片冤级封愈装(WL淋P:wa酬fe变r姻le荣ve碌l痕pa红ck骨ag酿e)加工漏工艺测试系统钓组装3.骑4多芯革片模秤块/组件哨(MC碧M:mu嗓li痒t-谱ch欢ip距m傅od拼ul芒e)·定义将2个以箩上的粥大规页模集庙成电捐路裸壤芯片孙和其妄它微娃型元描器件染互连热组装旬在同块一块梅高密速度多准层基斜板上弹并封月装在信同一玩管壳郊内构提成功株能齐湾全质们量可世靠的涂电子介组件MC喊M基板简与芯者片之锣间的怀互连贯方式(c)旨来在高键速度茄、高农性能枣、高脸可靠再和多咬功能阁,而阿不象朋一般湖混合IC技术滋以缩勒小体办积重笑量为肿主东。(b)MC共M采用多块拆裸芯挥片与多层位布线基板江并实露现高族密度爆互连愤。与传世统的罗混合IC主要眠区别(a)MC劳M组装栗的是VL假SI、UL渡SI、AS余IC裸片古而不核是MS烦I等中称小规戚模的桌集成长电路惠。典型票类型根据错基板仿类型展分为颈:MC足M-搁L型MC递M-泼C型MC斯M-奏D型MC菊M-妻Si型MC丽M-赵D/凡C1.碌MC缺M-疾L(La温ye计re怀d)型—层压棍介质堵高密模度印该刷板致模块败。采直用叠费层结杂构的垃印刷涌电路帐板作骗为互异连衬敢底。特点呆:因有张机基护板介驴电常旧数小劈燕允许晌较大钥的特得征尺励寸对迈微波仍应用议有利绑;由于俭叠层稠式特雨点用MM批CM关L易于膊实现全多种久封装菌结构贯;MC闪ML基板末比共偷烧陶圾瓷有讲较好阳的尺茎寸控歇制(烛烧制谋时的茅收缩文)三种MC星M中成辟本是苹最低关键刑技术幼:是要续解决全多层雄基板责有线稻金属芦与隔梨离介吃质界刑面的帮效应互和互晃连通梦孔的娘技术2.素M详CM丢-C(Ce糠ra改mi米c)辆型—基板投材料蔽是多往层陶怨瓷,涨采用初丝网避印刷召的方突法将贫金属鲁导体盐印在梳瓷片闪上实忘现电狡气互推连然鸽后经斤过层蚁压排值胶烧捏结等柜工艺苹做出限散热芦性能茂好机渠械强旧度高满的多她层共逃烧陶袭瓷基恼板。其布租线间金距可牵达20猾0u荡m,层数袖可达30层以品上低温劳共烧键陶瓷英(LT致CC)基膀板(MC泊M-成C)加券工流麦程3.暮MC邮M-筝D(抱De掌po细si虾te公d蔑th爬in鞠f咱il窃ms敏)型—在聚维合物梯或介盲质材圣料薄素膜上归淀积熊金属研导线堡图形MC验M-毁D是三罪种基放本类浴型中在成本伟最高卫的一奶种主会要是界因为舍其布初线采菠用了墨与芯搜片制慢造相陪似的瓣工艺拜利用这光刻异技术味制作康有线桐,虽盛然布章线层返数最哲少,税因其疮线条暑细、愈间距浸小、涉布线决度也拥最高脑,适窝用于畜高频垒高速煎电路柄中冲。多层谁薄膜枯聚酰乓亚胺逆基板须(MC祝M-音D)加拌工流妻程混合浙型的MC攀M-镇D/芹C即共拦烧陶哄瓷上贿淀积买薄膜延型MC贺M-图Si即在Si衬底僵上使炎用二痒氧化觉硅介投质三维(3举D)嫂MC易M3.其他连类型赵的MC逃M各类MC俗M特性斗比较·种类叠层荷型3D票;埋置屑型3D鹊;有源漏基板兴型3D。·定义在垂别直于弹芯片泽表面闪的方代向上惨堆叠,互连芬两片役以上留裸片然或器站件的舱封装.PC减B板和伴封装尼转接痛板的舍布线摩限制间,规京定0.迎50或0.布40毫米信是CS声P封装哲最小鉴的实锡用间太距,绞这使且得在X和Y方向师上提耐高封侮装密落度非悄常困演难。3.及5三维咐立体呆封装(3定D)·特点体积校小,电性糠能稳乘定(信号筐传输溉延迟占时间罚减小雷、低登躁声局、低征功耗善),多功储能性队、高屋可靠痒性和吵低成搜本性否。*3D封装妥内的垒多个插裸片遮仅需飞要一忍个基师板,呈同时昨由于索裸片每间大吨量的始互连沾是在摆封装手内进逢行,遣互连馅线的斗长度旅大大俗减小塔,提财高了辟器件棕的电尺性能丧。实现滤叠层贞型3D封装独的两坐种方条法:封装仙内的剧裸片琴堆叠封装预内的披封装缸堆叠筝或称哀封装德堆叠1.叠层曾型3D封装以錫夸球型态接合的叠舍层3D封裝·因为裸片胃堆叠CS窝P在开店发Z方向眼空间佳(即泻高度扰)的闻同时解还保谋持了蜂其X和Y方向绍上的听元件聚大小守(厚球度即撤使增凶加也稿是非爬常小视),朝这种晨封装殊已经架被很促多手贵机应无用所终接受西。裸挪片堆左叠CS神P封装订的主要具缺点是,污如果奋堆叠榴中的衔一层冶集成僵电路医出现减问题画,所贵有堆摧叠的达裸片惊都将杏失效透。·封装通堆叠使得候能够彩堆叠校来自不同鬼供应筹商和混断合集佛成电拥路技茶术的诱裸片扯,也炊允许识在堆贪叠之查前进尺行预烧和检搞测。裸片粮堆叠璃和封何装堆徐叠比拥较关键表技术1.芯片刻厚度斯的控专制:晶圆尽的减弊薄,背面雾研磨蚁到10忠0微米棵以下.在晶联片背贩面机品械研做磨过浊程中幕,硅京晶粒奥形变颤很容名易导睬致应暑力。——引发涛裸片有破裂蛾、扭摔曲。CM竟P,湿匙刻蚀芝和等响离子遵刻蚀50,极限10-20(a狐)支架奶型针求脚焊(b胳)金楔伤焊(c变)极低景环路纺焊接2.引线焊资接技规术:线焊酷技术是决腰定封勒装堆拥叠模消盖最垂小高雪度和S-茂CS愉P裸片坑堆叠港高度师的一神个关悼键因乒素。3.裸片序堆叠畏技术4忽.薄模胖成型惰技术:为了放能够愚堆叠贤封装耗,底号部封急装模鸟盖的呀厚度梢必须群小于罗顶部登堆叠昼封装若焊接畅球支绑架的秘高度蝴。对饰于球道间距颠为0.壤5-港0.应8毫米寒的CS黑P,紧做凑型御产品步中已蛇经广恋泛采皇用0.供2-失0.贩4毫米漫的球画支架悄高度——在各铲类基寻板内岂或多杯层布胞线介罩质层劝中“描埋置脸”R、C或IC等元高器件婚,最熔上层滔再贴凤装SM丈C/读SM勾D来实愿现立叶体封蜂装。2.埋置株型3DSi圆片揉规模膀集成(W庭LS豪)后的祖有源现基板参上再弦实行拒多层贿布线,最上王层再菊贴装SM页C/丙SM悼D。3.有源补基板鹿型3D高导幼热(腾1坛)复合窝基板绸材料过,由塌热固栗性树唯脂及露无机思填料窃构成推。(2)电晴子元浆器件慕的埋初入技欣术(况3禁)内部菌互连妇技术乒,一膊般是播通过体导电春浆料耻填入稠导通掠孔来梯实现扛层间奶电气外互连阳。关键推技术·结构幻玉示意粮图4苏.可靠枪性问偷题局部探过热其,烧逼毁。温度级分布币不均寨匀,滑差异抓过大惩,影惩响信矿号传迟输材料吹热膨惊胀系翼数不决匹配少引起潜热应及力,嘉产生丘翘曲央、裂估纹4其.可靠志性问搬题叠层谊封装羡:三毫维热测场分爸析存在齐热耦换合,确热场街分布悼与单名热源盗不同分析隔要点脏:一、错使用勺低热壁阻的咐基板;二、军使用距强风姜冷或躲液冷赴却剂粥为3D器件森降温;三、锅在叠遣层元别件之谢间使听用导蓬热通饮孔将域内部迷的热谱量散挑至表降面。3D硬MC挨M器件须散热盆的处杰理方铅法有颠三种:在实躁际的煮应用晶中,根据奖不同虽散热冤的情然况可朵以选评择一衬种或决几种堤方案驻。3.夏6系统仙级封挥装(Si涌P)Sy券st廊em股-i辟n-浪P棉ac案ka嫁ge是将一个电子功能系统,或其子系统中的大部分内容,甚至全部都安置在一个封装内。产品馒尺寸荐的小膊型化缩短兄上市粘时间降低于了母保板的境复杂春程度某些种性能携得以童提高降低损整个婆系统圈的成邮本可以舞分别汪优化插各个IC芯片绞的加点工工绝艺,济最充扯分地柔发挥畅各个穿芯片懒的性丹能特养点1.牌S散ip的特魄点2.皂S太IP的主秀要形丑式(1)层蚁叠封捏装互连四一般歇采用WB和FC涌B平面执分布丑封装技形式轧示意斤图,滨此例发为Am榴ko婶r猫Te千ch标no苏lo居gy公司塌的Su奇pe刺r燥FCSi丹P的概东念,拾使用辆了超殊微距料的BG被A找FC弦B技术杨。(2)平觉面分女布封还装三星具公司尚的高宫密度赛层叠挑存储偿芯片筒,世郑界上然第一邀个六裙层叠垂封装臂存储光芯片给。(1)存碎储芯落片集铸成封漆装ME州MO麻RY晒/M归EM悉OR税Y晒SI例P3.逃S拾IP的主终要应桑用Am笔ko晋r增Te肺ch层no捞lo浮gy公司叫的层替叠存接储芯待片,脸用于SD卡芯痕片的廉制造统。存储卷与AS已IC芯片室的集笋成封洁装,辣使用淡了WB和FC财B的互殃连技最术。(2)存凉储/控制尖芯片桶集成鸟封装串(ME叙MO等RY蝇/A惜SI蛾C紧SI肝P)AS虫IC芯片庸与无胀源元接件芯透片的咏集成猜封装争,PI四C意为伯无源滥元件烦整合宇芯片肝。(3)控留制芯押片/无源报元件滤集成翼封装静(AS环IC隶/P其ICSI缝P)射频胆芯片纵整合AS学IC、无洒源元引件、干低通牌滤波须、天辟线、RF开关贩等器当件于贤一身那,属柏于SI格P中的蛾最大祥应用及,也地可以霉上升吵到SO窄P的概尿念。(4)射份频芯丝式片集久成封扣装(RF腊S忍IP)射频勺芯片绞的成拢品板邪,实洪现了淋混合RF信号菠的处愤理和解收发肆。(4)射价频芯钳片集狸成封颠装(RF汉S骆IP)电源规芯片含整合筛驱动IC、MO泛SF贸ET器件浅,经欠过SI大P后,斧变成怎小型央的开回关电迎源芯崖片。(5)DC-DC电源激芯片炊集成挺封装寸(DC堪S双IP)SI傲P整合羡了AS彻IC和光冰学MO伐ME畅S器件贴,实提现了胸片上聚光交泻换的丧概念程。(6)光旦学MO章ME染S集成炼封装挡(MO羡ME竟S粮SI短P)Th励om估as等人训使用寨玻璃箩做封告装盖副将陀陪螺仪帖和AS税IC封装惜在同渗一芯差片上手,利盒用了Au焊料
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