标准解读

《GB/T 24366-2009 通信用光电探测器组件技术要求》是一项国家标准,专门针对用于通信领域的光电探测器组件制定了详细的技术规范。该标准涵盖了光电探测器组件的基本性能指标、测试方法以及质量保证等方面的要求,适用于设计、生产和使用这些组件的各个阶段。

根据标准内容,首先定义了术语和定义部分,明确了“光电探测器”、“响应度”等专业词汇的具体含义。接着,在技术要求章节中,规定了光电探测器组件应满足的一系列性能参数,包括但不限于光谱响应范围、暗电流水平、噪声特性、温度稳定性等关键指标。此外,还特别强调了组件在不同环境条件下的工作稳定性和可靠性。

对于测试方法部分,《GB/T 24366-2009》提供了详细的实验流程来验证上述各项技术指标是否达标,比如如何准确测量光谱响应曲线、怎样测定特定波长下的量子效率等。通过标准化的测试程序确保不同厂家生产的光电探测器之间具有可比性。

最后,在质量保证方面,标准提出了关于产品包装、标识信息及随附文件的具体要求,并建议制造商建立完善的质量管理体系以持续改进产品质量。同时,也对用户在接收货物时应进行的检查项目给出了指导。

此标准为行业内相关企业和研究机构提供了明确的技术参考依据,有助于促进我国通信领域光电探测技术的发展与进步。


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  • 现行
  • 正在执行有效
  • 2009-09-30 颁布
  • 2009-12-01 实施
©正版授权
GB/T 24366-2009通信用光电探测器组件技术要求_第1页
GB/T 24366-2009通信用光电探测器组件技术要求_第2页
GB/T 24366-2009通信用光电探测器组件技术要求_第3页
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文档简介

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中华人民共和国国家标准

犌犅/犜24366—2009

通信用光电探测器组件技术要求

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20090930发布20091201实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局

发布

中国国家标准化管理委员会

犌犅/犜24366—2009

前言

《通信用光电探测器组件》系列标准包括:

———《通信用光电探测器组件测试方法》;

———《通信用光电探测器组件技术要求》。

本标准与GB/T24365《通信用光电探测器组件测试方法》配套使用。

本标准在编制的过程中,参照了IEC620071:1999《光纤系统用半导体光电器件第1部分:基本

额定值和特性》的第6部分和第7部分,并结合我国光通信用光探测器组件的情况而制定。

本标准在起草过程中,注意到与下列标准的协调一致:

———GB/T15651.2—2003《半导体分立器件和集成电路第52部分:光电子器件基本额定值

和特性》;

———GB/T18904.4—2002《半导体器件第124部分:光电子器件纤维光学系统或子系统用

带/不带尾纤的pinFET模块空白详细规范》;

———GB/T18904.5—2003《半导体器件第125部分:光电子器件纤维光学系统或子系统用

带/不带尾纤的pin光电二极管空白详细规范标准》。

本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出。

本标准由中国通信标准会协会归口。

本标准起草单位:武汉邮电科学研究院、深圳新飞通光电子技术有限公司。

本标准主要起草人:杨现文、李世瑜、孟湘、李春芳、镇磊。

犌犅/犜24366—2009

通信用光电探测器组件技术要求

1范围

本标准规定了通信用光电探测器组件的技术要求。

本标准适用于数字应用光通信系统以及模拟应用光通信系统中的光电探测器组件。

2规范性引用文件

下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有

的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究

是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。

GB/T11499—2001半导体分立器件文字符号

GB/T15651.2—2003半导体分立器件和集成电路第52部分:光电子器件基本额定值和

特性

SJ/T11363—2006电子信息产品中有毒有害物质的限量要求

ITUTG.657(2006)接入网使用的弯曲损耗不敏感的单模光纤和光缆的特性

ITUTG.957(2006)与同步数字体系有关的设备和系统的光接口

3术语和定义、缩略语

3.1术语和定义

下列术语和定义适用于本标准。

3.1.1

犗犕犃加压灵敏度狊狋狉犲狊狊犲犱狉犲犮犲犻狏犲狉狊犲狀狊犻狋犻狏犻狋狔犻狀犗犕犃

在规定调制速率和规定的正弦抖动加压条件下,并满足随机比特差错率要求时,光接收机在R点

(见ITUTG.957图1)所能接收到的最小光调制幅度OMA。它考虑了在应用条件下,光接收机所具

有并允许的最坏消光比、脉冲上升和下降时间、光发射侧的光回损,连接器性能劣化和测试容差所引起

的功率代价。

3.1.2

击穿电压犫狉犲犪犽犱狅狑狀狏狅犾狋犪犵犲

输入光功率等于零,逐渐增加APD的反向偏压,暗电流随之增大,当暗电流达到10μA(或100μA)

时所对应的反向偏压称为APD的击穿电压。

3.1.3

光电倍增因子犿狌犾狋犻狆犾犻犮犪狋犻狅狀犳犪犮狋狅狉

APD在规定温度、光波长、光功率和反向偏压下,有培增时的光电流犐L与无倍增时光电流犐LO之比。

3.1.4

频响平坦度犳狉犲狇狌犲狀犮狔狉犲狊狆狅狀狊犲犳犾犪狋狀犲狊狊

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