标准解读

《GB/T 11072-2009 锑化铟多晶、单晶及切割片》相比《GB/T 11072-1989 锑化铟多晶、单晶及切割片》，主要在以下几个方面进行了更新和调整：

  1. 技术指标的修订：新版标准对锑化铟材料的物理性能、化学成分、结构缺陷等技术指标进行了细化和优化，以适应近年来半导体技术的发展需求，提高了材料的质量控制要求。

  2. 测试方法的改进：引入了更先进的检测技术和分析方法，对多晶、单晶及切割片的表征和测试手段进行了升级，确保测试结果的准确性和可重复性。例如，可能包括了更精密的光谱分析、显微镜观测技术等。

  3. 规范性引用文件更新：由于科学技术的进步，相关的国际和国内标准也有所更新。2009版标准对引用的其他标准和规范进行了全面审查和更新，确保与当前的标准化体系保持一致。

  4. 增加了环境保护和安全要求：考虑到生产过程中的环保和操作人员安全，新标准可能加入了关于材料处理、废弃物处置及工作环境的安全规定，体现了可持续发展和安全生产的理念。

  5. 术语和定义的完善：为了提高标准的清晰度和适用性，对一些专业术语和定义进行了修订或新增，使得行业内外的交流更加准确无误。

  6. 产品分类和分级的调整：根据市场和技术进步的需求，对锑化铟材料的产品分类和质量等级进行了重新划分，为用户提供更明确的选择依据，满足不同应用领域的需求。


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  • 现行
  • 正在执行有效
  • 2009-10-30 颁布
  • 2010-06-01 实施
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文档简介

犐犆犛２９．０４５

犎８３

中华人民共和国国家标准

犌犅／犜１１０７２—２００９

代替ＧＢ／Ｔ１１０７２—１９８９

锑化铟多晶、单晶及切割片

犐狀犱犻狌犿犪狀狋犻犿狅狀犻犱犲狆狅犾狔犮狉狔狊狋犪犾，狊犻狀犵犾犲犮狉狔狊狋犪犾狊犪狀犱犪狊犮狌狋狊犾犻犮犲狊

２００９１０３０发布２０１００６０１实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局

发布

中国国家标准化管理委员会

书

犌犅／犜１１０７２—２００９

前言

本标准代替ＧＢ／Ｔ１１０７２—１９８９《锑化铟多晶、单晶及切割片》。

本标准与ＧＢ／Ｔ１１０７２—１９８９相比，主要有如下变化：

———将原标准中直径１０ｍｍ～５０ｍｍ全部改为１０ｍｍ～２００ｍｍ；

———在原标准的基础上增加了直径＞５０ｍｍ，厚度不小于１２００μｍ，厚度偏差±４０μｍ；

———将原标准中位错密度级别１、２、３中直径≥３０ｍｍ～５０ｍｍ全部改为≥３０ｍｍ～２００ｍｍ；

———在原标准的基础上增加了直径为１００ｍｍ、１５０ｍｍ、２００ｍｍ的切割片直径、参考面长度及其

偏差；

———将原标准中的附录Ａ去掉，增加引用标准ＧＢ／Ｔ１１２９７；

———增加了“订货单（或合同）内容”一章内容。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。

本标准起草单位：峨嵋半导体材料厂。

本标准主要起草人：王炎、何兰英、张梅。

本标准所代替标准的历次版本发布情况为：

———ＧＢ／Ｔ１１０７２—１９８９。

Ⅰ

书

犌犅／犜１１０７２—２００９

锑化铟多晶、单晶及切割片

１范围

１．１本标准规定了锑化铟多晶、单晶及单晶切割片的产品分类、技术要求和试验方法等。

１．２本标准适用于区熔法制备的锑化铟多晶及直拉法制备的供制作红外探测器和磁敏元件等用的锑

化铟多晶、单晶及切割片。

２规范性引用文件

下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有

的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究

是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。

ＧＢ／Ｔ４３２６非本征半导体晶体霍尔迁移率和霍尔系数测量方法

ＧＢ／Ｔ８７５９化合物半导体单晶晶向Ｘ衍射测量方法

ＧＢ／Ｔ１１２９７锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法

３产品分类

３．１导电类型、规格

３．１．１多晶

多晶的导电类型为ｎ型，按载流子迁移率分为三级。

３．１．２单晶

锑化铟单晶按导电类型分为ｎ型和ｐ型，以掺杂剂、载流子浓度和迁移率分类，按直径与位错密度

分为三级。

３．１．３切割片

按３．１．２分类与分级，其厚度不小于５００μｍ。

３．２牌号

３．２．１锑化铟多晶与单晶的牌号表示为：

ＩｎＳｂ——

３

２

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