标准解读

《GB/T 11071-2006 区熔锗锭》与之前的《GB 11071-1989》相比,主要在以下几个方面进行了调整和更新:

  1. 标准性质的变化:从原来的强制性国家标准(GB)转变为推荐性国家标准(GB/T),意味着该标准的应用由强制执行变为推荐使用,为企业提供了更多的选择空间。

  2. 技术指标的修订:新标准对区熔锗锭的化学成分要求进行了细化和优化,明确了不同等级锗锭的杂质元素含量限值,以适应技术和生产水平的进步,提高产品质量控制水平。例如,对砷(As)、锑(Sb)、硼(B)、铝(Al)、镓(Ga)、铟(In)、铁(Fe)、铜(Cu)等杂质元素的含量限值进行了更严格的规定。

  3. 检测方法的改进:《GB/T 11071-2006》引入了更先进的检测技术和分析方法,提高了检测的准确性和可操作性。对于杂质元素的测定,可能采用了更为灵敏和精确的仪器分析技术,如电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)或原子吸收光谱法(AAS),以替代旧标准中的传统方法。

  4. 物理性能要求的调整:新标准可能对锗锭的尺寸、外观、晶粒度、密度等物理性能提出了新的或更具体的要求,以满足下游用户对材料性能的需求变化。

  5. 包装、标志和运输规范:针对产品包装、标志以及运输存储条件,新标准可能给出了更为详细的规定,确保锗锭在流通环节中的品质不受损害,便于追溯和管理。

  6. 术语和定义的更新:为了与国际标准接轨,新标准可能对相关专业术语进行了修订或新增,使得标准内容更加清晰、规范,便于国内外行业交流。


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  • 被代替
  • 已被新标准代替,建议下载现行标准GB/T 11071-2018
  • 2006-07-18 颁布
  • 2006-11-01 实施
©正版授权
GB/T 11071-2006区熔锗锭_第1页
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文档简介

ICS29.045H82中华人民共和国国家标准GB/T11071—2006代替GB11071-1989区Zone-refinedgermaniumingot2006-07-18发布2006-11-01实施中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布中国国家标准化管理委员会

GB/T11071-2006本标准是对GB/T11071—1989《区熔错键》的修订本标准与GB/T11071—1989相比.主要有如下变动:-将原标准区熔错镜两个牌号ZGe-1和ZGe-2分别改为ZGe-0和ZGe-1;-明确ZGe-0和ZGe-1区熔错镜的用途;-区熔错键电阻率测量温度由(23±0.5)C改为(20±0.5)C,电阻率由>47·cm改为>50·cm:在检验规则中,增加了组批、仲裁取样和制样、检测结果判定等内容;本本标准增加了订货单(或合同)内容。本标准自批准实施之日起代替(B/T11071—1989.本标准附录A是规范性附录。本标准由中国有色金属工业协会提出本标准由全国有色金属标准化技术委员会归口本标准由北京有色金属研究总院、云南临沧鑫圆错业股份有限公司负责起草本标准主要起草人:冯德伸、包文东、苏小平、杨海、马绍芳。本标准由全国有色金属标准化技术委员会负责解释。本标准所代替标准的历次版本分布情况为:GB/T11071-1989.

GB/T11071-2006区熔错范围本标准规定了区熔错键的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、储存等本标准适用于以还原错键及错单品返料为原料,经区熔提纯而制得的高纯错徒。ZGe-0区熔错锁主要用于制备探测器用高纯单品.ZGe-1区熔错键主要用于制备半导体单品、红外光学错单品、错合金等。2规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勒误的内容)或修订版均不适用于本标准.然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。GB/T4326非本征半导体单品霍尔迁移率和霍尔系数测量方法YS/T602—2006区熔错键电阻率测试方法直流两探针要求3.1产品分类区熔错键按电学性能分为两个牌号:ZGe-0、ZGe-l.ZGCZGe.表示区培错镜;阿拉伯数字,表示产品等级3.2电学性能区熔绪键电学性能应符合表1的规定表1电阻率/(0·cm)检测单品的参数(77K)(20±0.5C)载流子浓度/cmn-我流子迁移率儿cur/(V·s门<1.5×104ZGe-O二50三3.7×10ZGc1二503.3区熔错键的横截面应为梯形.同一根错键的最大与最小截面面积之差不大于平均截面面积的15%。错键上宽不小于26mm,下宽不小于21mm,高不小于23mm,键长100mm~500mm.3.4区熔错镜表面应呈银灰色光泽,无氧化膜、裂纹和浮渣3.5需方对产品外形尺寸和电学性能有其他要求时.供需双方可另行商定试验方法4.1区区熔错键电阻率的检验按YS/T602规定沿键底

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