半导体三极管及其放大电路

1、半导体三极管半导体三极管5.1双极型半导体三极管双极型半导体三极管5.2单极型半导体三极管单极型半导体三极管5.3半导体三极管电路的基本分析方法半导体三极管电路的基本分析方法5.4半导体三极管的测试与应用半导体三极管的测试与应用半导体三极管半导体三极管5.1.1 晶体三极管晶体三极管5.1.2 晶体三极管的特性曲线晶体三极管的特性曲线5.1.3 晶体三极管的主要参数晶体三极管的主要参数半导体三极管外型半导体三极管外型半导体三极管外型及引脚排列半导体三极管外型及引脚排列EBCE B CEBCBEC第第 5 章章三极管三极管双极型半导体三极管双极型半导体三极管 图 5 - 1 几种半导体三极管的外

2、形 该该贵重家电防盗报警器贵重家电防盗报警器，具有体积小、响声大的特，具有体积小、响声大的特点。适合家庭、旅馆、机关等使用。点。适合家庭、旅馆、机关等使用。 平时，AN受到家用电器的压迫，使其两常闭触点断开，SCR无触发信号而阻断，报警器不工作。当家用电器被搬起时，AN两触点自动闭合，SCR的触发端经R1从电源正极获得触发信号，SCR导通，IC1通电工作，其输出端输出的警笛声电信号经VT1、VT5功率放大，推动扬声器发出宏亮的报警声。此时，即使将家电放回原处或破坏掉AN，也无法阻止报警声。只有主人打开与报警器安装在一起且其他人一时很难找到的开关S，才能解除报警。 三极管应用三极管应用Vi=5V

3、时，IB=(5-0.7)/10K=0.43mAICS=10V/5K=5mA IB=21.5mA三极管饱和，VO=0V; Vi=0V时，三极管截止,VO=10V。5V10VttViVOce10K5K10Vb+ +_ _+ +_ _ViVO例如：三极管用作可控开关例如：三极管用作可控开关 ( =50) (Bipolar Junction Transistor)第第 5 章章三极管三极管5.1.1 双极性三极管双极性三极管BJT一、结构、符号和分类一、结构、符号和分类NNP发射极发射极 E基极基极 B集电极集电极 C发射结发射结集电结集电结 基区基区 发射区发射区 集电区集电区emitterbase

4、collectorNPN 型型PPNEBCPNP 型型分类：分类：按材料分：按材料分： 硅管、锗管硅管、锗管按结构分：按结构分： NPN、 PNP按使用频率分：按使用频率分： 低频管、高频管低频管、高频管按功率分：按功率分：小功率管小功率管 1 WECBECB 结构特点：结构特点： 发射区的掺杂浓度最高发射区的掺杂浓度最高； 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大；集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大； 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。掺杂浓度最低。管芯结构剖面图管芯结构剖面图 放大的概念：变化量，能量控制作用。放大的概念：变化量，能量控

5、制作用。 双极型半导体三极管在工作时一定要加上适当的双极型半导体三极管在工作时一定要加上适当的直流偏置电压直流偏置电压。 若在放大工作状态：若在放大工作状态：发射结加正向电压（正偏），发射结加正向电压（正偏），集电结加反向电压（反偏）。集电结加反向电压（反偏）。二、二、 BJT的电流分配与放大原理的电流分配与放大原理 现以现以 NPN型三极管的型三极管的放大状态为例，来说明三放大状态为例，来说明三极管内部的电流关系。极管内部的电流关系。 基本共射放大电路基本共射放大电路 ：基极电流控制集电极电流基极电流控制集电极电流 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，三极管的放大作用是在一定的外部条件

6、控制下，通过通过载流子传输载流子传输体现出来的。体现出来的。 外部条件：外部条件：发射结正偏，集电结反偏。发射结正偏，集电结反偏。发射区：发射区：发射载流子发射载流子集电区：集电区：收集载流子收集载流子基区：基区：传送和控制载流子传送和控制载流子 （以（以NPN为例）为例） 三极管内部载流子的传输过程三极管内部载流子的传输过程三极管内部载流子的传输过程三极管内部载流子的传输过程1) ) 发射区向基区注入多子发射区向基区注入多子电子电子， 形成发射极电流形成发射极电流 IE。I CN多数向多数向 BC 结方向扩散形成结方向扩散形成 ICN。IE少数与空穴复合，形成少数与空穴复合，形成 IBN 。

7、I BN基区空基区空穴来源穴来源基极电源提供基极电源提供( (IB) )集电区少子漂移集电区少子漂移( (ICBO) )I CBOIBIBN IB + ICBO即：即：IB = IBN ICBO 3) ) 集电区收集扩散过来的载流子形成集电极电流集电区收集扩散过来的载流子形成集电极电流 ICICI C = ICN + ICBO 5) )电子到达基区后电子到达基区后( (基区空穴运动因浓度低而忽略基区空穴运动因浓度低而忽略) )三极管内载流子运动三极管内载流子运动第第 5 章章三极管三极管5. 三极管的电流分配关系三极管的电流分配关系当管子制成后，发射区载流子浓度、基区宽度、集当管子制成后，发射

8、区载流子浓度、基区宽度、集电结面积等确定，故电流的比例关系确定，即：电结面积等确定，故电流的比例关系确定，即：IB = I BN ICBO IC = ICN + ICBOBNCNII CEOBCBOBC)1(IIIII IE = IC + IB穿透电流穿透电流CEOBCIII BCEIII BC II BE )1(II CEOBE )1(III CBOBCBOCIIII 第第 5 章章三极管三极管IC(sat)QAuCEUCE(sat)OiCMNIB(sat)TS临界饱和线临界饱和线 饱饱和和区区放大区放大区三极管的特性三极管的特性 截止区截止区uBE iCuCE T1iB = 0T5 iB

9、= 0iB = 0温度每升高温度每升高 1 C， (0.5 1)%。输出特性曲线间距增大。输出特性曲线间距增大。O第第 5 章章三极管三极管5.1.3 晶体三极管的主要参数晶体三极管的主要参数一、电流放大系数一、电流放大系数共发射极电流放大系数共发射极电流放大系数iC / mAuCE /V50 A40 A30 A20 A10 AIB = 0O 5 4 6 8 4321 直流电流放大系数（直流电流放大系数（hFE）BCCBOBCBOCBNCNIIIIIIII 交流电流放大系数（交流电流放大系数（hfe) BiiC一般为几十一般为几十 几百几百Q82A1030A1045. 263 8010800A

10、1010A10)65. 145. 2(63二、极间反向饱和电流二、极间反向饱和电流CB 极极间反向饱和电流间反向饱和电流 ICBO，CE 极极间反向饱和电流间反向饱和电流 ICEO。第第 5 章章三极管三极管三、极限参数三、极限参数1. ICM 集电极最大允许电流，超过时集电极最大允许电流，超过时 值明显降低。值明显降低。U( (BR) )CBO 发射极开路时发射极开路时 C、B 极极间反向击穿电压。间反向击穿电压。2. PCM 集电极最大允许功率损耗集电极最大允许功率损耗PC = iC uCE。3. U( (BR) )CEO 基极开路时基极开路时 C、E 极极间反向击穿电压。间反向击穿电压。

11、U( (BR) )EBO 集电极极开路时集电极极开路时 E、B 极极间反向击穿电压。间反向击穿电压。U( (BR) )CBO U( (BR) )CEO U( (BR) )EBO已知已知:ICM = 50 mA, PCM = 100 mW，U(BR)CEO = 50 V，当当 UCE = 10 V 时，时，IC mA当当 UCE = 1 V，则，则 IC mA当当 IC = 5 mA，则，则 UCE UGS( (th) ) 时：时：2GS(th)GSDOD)1( UuIiuGS = 5UGS( (th) ) 时的时的 iD 值值5. 输出特性曲线输出特性曲线GS)(DSDUufi 可变电阻区可变

12、电阻区uDS 0 此时此时 uGD = UGS( (off) )； 沟道楔型沟道楔型耗尽层刚相碰时称耗尽层刚相碰时称预夹断。预夹断。预夹断预夹断当当 uDS ，预夹断预夹断点点下移。下移。3. 转移特性和输出特性转移特性和输出特性UGS( (off) )当当 UGS( (off) ) uGS 0 时时,2GS(off)GSDSSD)1(UuIi uGSiDIDSSuDSiDuGS = 3 V 5 V 1 V0 V 3 VJFET工作原理工作原理OO第第 5 章章三极管三极管N 沟道沟道增强型增强型SGDBiDP 沟道沟道增强型增强型SGDBiD5 5 OuGS /ViD /mAUGS(th)O

13、 uDS /ViD /mA 5 V 4 V 6 V 8 VuGS = 8 V6 V4 V5 VSGDBiDN 沟道耗尽沟道耗尽型型iDSGDBP 沟道耗尽沟道耗尽型型UGS(off)IDSSuGS /ViD /mA 5 O5O uDS /ViD /mA5 V5 V0 V5 VuGS = 5 V0 V 5 V 5 VN 沟道结沟道结型型SGDiDSGDiDP 沟道结沟道结型型uGS /ViD /mA5 5 OIDSSUGS(off)O uDS /ViD /mA5 V5 V0 VuGS = 0 V 5 V 5 VFET 符号、特性的比较符号、特性的比较第第 5 章章三极管三极管5.5.3 场效应管

14、的主要参数场效应管的主要参数1. 开启电压开启电压 UGS( (th) )( (增强型增强型) ) 夹断电压夹断电压 UGS( (off) )( (耗尽型耗尽型) ) 指指 uDS = 某值，使漏极电流某值，使漏极电流 iD 为某一小电流时的为某一小电流时的 uGS 值。值。UGS( (th) )UGS( (off) )2. 饱和漏极电流饱和漏极电流 IDSS耗尽型场效应管，当耗尽型场效应管，当 uGS = 0 时所对应的漏极电流。时所对应的漏极电流。3. 直流输入电阻直流输入电阻 RGS指漏源间短路时，栅、源间加反向电压呈现的直指漏源间短路时，栅、源间加反向电压呈现的直流电阻。流电阻。JFE

15、T：RGS 107 MOSFET：RGS = 109 1015IDSSuGS /ViD /mAO第第 5 章章三极管三极管4. 低频跨导低频跨导 gm 常数常数 DSGSDmUuig反映了反映了uGS 对对 iD 的控制能力，的控制能力，单位单位 S( (西门子西门子) )。一般为几。一般为几毫西毫西 ( (mS) )uGS /ViD /mAQPDM = uDS iD，受温度限制。，受温度限制。5. 漏源动态电阻漏源动态电阻 rds常数常数 GSdDS dsuiur6. 最大漏极功耗最大漏极功耗 PDMO第第 5 章章三极管三极管MOSMOS管避免栅极悬空管避免栅极悬空注意注意 ：对于：对于M

16、OSMOS管，栅管，栅- -衬之间的电容容量衬之间的电容容量很小，很小，R RGSGS很大，感生电荷的高压容易使很大，感生电荷的高压容易使很薄的绝缘层击穿，造成管子的损坏。很薄的绝缘层击穿，造成管子的损坏。因此，因此，无论是工作中还是存放的无论是工作中还是存放的MOSMOS管，管，都应为栅都应为栅- -源之间提供直流通路，避免栅源之间提供直流通路，避免栅极悬空极悬空；同时，在焊接时，要将烙铁良；同时，在焊接时，要将烙铁良好接地。好接地。场效应管与晶体管的比较场效应管与晶体管的比较 场效应管的漏极场效应管的漏极d d 、栅极、栅极g g和源极和源极s s分别对应分别对应晶体管的集电极晶体管的集电

17、极c c、基极、基极b b和发射极和发射极e e，其作用类似。，其作用类似。 场效应管以栅场效应管以栅- -源电压控制漏极电流，源电压控制漏极电流，是电压是电压控制型器件，且只有多子参与导电，是单极性晶体控制型器件，且只有多子参与导电，是单极性晶体管管；三极管以基极电流控制集电极电流，是电流控；三极管以基极电流控制集电极电流，是电流控制型器件，晶体管内既有多子又有少子参与导电，制型器件，晶体管内既有多子又有少子参与导电，是双极性晶体管。是双极性晶体管。场效应管与晶体管的比较场效应管与晶体管的比较 场效应管的漏极和源极可以互换场效应管的漏极和源极可以互换，而互换后，而互换后特性变化不大；晶体管的

18、集电极和发射极互换后特性变化不大；晶体管的集电极和发射极互换后特性相差很大，只有在特殊情况下才互换使用。特性相差很大，只有在特殊情况下才互换使用。但要注意的是，场效应管的某些产品在出厂时，但要注意的是，场效应管的某些产品在出厂时，已将衬底和源极连接在一起，此时，漏极和源极已将衬底和源极连接在一起，此时，漏极和源极不可以互换使用。不可以互换使用。 场效应管的输入电阻远大于晶体管的输入电阻，场效应管的输入电阻远大于晶体管的输入电阻，其温度稳定性好、抗辐射能力强、噪声系数小。其温度稳定性好、抗辐射能力强、噪声系数小。场效应管特点场效应管特点场效应管的种类多，场效应管的种类多，栅栅- -源电压可正、可

19、负源电压可正、可负，使，使用更灵活。用更灵活。 场效应管集成工艺更简单、功耗小、工作电源场效应管集成工艺更简单、功耗小、工作电源电压范围宽电压范围宽，使之更多地应用于大规模和超大规，使之更多地应用于大规模和超大规模集成电路中。模集成电路中。 一般情况下，由晶体管构成的放大电路具有更一般情况下，由晶体管构成的放大电路具有更高的电压放大倍数和输出功率。高的电压放大倍数和输出功率。例例 题题 例例 已知各场效应管的输出特性曲线如下图所已知各场效应管的输出特性曲线如下图所示。试分析各管子的类型。示。试分析各管子的类型。 -3V vDS/V VGS=0V -1V -1V -2V 1V VGS=0V iD

20、/mA -2V iD/mA -2V -1V VGS=-4V -3V vDS/V vDS/V iD/mA (a) (b) (c) 解解: (a) iD0（或（或vDS0），则该管为），则该管为N沟道；沟道； vGS 0，故，故为为JFET（耗尽型）。（耗尽型）。 (b) iD0（或（或vDS0），则该管为），则该管为P沟道；沟道； vGS0（或（或vDS0），则该管为），则该管为N沟道；沟道； vGS可正、可负，可正、可负，故为耗尽型故为耗尽型MOS管。管。提示：提示： 场效应管工作于恒流区场效应管工作于恒流区：（：（1） N沟道增强型沟道增强型MOS管：管：VDS0, VGSVGS(th) 0

21、；P沟道反之。沟道反之。 （5） N沟道耗尽沟道耗尽型型MOS管：管： VDS0, VGS可正、可负，也可为可正、可负，也可为0；P沟道反之。沟道反之。 （3） N沟道沟道JFET： VDS0, V GS IBS，则三极管则三极管饱和。饱和。第第 5 章章三极管三极管 BBEBBBRuVi 5.3.2 交流分析交流分析一、图解分析法一、图解分析法线性线性非线性非线性线性线性输入回路输入回路( (A 左左) ) )( CEBEBCuufi ( (B 右右) )输出回路输出回路 )( BCECCiufi ( (B 左左) ) CCCCCERiVu ( (A 右右) )+RBRC+uCE+uBE +

22、VCCVBBiBiCiBiC+uBE +uCEAB第第 5 章章三极管三极管例例 5.3.3 硅管，硅管，ui = 10 sin t (mV)，RB = 176 k ， RC = 1 k ，VCC = VBB = 6 V，图解分析各电压、电流值。，图解分析各电压、电流值。 解解 令令 ui = 0，求静态电流，求静态电流 IBQA)( 30mA)(03. 01767 . 06BQ IuBE/ViB/ AO0.7 V30QuiOt tuBE/VO tiBIBQ( (交流负载线交流负载线) )uCE/ViC/mA41O53iB=10 A50304050505Q6直流负载线直流负载线Q Q 6O t

23、iCICQUCEQOt tuCE/VUcemibicuceRLL1R + iBiCRBVCCVBBRCC1ui+ + +uCE +uBE 第第 5 章章三极管三极管当当 ui = 0 uBE = UBEQ iB = IBQ iC = ICQ uCE = UCEQ 当当 ui = Uim sin t ib = Ibmsin t ic = Icmsin t uce = Ucem sin t uo = uceiB = IBQ + Ibmsin tiC = ICQ + Icmsin tuCE = UCEQ Ucem sin t = UCEQ +Ucem sin (180 t)uBE/ViB/ A0.7

24、 V30Quit tuBE/VtiBIBQ( (交流负载线交流负载线) )uCE/ViC/mA4153iB=10 A50304050605Q6直流负载线直流负载线Q Q 6tiCICQUCEQ Qt tuCE/VUcemibicuceOOOOOOiouu 第第 5 章章三极管三极管基本共发射极基本共发射极电路的波形：电路的波形： + iBiCRBVCCVBBRCC1ui+ + +uCE +uBE IBQuiOt iB OtuCEOtuoOt iC OtICQUCEQ基本放大电路的放大作用基本放大电路的放大作用第第 5 章章三极管三极管放大电路的非线性失真问题放大电路的非线性失真问题因工作点不合

25、适或者信号太大使放大电路的工作范围超因工作点不合适或者信号太大使放大电路的工作范围超出了晶体管特性曲线上的线性范围，从而引起非线性失真。出了晶体管特性曲线上的线性范围，从而引起非线性失真。1. “Q”过低引起截止失真过低引起截止失真NPN 管：管： 顶部顶部失真为截止失真。失真为截止失真。PNP 管：管： 底部底部失真为截止失真。失真为截止失真。不发生截止失真的条件：不发生截止失真的条件：IBQ Ibm 。OQibOttOuBE/ViBuBE/ViBui uCEiCict OOiCOtuCEQuce交流负载线交流负载线非线性失真非线性失真第第 5 章章三极管三极管5. “Q”过高引起饱和失真过

26、高引起饱和失真ICS集电极临界集电极临界饱和电流饱和电流NPN 管：管：底部底部失真为饱和失真。失真为饱和失真。PNP 管：管：顶部顶部失真为饱和失真。失真为饱和失真。L(SAT)CECCCSBSRUVII IBS 基极临界饱和电流。基极临界饱和电流。不接负载时，交、直流负载线重合，不接负载时，交、直流负载线重合，V CC= VCC不发生饱和失真的条件：不发生饱和失真的条件： IBQ + I bm IBSuCEiCt OOiCO tuCEQV CC第第 5 章章三极管三极管饱和失真的本质：饱和失真的本质：负载开路时：负载开路时：接负载时：接负载时：受受 RC 的限制，的限制，iB 增大增大，i

27、C 不可能超过不可能超过 VCC/RC 。受受 R L 的限制，的限制，iB 增大增大，iC 不可能超过不可能超过 V CC/R L 。C1+ RCRB+VCCC5RL+uo +iBiCVui( (R L= RC / RL) )第第 5 章章三极管三极管选择工作点的原则：选择工作点的原则：当当 ui 较小时，为减少功耗和噪声，较小时，为减少功耗和噪声，“Q” 可设可设得低一些；得低一些；为提高电压放大倍数，为提高电压放大倍数，“Q”可以设得高一些；可以设得高一些；为获得最大输出，为获得最大输出，“Q” 可设在交流负载线中点。可设在交流负载线中点。第第 5 章章三极管三极管二、小信号等效分析法二

28、、小信号等效分析法( (微变等效微变等效) )1. 晶体三极管电路小信号等效电路分析法晶体三极管电路小信号等效电路分析法三极管电路三极管电路可当成双口可当成双口网络来分析网络来分析( (1) ) 晶体三极管晶体三极管 H ( (Hybrid) )参数小信号模型参数小信号模型C CEb be be uiur从输入端口看进去，相当于电阻从输入端口看进去，相当于电阻 rberbe HiemAmV26)1(200EQBQbb IIUrT 从输出端口看进去为一个从输出端口看进去为一个受受 ib 控制的电流源控制的电流源 ic = ib ， Hfe+uce+ube ibicCBErbe Eibic ic+

29、ube +uce BCrbb 三极管基区体电阻三极管基区体电阻第第 5 章章三极管三极管( (5) ) 晶体三极管交流分析晶体三极管交流分析步骤：步骤： 分析直流电路，求出分析直流电路，求出“Q”，计算，计算 rbe。 画电路的交流通路画电路的交流通路 。 在交流通路上把三极管画成在交流通路上把三极管画成 H 参数模型。参数模型。 分析计算叠加在分析计算叠加在“Q”点上的各极交流量。点上的各极交流量。微变等效电路的画法微变等效电路的画法第第 5 章章三极管三极管例例 5.3.4 = 100，uS = 10sin t (mV)，求，求叠加在叠加在“Q” 点上的各交流量。点上的各交流量。+uo +

30、 iBiCRBVCCVBBRCRLC1C5uS+ + RS+uCE +uBE 15 V15 V510470 k 5.7 k 3.6 k 解解 令令 ui = 0，求静态电流，求静态电流 IBQ 求求“Q”，计算，计算 rbemA)( 024. 04707 . 012BQ IEQbe 26)1(200Ir ICQ = IBQ = 5.4 mAUCEQ = 15 5.4 5.7 = 5.5 (V)( 2831024. 026200 第第 5 章章三极管三极管 交流通路交流通路+uo + iBiCRBVCCVBBRCRLC1C5uS+ + RS+uCE +uBE ubeuce 小信号等效小信号等效+

31、uo + RBRLRSrbe Eibic icBCusRC+ube 分析各极交流量分析各极交流量be BSbe BSbe /)/(rRRrRuu )A( sin5 . 5be be b trui )mA( sin55. 0 b ctii oceuu (V) sin85. 0)/(LCctRRi 分析各极总电量分析各极总电量uBE = (0.7 + 0.0075sin t )ViB = (54 + 5.5sin t) AiC = ( 5.4 + 0.55sin t ) mAuCE = ( 5.5 0.85sin t ) V)mV( sin2 . 7t 第第 5 章章三极管三极管练习：判断三极管的

32、工作状态练习：判断三极管的工作状态用数字电压表测得用数字电压表测得VB =4.5 V 、VE = 3.8 V 、VC =8 V，试判，试判断三极管的工作状态，设断三极管的工作状态，设=100，求求I IE E和和V VCECE。半导体三极管的半导体三极管的测试与应用测试与应用附录附录 半导体器件的命名方式半导体器件的命名方式5.4.1 半导体三极管使用的基本知识半导体三极管使用的基本知识第第 5 章章三极管三极管5.4.1 半导体三极管使用基本知识半导体三极管使用基本知识一、外型及引脚排列一、外型及引脚排列EBCE B CEBCBEC第第 5 章章三极管三极管二、万用表检测晶体三极管的方法二、

33、万用表检测晶体三极管的方法1. 根据外观判断极性；根据外观判断极性；3. 用万用表电阻挡测量三极管的好坏，用万用表电阻挡测量三极管的好坏，PN 结正结正 偏时电阻值较小偏时电阻值较小( (几千欧以下几千欧以下) )，反偏时电阻反偏时电阻 值较大值较大( (几百千欧以上几百千欧以上) ) 。2. 插入三极管挡插入三极管挡( (hFE) )，测量，测量 值或判断管型值或判断管型 及管脚；及管脚；第第 5 章章三极管三极管指针式万用表指针式万用表在在 R 1 k 挡进行测量。挡进行测量。红红表笔是表笔是( (表内表内) )负极，负极，黑黑表笔是表笔是( (表内表内) )正极。正极。注意事项：注意事项

34、：测量时手不要接触引脚。测量时手不要接触引脚。 1kBEC 1kBEC第第 5 章章三极管三极管指针式万用表指针式万用表三步走三步走1 1、基极判别、基极判别2 2、类型判别、类型判别3 3、集电极判别、集电极判别数字万用表数字万用表注意事项：注意事项： 红红表笔是表笔是( (表内电源表内电源) )正极；正极； 黑黑表笔是表笔是( (表内电源表内电源) )负极。负极。 NPN 和和 PNP 管分别按管分别按 EBC 排列插入不同的孔。排列插入不同的孔。 需要准确需要准确测量测量 值时，应先进行校正。值时，应先进行校正。5. 插入三极管挡插入三极管挡( (hFE) )，测量，测量 值或判断管型及

35、管脚。值或判断管型及管脚。1. 可直接用电阻挡的可直接用电阻挡的 挡，分别测量挡，分别测量判断判断两个结两个结 的的好坏。好坏。第第 5 章章三极管三极管三、晶体三极管的选用三、晶体三极管的选用1. 根据电路工作要求选择高、低频管。根据电路工作要求选择高、低频管。5. 根据电路工作要求选择根据电路工作要求选择 PCM、 ICM 、 U( (BR) )CEO， 应保证：应保证： PC PCm ICM Cm U( (BR) )CEO VCC3. 一般三极管的一般三极管的 值在值在 40 100 之间为好，之间为好，9013、 9014 等低噪声、高等低噪声、高 的管子不受此限制的管子不受此限制 。4. 穿透电流穿透电流 ICEO 越小越好，硅管比锗管的小。越小越好，硅管比锗管的小。第第 5 章章三极管三极管附录：半导体器件的命名方式附录：半导体器件的命名方式第一部分第一部分数字数字电极数电极数2 二极管二极管3 三极管三极管第二部分第二部分第三部分第三部分字母字母( (汉拼汉拼) )材料和极性材料和极性A 锗材料锗材料 N 型型B 锗材料锗材料 P 型型C 硅材料硅材料 N 型型D 硅材料硅材料 P 型型A 锗材料锗