电工电子技术第14章_第1页
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文档简介

1、14.1 半导体的导电特性半导体的导电特性共价健共价健 Si Si Si Si价电子价电子 Si Si Si Si价电子价电子空穴空穴自由电子自由电子 Si Si Si Sip+多多余余电电子子磷原子磷原子 Si Si Si SiB硼原子硼原子空穴空穴PN结结 P接正、接正、N接负接负 外电场外电场PN+内电场内电场R由由于于数量很少,数量很少,形成很小的形成很小的反向电流。反向电流。IR+RPN结结PND反向击穿反向击穿电压电压U(BR)反向特性反向特性UI+阳极阳极阴极阴极+定性分析:定性分析:判断二极管的工作状态判断二极管的工作状态导通导通截止截止 若二极管是理想的,若二极管是理想的,例

2、例1:D6V12V3k BAUAB+例例2:mA43122D IBD16V12V3k AD2UAB+V sin18tui t UZIZIZM UZ IZ + UIZZ ZIUrNNPBECBECIBIEICBECIBIEICEEBRBRC 即管子各电极电压与电流的关系曲线,是管子即管子各电极电压与电流的关系曲线,是管子内部载流子运动的外部表现,反映了晶体管的性能,内部载流子运动的外部表现,反映了晶体管的性能,是分析放大电路的依据。是分析放大电路的依据。 重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线共发射极电路共发射极电路输入回路输入回路输出回路输出回路I

3、CEBmA AVUCEUBERBIBECV+IB( A)UBE(V)204060800.40.8UCE 1V常常数数 CE)(BEBUUfIOIB=020 A40 A60 A80 A100 A常常数数 B)(CECIUfI36IC(mA )1234UCE(V)912O放大区放大区 BCII_ BCII 53704051BC.II 400400605132BC .II ICBO A+EC AICEOIB=0+ICUCEICMU(BR)CEO安全工作区安全工作区O 普通晶体管:基极电流普通晶体管:基极电流I控制集电极电流控制集电极电流 IC。光电晶体管:入射光照度光电晶体管:入射光照度E控制集电极

4、电流控制集电极电流IC。有光照时,电流一般为零点几毫安到几毫安。有光照时,电流一般为零点几毫安到几毫安。EC光电开关光电开关光电耦合器光电耦合器 光电耦合器多用于电位隔离、电平匹配、抗干扰光电耦合器多用于电位隔离、电平匹配、抗干扰电路、逻辑电路、模电路、逻辑电路、模/ /数转换、长线传输、过流保数转换、长线传输、过流保护,及高压控制等方面。护,及高压控制等方面。 发光端与受光端彼此独立,完全没有电的联系。发光端与受光端彼此独立,完全没有电的联系。 光电开关多用于光电计数、报警、安全保护、光电开关多用于光电计数、报警、安全保护、无接触开关,及各种光电控制等方面。无接触开关,及各种光电控制等方面。应用举例:插卡式电源开关应用举例:插卡式电源开关7812+KA+KA房间电源房间电源 插入卡时,光线被阻断,晶体管导通,继电器动作,插入卡时,光线被阻断,晶体管导通,继电器动作,接通房

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