专业技术职务任职资格评审表教师工程实验系列

1、 专业技术职务任职资格评审表（教师、工程、实验系列）-2011版- 单 位： 微电子学院 姓 名： 宋建军 现任专业技术职务： 讲 师 申报评审任职资格： 副教授 教师类型： 教学科研型 申报类型： 正常申报_西 安 电 子 科 技 大 学2011年5月一、基本情况姓名现 名宋建军性 别男民族汉请贴1寸彩色照片曾用名-出生日期1979年08月24日出生地山西省大同市教师资格证书号码现任专业技术职务讲师任职时间2009.04岗位专业技术10级参加工作时间2009.04身体状况良好最高学历毕业时间学 校专 业/学科学 制学 位博士研究生2008.12西安电子科技大学微电子学与固体电子学三年博士现从

2、事专业（二级学科及研究方向）二级学科：微电子学与固体电子学；研究方向：高速/高性能半导体材料与器件业绩简况教学工作每年主讲 1 门本科生课程。年均教学工作量187.1学时。论文与论著第1作者：发表学术论文16篇（其中核心期刊10篇，会议论文 6 篇），SCI检索 7 篇，EI检索 6 篇。出版专著（教材）_部，个人编写_万字。科研项目主持科研 项（其中纵向 项），到校经费 万元（其中纵向 万元），不含校内科研项目。作为主要成员(排名前3)参加6项，个人可支配到校经费107万元。获奖与专利获国家 奖 等 项；获省部级 奖 等 项。（如获奖1项以上，可按此格式续添）申请国家专利（排名前3） 3 项

3、，其中授权专利（排名前3） 项。 二、个人经历2.1 工作经历工作起止时间工作单位从事何种专业技术工作职务2009.04-至今西安电子科技大学微电子学院微电子学与固体电子学2.2 教育经历(从大学填起)学习起止时间毕业院校专业学历学位1997.092001.07太原理工大学材料学本科学士2002.072005.03西安电子科技大学材料学研究生硕士2005.092008.12西安电子科技大学微电子学与固体电子学研究生博士2.3 国内培训及进修经历培训起止时间参加何种培训（进修）取得何种证书证明人2.4 国（境）外研修经历研修起止时间国家（地区）研修单位研修身份派出方式2.5国内外学术团体任职及社

4、会兼职经历（填写主要任职及兼职）起止时间学术团体名称、社会兼职单位名称职务三、个人总结（请填写任现职以来德、能、勤、绩等方面的情况，限800字）本人坚持四项基本原则，拥护改革开放，要求自己严格，团结同志，关心集体，积极参加校、院、系等各级组织的各项公益活动(如冬季长跑比赛、唱红歌比赛、学院组织的本科生创新实践等)，积极上进，工作认真负责，任劳任怨，重视专业理论知识学习，业务熟练，圆满地完成了本人所承担的各项教学、科研等工作任务。1、教学任务：主讲本科生“量子力学”课程，计193.7学时工作量。该课程内容抽象、理论性强，学生不易理解。为此，我做了充分的准备，不仅备课认真细致，还抽出时间加强对学生

5、的辅导，帮助他们消化吸收课堂内容。2、指导毕业设计：2010年和2011年共指导本科生毕业设计10人，计180.5学时。在指导本科生毕业设计过程中，严格要求自己，也严格要求学生，认真负责，圆满完成了设定课题。3、协助指导硕士生、博士生的科研课题，协助筹建学科专业实验室，积极参与筹备电力电子硕士点专业实验室的建设工作。4、参与纵向科研项目6项：(1)硅基应变集成器件应力引入方法及机理（本人排名2）；(2)硅基应变集成器件性能增强机理（本人排名2）；(3)应变Si CMOS关键技术研究（本人排名3）；(4)硅基应变器件模型与参数提取（本人排名3）；(5)高效非晶Si/SiGe薄膜太阳能关键技术研究

6、（本人排名2）；(6)基于MEMS弱电压信号的拾取电路设计技术研究（本人排名2）。5、论文情况：任职以来，共发表第一作者论文16篇，其中7篇被SCI检索，6篇被EI检索。以第一发明人身份，申请国家发明专利3项。获国家发明专利5项（排名：第四，3项；第五、第六，各1项）。四、任现职以来教学工作情况4.1 本科生课堂教学（同一课程填写一行，主讲/辅导超过一次者在班级/班次中注明次数）起止时间讲授课程名称课程性质（必、限、任）班级（班次）主讲/辅导学时备注2010.032010.06量子力学必140811主讲462010.092011.01量子力学必140911/140912主讲462010.092

7、011.01量子力学必140991主讲46审核意见审核人签名： 年 月 日4.2 本科生实践教学（指导毕业设计等）起止时间实践教学内容班级人数教学工作量（学时）备注2010.012010.06本科生毕业设计140622347.52011.012011.06本科生毕业设计140710/140721/1407227133审核意见审核人签名： 年 月 日4.3 研究生课堂教学（同一课程填写一行，主讲/辅导超过一次在班级/班次中注明次数）起止时间讲授课程名称课程性质（学位、选修）班级/班次主讲/辅导学时备注审核意见审核人签名： 年 月 日4.4 指导研究生情况起止时间指导研究生类型及班级指导人数教学工

8、作量（学时）备注审核意见审核人签名： 年 月 日4.5 任现职以来年均教学工作量总教学工作量374.2任职年限2年均教学工作量187.1核算人签名： 年 月 日4.6 公开出版教材情况教材名称出版单位出版时间性质（统编、出版、讲义）本人编写字数总字数印数审核意见审核人签名： 年 月 日4.7 公开发表教学改革论文情况题 目发表刊物（或会议交流）发表时间获奖情况审核意见审核人签名： 年 月 日4.8 教学获奖情况获奖项目获奖级别与等级获奖时间本人作用、排名审核意见审核人签名： 年 月 日4.9 指导青年教师及进修人员情况（限200字）4.10 对教研室、实验室建设的贡献（限200字）本人积极参与

9、筹备专业实验室的建设工作，协助制定了电力电子硕士研究生的专业实验计划、实验内容及实验方案。协助指导课题组硕士生、博士生的课题，为教研室、实验室的建设作出了贡献。4.11 教学情况审核意见学院审核意见签名：_ 年 月 日教务处审核意见签名：_ 年 月 日研究生院审核意见签名：_ 年 月 日五、任现职以来承担科研任务情况5.1 纵向科研任务 主持纵向科研项目序号项目名称及校内编号项 目来 源起止时间总经费到校经费完 成 情 况总人数经 费 小 计- 参加纵向科研项目序号项目名称及校内编号项 目来 源起止时间总经费到校经费个人支配经费完成情况排名/总人数课题组长签名1国家部委178.5万149万40

10、万在研2/82国家部委110.5万98.25万30万在研2/83国家部委2006.12010.12300万300万30万结题3/64国家部委76.5万20.5万4.0万在研3/85高效非晶Si/SiGe薄膜太阳能关键技术研究（2010.12012.124.0万4.0万2.0万在研2/66ZZ0303072517国家部委5.32万4.32万1.0万结题2/5经 费 小 计674.82万576.07万107万-审核意见审核人签名： 年 月 日5.2 横向科研任务 主持横向科研项目序号项目名称及校内编号委托方起止时间总经费到校经费完 成 情 况总人数经 费 小 计- 参加横向科研项目序号项目名称及校

11、内编号委托方起止时间总经费到校经费个人支配经费完成情况排名/总人数课题组长签名经 费 小 计-审核意见审核人签名： 年 月 日5.3 校内科研项目(包括校基本业务科研经费、各类校内基金项目等)5.3.1 主持校内科研项目序号项目名称及校内编号项 目来 源起止时间总经费到校经费完 成 情 况总人数16.0万6.0万在研4经 费 小 计6.0万6.0万- 参加校内科研项目序号项目名称及校内编号项 目来 源起止时间总经费到校经费个人支配经费完成情况排名/总人数课题组长签名1应变MOS器件可靠性研究6.0万6.0万3.0万在研2/4经 费 小 计6.0万6.0万3.0万-审核意见审核人签名： 年 月

12、日5.4 发表学术论文情况（按国际刊物、国内刊物、会议论文依次填写） 国际刊物序号论文题目发表刊物或收入会议录名称发表年月及卷期号排名/作者人数SCI/EI/ISTP检索号码123Intrinsic carrier concentration in strained Si1-xGex/(101)Si MaterialsModel of DOS near the Top of Valence Band in Strained Si1-xGex/(001)SiElectron Mobility Model for Strained-Si/(001)Si1-xGexMaterials Science

13、 ForumApplied Mechanics and MaterialsMaterials Science Forum2011, Vols. 663-665 pp 470-4722011, Vols. 55-57 pp 979-9822011, Vols. 663-665 pp 477-4801/51/53/5EI:EI检索源期刊EI: 国内刊物序号论文题目发表刊物或收入会议录名称发表年月及卷期号排名/作者人数SCI/EI/ISTP检索号码45678910111213141516171819Calculation of band structure in (101) biaxially st

14、rained SiValence band structure of strained Si/(111) Si1-xGex应变Si/(001)Si1-xGex空穴有效质量各向异性应变Si1-xGex能带结构研究应变Si/(001)Si1-xGex本征载流子浓度模型应变Si1-xGex/(111)Si空穴有效质量模型不同晶系应变Si状态密度研究Calculation of band edge levels of strained Si/(111)Si1-xGex应变Si沟道nMOSFET阈值电压模型含有本征SiGe层的SiGe HBT集电结耗尽层宽度模型Hole effective mass i

15、n strained Si (111)漏致势垒降低效应对短沟道应变硅MOSFET阈值电压的影响(001)面任意方向单轴应变硅材料能带结构Impact of 110/(001) uniaxial stress on the valence band structure and effective mass of silicon应变Si PMOSFET电流特性研究GaN基MFS结构C-V特性研究Science In China(G)Science In China(G)物理学报物理学报物理学报物理学报物理学报Chinese Journal of Semiconductors物理学报物理学报Scie

16、nce In China(G)物理学报物理学报Chinese Journal of Semiconductors电子器件电子器件2009,52(4): 5465502010,53(3): 4544572009年58卷第7期2009年58卷第11期2010年59卷第3期2010年59卷第1期2011年60卷第4期2010, 31(1): 012001-32009年58卷第7期2011年60卷第1期2011, 54(2): 4504522011年60卷第2期2011年60卷第2期2011年32卷第2期2010,33(4):4384412010, 33(6): 6846861/51/51/51/51

17、/51/51/51/55/54/73/54/53/53/54/65/5SCI:000264844400008;EI:20091612032639SCI:000276661700015;EI:SCI:000268263700091SCI:000271835200087SCI:000276004500100SCI:000274219100093SCI:000289863100092EI:SCI:000268263700089SCI:000287419100092SCI:000289006600012EI:SCI:000287947000082SCI:000287947000081EI: 国际会议序

18、号论文题目发表刊物或收入会议录名称发表年月及卷期号排名/作者人数SCI/EI/ISTP检索号码202122232425Study on Hole Effective Mass of Strained Si1-xGex/(101) SiModel of hole scattering of strained Si (101)Model of electron scattering of strained Si/Si1-xGex(100)Experimental study on penetration depth of Raman spectroscopy in strained SiThe c

19、alculation of Electron Mobility for Strained-Si (101)Analytical Model for Hole Mobility in (001)-biaxially Strained SiIEEE International Conference on Electron Devices and Solid StateIEEE ICISEIEEE ICPSTIEEE International Asia Conference on Optical Instrument and MeasurementIEEE ICCCIIEEE ICEICE2009

20、年12月252010年12月2010年12月2010年11月2010年12月2011年4月1/51/41/51/71/41/4EI:EI:EI检索源会议EI检索源会议EI检索源会议EI检索源会议审核意见审核人签名： 年 月 日5.5 出版学术著作情况（不含教材）书 名出版单位出版时间总字数本人编写字数印数获奖情况审核意见审核人签名： 年 月 日5.6 科研获奖情况序号项目名称获奖时间获奖名称及等级本人排名/证书编号审核意见审核人签名： 年 月 日5.7 专利情况序号专利名称类型(发明/实用新型/外观设计)授权/申请时间专利授权/申请号所有发明人姓名（按排序）12345678一种垂直交叉堆叠栅应

21、变SiGeC量子阱沟道CMOS器件结构多晶Si1-xGex/金属并列覆盖双栅SSGOI nMOSFET器件结构异质金属堆叠栅SSGOI pMOSFET器件结构三维量子阱CMOS集成集成器件及其制作方法发明发明发明发明发明发明发明发明2011年2011年2011年2009年2009年2009年2009年2009年专利申请号：201110126735.5专利申请号：201110134448.9专利申请号：201110141775.7专利授权号：ZL2008101509367专利授权号：ZL2008101509348专利授权号：ZL2008101509329专利授权号：ZL2008102324476专利授权号：ZL2008101509297胡辉勇、张鹤鸣、宣荣喜、戴显英、宋建军、舒斌、赵丽霞审核意见审核人签名： 年 月 日5.8 科研情况审核意见学院审核意见签名：_年 月 日科研处审核意见签名：_年 月 日六、本次上报的代表作第一篇题目：Valence band structure of strained Si/(111)Si1-xGex第二篇题目：应变Si/(001)Si1-xGex本征载流子浓度模型第三篇题目：Study on Hole Ef