WI-PD-002扩晶作业指导书B1

1、文件目录（CONTENTS）:1 .目的4.定义7.流程图2 .范围5.作业程序3 .责任6.相关义件版数页次变更内容摘要修订者生效日期A.06新增冯田2013/8/12B.06完善义件内容张永明2017/3/1B.19完善作业程序内容黄增富2019/1/2.LTD文件编号：WI-PD-002版次：页次：B.11 of 9宏齐光电子（深圳）有限公司HARVATEK OPTELECTRONICS（SHENZHEN）CO扩晶作业指导书核准：审核：制（修）订：黄增富扩晶作业指导书.LTD文件编号：WI-PD-002版次：B.1页次：2 of 9宏齐光电子（深圳）有限公司HARVATEK OPTELE

2、CTRONICS（SHENZHEN）CO1 .目的指导员工正确操作，提高工作效率，提高产品品质，规范生产管理。2 .范围适用于固晶站扩晶生产说明。3 .责任3.1 扩品站作业员：3.1.1 在作业过程遵守本单位的安全生产规章制度和操作规程，服从管理。3.1.2 接受安全生产教育和培训，掌握本职工作所需要的生产知识。3.1.3 发现产品批量问题隐患或者其他不良因素，应当及时向所在领班或者组长报告。3.1.4 正确使用和佩戴生产防护和辅助工具。3.2 质检员（QC）:3.2.1 负责首检和过程抽检，制程不良品区分标识和统计。3.2.2 负责巡检，对整个生产过程物料使用、操作、设备运行、环境（温湿度

3、、防静电性 能等）定时检查。4 .定义扩晶：采用扩晶机将整张LED晶片薄膜均匀扩张，使附着在薄膜表面紧密排列的LED晶粒拉 开，便于周晶机台抓取晶片。5 .作业程序5.1 设备开启，气路电路活动机构复位 OK。X 管制文件禁止翻印 XFM-DCC-019 A.0宏齐光电子(深圳)有限公司HARVATEK OPTELECTRONICS(SHENZHEN)CO .LTD扩晶作业指导书文件编号：WI-PD-002版次：页次：B.13 of 95.2扩晶作业作业顺序HtF作业过程描述注思事项将每张晶片数量登记在 晶片报表上，并用记号笔 在白色标签纸写上机台 号跟工单号。确认晶片型号与派工单 要求是否相

4、符。按下红色电源开关按钮 和绿色温控开关按钮，开 启扩晶机。此时这两个开关凫红 灯。检查温控器设置是否正 确，实际温度升温至设定 温度后方可作业。温控温度范围：40 c-60 C。将内环套扣在底盘上，边 缘圆角朝上，方向不得放 反。将标签上方以下1/3处对 折。打开离子风扇（常开状放晶片的地方。蓝膜准备揭下晶片标签。机台准备态）,确认出风方向对着扩晶作业指导书,LTD文件编号：WI-PD-002版次：B.1页次：4 of 9宏齐光电子（深圳）有限公司HARVATEK OPTELECTRONICS（SHENZHEN）CO揭除标签过程不得撕开 蓝膜。扩晶作业指导书,LTD文件编号：WI-PD-00

5、2版次：B.1页次：5 of 9宏齐光电子(深圳)有限公司HARVATEK OPTELECTRONICS(SHENZHEN)CO蓝膜准备1 hJ 久 1X对折后，粘贴于左手，注 意不要掉落。在离子风扇前缓慢匀速 撕掉晶片上黄纸。撕除过程中蓝膜/、可褶 皱,晶片不口触碰手部、 衣服等将撕卜带后晶片的蓝膜 平铺在底盘及内环上，注 意晶片朝上；且晶片区不 可过于偏离底盘中心。晶片中心对准扩晶底座 上的圆心。1.r w>Ik胪 r放卜盍板，并扳卜同定销 锁紧盖板。扩晶机操作1*q左右手指同时按下“左按 连锁+右按上升”按钮， 使底盘上升，晶片监膜开 始扩张。备 %,B VI-|M«G宏

6、齐光电子(深圳)有限公司HARVATEK OPTELECTRONICS(SHENZHEN)CO扩晶作业指导书,LTD文件编号：WI-PD-002版次：B.1页次：6 of 9扩晶标准参考5.3项套上外环，边缘圆角朝 下，方向不得放反。扩晶机操作左右手指同时按下“左按 连锁+右按下压”按钮， 使顶盘下降扣合，内外环 完成扣合后松开手，顶盘 会自动归位。左右手指同时按下“左按 连锁+右按下降”按钮， 使底盘下降到最低位。右手扳开固盖板定销，左 手提盖板。晶片蓝膜根据扩张后外 围晶粒的宽度来确定是 否高度OK。|M«G扩晶作业指导书文件编号：WI-PD-002版次：页次：宏齐光电子（深圳）

7、有限公司HARVATEK OPTELECTRONICS（SHENZHEN）CO,LTDB.17 of 9将标签粘贴在晶片蓝膜 的一侧，标签距离外围晶 粒至少10mm,靠近晶粒 的一侧不可翘起。标签粘贴方向根据产 品工艺指小单确定， 上机后参考周晶作业 指导书调整方向。完成扩晶向边框背部顺时针卷好 蓝膜边沿，蓝膜不可以松 脱。操作过程注意手指不要 触屏晶片表面。晶片表面朝下，放置于黄 纸上，扩晶完成。黄纸光滑面（和晶片接 触的面）朝上。宏齐光电子(深圳)有限公司HARVATEK OPTELECTRONICS(SHENZHEN)CO扩晶作业指导书.LTD文件编号：WI-PD-002版次：B.1页次：8 of 95.3扩品大小说明:晶片数量图示扩品后要求注思事项020K/张C2L!£J 111 百两个边角满足距离内框 直径的1/5-1/4。其他边角满足内框直 径 1/4。/、可破膜>20K/张；7：三个边角满足距离内框 直径的1/5-1/4。其他边角满足内框直 径 1/4。大圆片(-I.1H B.加前而而HI -l *L&m - q，- - r- ->)外围晶粒满足距离内框 直径的1/6-1/5。FM-EN-003WI-PD-0036 .相关文件：6.1 生产工艺指示单6.2 周晶作业指导书宏齐光电子(深圳)有限公司HARVATEK