CD4011电气参数

1、cADPR)印G典廉NAADP， iUward e: al3CD4011电气参数VDDVss%显元J 十 A B逻修T-玄电平 逻笹P' 一休电平图2 CD4011内部保护网络IA C IB : IY C 2Y匸 2A 2B vss匚123456789121314v切4B4AJ 4Y3Y3B:3AfzdCU10图4逻辑图图3引脚图逻辑表达式:Y = A. B真值表A二Y.BXYQ动 作009禁 止011设 定100重 置11不 变无(1) 当X=0、Y二0时，将使两个AND门之输出均为1,违反触发器之功用， 故禁止使用。如真值表第一列。(2) 当X=0、Y二1时，山于X二1导致NAND

2、-A的输出为"1",使得AND-B的 两个输入均为” 1”，因此XAND-B的输岀为” 0”，如真值表笫二列。(3) 当X=l、Y二0时，山于Y二0导致NAND-B的输岀为” 1",使得NAND-1的 两个输入均为” 1，因此AND-A的输出为” 0”，如真值表第三列。当X二1、Y二1时，因为一个” 1不影响NAND门的输出，所以两个NAND 门的输出均不改变状态，如真值表第四列。注：山于资料来源有限，请自行对应逻辑符号。管脚功能：1A数据输入端2A数据输入端3A数据输入端4A数据输入端1B数据输入端2B数据输入端3B数据输入端4B数据输入端1Y数据输出端2Y数据

3、输出端3Y数据输出端4Y数据输出端VDD电源正VSS地VDD 电压范围：一0. 5V to 18V功耗：双列普通封装700mW小型封装500mW工作温度范围:CD4011BM -55°C 一 +125°C CD4011BC -40°C 一 +85°C直流电气特性：Symbo1符号Parameter 参数Conditions测藏条件型大位tPHLPropagation Delay Time, High-to-Low Level传播延迟时间,从 高到低VDD _ 5VVDD - 10VVDD - 15V2050355010070stPLHPropagatio

4、n Delay Time,Low-to-High Level传播延迟时间,从 低到高VDD _ 5VVDD - 10VVDD - 15V1050355010070stTHL, tTLHTransition Time 过渡期VDD _ 5VVDD - 10VVDD - 15V050400010080sCINAverage Input Capacitance 平均 输入电容Any Input.5FCPDPower Dissipation Capacity 功耗 电容Any Gate4F交流电气特性:Sy mbol 符号Param eter参数Conditions 测试条件-55 °C+2

5、5 °C+125°C位小最最'、小最典 型最 大小最1 丄 大IDDQuiesc ent Device Current 静 态电流VDD二5V, VIN二 VDD or VSS VDD=10V, VIN=VDD or VSS0.25 0. 501.00.0040. 0050. 0060.25 0. 501.071530A633分别”亿反初XAD川XADP介虞坏讯仆 乂酸样2 cADPR 印：40#空岭：代什峽山我 XAADP <iUward e: alVDD二15V, VIN=VDD or VSSVOLLowLevel Output Voltage 输岀低电

6、平电压DD5VDD10VDD15V1 I0K1 u A0.05 0. 05 0. 050.050. 050. 050.050. 050. 05VO HHigh Level Output Voltage 输出高电 平电压DD5VDD10VDD15V1IO1<1 u A4959. 9514. 954.959.9514. 95510154.95 9. 9514.95VILLow Level InputVoltage 输 入低电平电 压VDD 二 5V, VO 二 4. 5VVDD 二 10V,VO 二 9. OVVDD 二 15V, VO 二 13. 5V1 .5 3.0 4.01 53.04

7、.01.53.04.0VIHHigh Level InputVoltage 输 入高电平电 压VDD 二 5V, VO 二 0. 5VVDD 二 10V, VO 二 1. OVVDD 二 15V, VO 二 1. 5V357.011.0357.0 11.03.57.011.0IOLLow Level Output Current 输 出低电平电VDD 二 5V, VO 二 0. 4VVDD 二 10V, VO 二 0. 5VVDD - 15V, VO 二 1.5V0.640.510.880.36A16132.250.9423.4& 82.4IOHHighLevel Output Current 输VDD 二 5V, VO 二 4. 6VVDD 二 10V,VO =9. 5V-o .64-o 51-o.88-o.36AT_1_2.-o.出高电平电VDD二 15V, V0-13.