工艺技术_双极型晶体管知识讲座

封面 双极型晶体管 BJT 返回 贵州 兴义 马岭河大峡谷 引言 双极型半导体三极管 亦称为晶体管 一般有三个电极 即三个引出脚 按工作性质亦分为高 低频晶体三极管 大功率 中功率和小功率晶体三极管 用作信号放大用的三极管和用做开关的三极管 按材料分有锗半导体三极管和硅半导体三极管 由于硅三极管工作稳定性较好 所以现在大部分三极管都是用硅材料做的 下面是一些三极管的外型 大功率低频三极管 中功率低频三极管 小功率高频三极管 返回 学习要点 本节学习要点和要求 双极型晶体管 半导体三极管的结构 晶体三极管常用参数的意义 晶体三极管的放大原理 共射电路输入特性曲线的意义 共射电路输出特性曲线的意义 返回 半导体三极管特性主页 使用说明 要学习哪部分内容 只需把鼠标移到相应的目录上单击鼠标左键即可 按空格键或鼠标左键将按目录顺序学习 一 晶体管结构简介 二 晶体管的电流分配和放大作用 三 晶体管的特性曲线 结束 四 BJT 的主要参数 黄山 百步云梯 双极型晶体管主页 返回 晶体管的特性一 晶体管结构简介1 晶体管的两种结构 一 晶体管结构简介 1 晶体管一般由NPN和PNP两种结构组成 双极型晶体管 BJT 继续 2 晶体管的三个区 一 晶体管结构简介 继续 2 晶体管有三个区 N集电区 N P基区 e发射极 b基极 c集电极 发射区 管芯结构剖面图 基区 P 很薄 空穴浓度较小 引出基极b 发射区 N 与基区的接触面较小 引出发射极e 集电区 N 与基区的接触面较大 引出集电极c 1 晶体管一般由NPN和PNP两种结构组成 以NPN型晶体管为例 双极型晶体管 BJT 发射极的电路符号 继续 一 晶体管结构简介 基区 P 很薄 空穴浓度较小 引出基极b 发射区 N 与基区的接触面较小 引出发射极e 集电区 N 与基区的接触面较大 引出集电极c 1 晶体管一般由NPN和PNP两种结构组成 PNP型 NPN型 半导体三极管电路符号 2 晶体管有三个区 双极型晶体管 BJT 双极型晶体管 BJT 3 晶体管的两个PN结 一 晶体管结构简介 1 晶体管一般由NPN和PNP两种结构组成 继续 本页完 PNP型 NPN型 半导体三极管电路符号 NPN与PNP管具有几乎等同的特性 只不过各电极端的电压极性和电流流向不同而已 2 晶体管有三个区 很显然 三极管有两个PN结 发射区与基区间的称为发射结 集电区与基区间的叫集电结 继续 返回 双极型晶体管 BJT 二 晶体管的电流分配和放大作用1 晶体管正常工作时各极电压的连接及作用 1 晶体管各PN结电压连接的一般特性 继续 顾名思义 发射区的作用是发射电子 集电区的作用是收集电子 下面以NPN型三极管为例分析载流子 即电子和空穴 在晶体管内部的传输情况 二 晶体管的电流分配与放大作用 发射结 集电结 发射极 集电极 基极 发射结必须处于正向偏置 目的削弱发射结 集电结必须处于反向偏置 目的增强集电结 VEE VCC ICN 连接BJT各极间电压的一般特性 晶体管的电流分配 晶体管的放大作用 双极型晶体管 BJT 动画演示 继续 VEE VCC ICN 发射结必须处于正向偏置 目的削弱发射结 集电结必须处于反向偏置 目的增强集电结 二 晶体管的电流分配与放大作用 分析集射结电场方向知 反向偏置有利于收集在基区的电子 单击此框运行三极管载流子分配动画演示 1 晶体管各PN结电压连接的一般特性 发射结变薄有利于发射区的电子向基区扩散 连接BJT各极间电压的一般特性 晶体管的电流分配 晶体管的放大作用 双极型晶体管 BJT 二 晶体管的电流分配与放大作用 2 晶体管的电流分配发射极电流的组成 2 晶体管的电流分配 发射极电流IE 主要由发射区的电子扩散 IEN 而成 亦有极少数的由基区向发射区扩散的空穴电流 IEP 继续 IE IEN IEP IEN VEE VCC ICN 注意电流方向 电流方向与电子移动方向相反 与空穴移动方向相同 单击此框运行三极管载流子分配动画演示 1 晶体管各PN结电压连接的一般特性 晶体管的电流分配 晶体管的放大作用 双极型晶体管 BJT 二 晶体管的电流分配与放大作用 基极电流的形成 继续 本页完 基极电流IB 基极电流主要由基区的空穴与从发射区扩散过来的电子复合而成 同时电源VEE又不断地从基区中把电子拉走 维持基区有一定数量的空穴 VEE VCC ICN 单击此框运行三极管载流子分配动画演示 2 晶体管的电流分配 1 晶体管各PN结电压连接的一般特性 由于基区有少量空穴 所以从发射区扩散过来的电子在基区会被复合掉一些 形成基极电流 晶体管的电流分配 晶体管的放大作用 双极型晶体管 BJT 集极电流的形成 二 晶体管的电流分配与放大作用 继续 本页完 集电极电流IC 集电极电流主要由集电结收集从发射区扩散至基区的电子而成 ICN 亦有由于基区和集电区的少子漂移作用而产生的很小的反向饱和电流ICBO VEE VCC IC ICN ICBO ICN ICN 由于基区空穴的复合作用 集电区收集的电子数会比发射区扩散的电子数要小一些 即集电极电流IC比发射极电流IE要小一些 单击此框运行三极管载流子分配动画演示 2 晶体管的电流分配 1 晶体管各PN结电压连接的一般特性 晶体管的电流分配 晶体管的放大作用 双极型晶体管 BJT 二 晶体管的电流分配与放大作用 IE IB IC 继续 本页完 由电路分析的内容可知 三个电极之间的电流关系为 VEE VCC IE IB IC Rb VEE VCC RL IB 发射极与基极之间为正向偏置 IE IB IC 集电极与基极之间为反向偏置 IC 2 晶体管的电流分配 1 晶体管各PN结电压连接的一般特性 三极管的三个极不管如何连接 这个关系是不会改变的 以后画电路时三极管就不再使用结构图而用电路符号图了 晶体管的电流分配 晶体管的放大作用 双极型晶体管 BJT 二 晶体管的电流分配与放大作用 系数的意义 继续 本页完 为了表示集电极收集发射区发射电子的能力 通常使用一个常数hfb 表示 VEE VCC hfb iC iE 2 晶体管的电流分配 1 晶体管各PN结电压连接的一般特性 iC和iE是表示通过三极管集电极和发射极电流的瞬时值 晶体管的电流分配 晶体管的放大作用 双极型晶体管 BJT 系数的意义 继续 本页完 为了表示集电极电流是基极电流的倍数 通常使用一个常数hfe 表示 VEE VCC hfe iC iB hfe 称为共发射极交流电流放大系数 二 晶体管的电流分配与放大作用 2 晶体管的电流分配 1 晶体管各PN结电压连接的一般特性 晶体管的电流分配 晶体管的放大作用 双极型晶体管 BJT 与 之间的关系 继续 本页完 hfb 与hfe 之间的关系 VEE VCC 二 晶体管的电流分配与放大作用 联立下面三式可求出此关系式 iC iBiC iEiE iC iB请同学们自己推导 2 晶体管的电流分配 1 晶体管各PN结电压连接的一般特性 晶体管的电流分配 晶体管的放大作用 双极型晶体管 BJT 3 放大作用 继续 本页完 二 晶体管的电流分配与放大作用 3 放大作用 共射基本放大电路的组成演示 三极管的放大作用实际上是使微小的信号 如微小变化的电压 微小变化的电流 转换成较大变化的信号 要使三极管有放大作用 必须与一些阻容元件按一定的方式连接成电路 称为放大电路 最基本的放大电路是共射极放大电路 2 晶体管的电流分配 1 晶体管各PN结电压连接的一般特性 晶体管的放大作用 双极型晶体管 BJT 1 共射电路的组成 继续 本页完 vi VBB VCC RL1K c e b 输入与输出回路共用发射极 所以称为共发射极放大电路 二 晶体管的电流分配与放大作用 49 共射基本放大电路的组成演示 基极与发射极间组成输入回路 3 放大作用 1 共射极放大电路 集电极与发射极间组成输出回路 晶体管共射极放大电路的组成 共射极电路的电压放大原理 三极管的放大作用实际上是使微小的信号 如微小变化的电压 微小变化的电流 转换成较大变化的信号 要使三极管有放大作用 必须与一些阻容元件按一定的方式连接成电路 称为放大电路 最基本的放大电路是共射极放大电路 双极型晶体管 BJT 二 晶体管的电流分配与放大作用 三个交变电流 3 放大作用 继续 本页完 1 共射极放大电路 vi VBB VCC iB IB iB iC IC iC vO iE IE iE c e b RL1K 49 共射极电路的电压放大原理 2 共射电路的电压放大 输出电路同时产生一个变化的电流 输入信号电压在输入回路上产生一个变化的电流 三极管的放大作用实际上是使微小的信号 如微小变化的电压 微小变化的电流 转换成较大变化的信号 要使三极管有放大作用 必须与一些阻容元件按一定的方式连接成电路 称为放大电路 最基本的放大电路是共射极放大电路 变化的电流在负载电阻上产生一个变化电压 三极管的放大作用实际上是使微小的信号 如微小变化的电压 微小变化的电流 转换成较大变化的信号 要使三极管有放大作用 必须与一些阻容元件按一定的方式连接成电路 称为放大电路 最基本的放大电路是共射极放大电路 双极型晶体管 BJT 二 晶体管的电流分配与放大作用 3 放大作用 1 共射极放大电路 2 放大作用 继续 本页完 这个放大电路的电压放大倍数为 vi VBB VCC iB IB iB iC IC iC vO iE IE iE c e b 2 共射电路的电压放大 49 RL1K 设输入信号电压变化 vi 20mV 产生基极电流的变化量为 iB 20 A 输出电流变化量为 iC iB 49 20 A 980 A 0 98mA 变化的电流在负载电阻上产生的电压变化量为 vO iCRL 0 98mA 1k 0 98V 继续 返回 共射极电路的电压放大原理 AV vo vi 0 98V 20mV 49 三 晶体管的特性曲线1 共射极电路的特性曲线 输入特性曲线就是研究三极管be之间输入电流IB随输入电压VBE的变化规律 三 晶体管的特性曲线 1 共射电路的特性曲线 继续 1 输入特性 VBB VCC IB IC IE c e b 三极管由于有三个极 放大电路由两个回路组成 所以其特性曲线有两组 一组为输入特性曲线 另一组为输出特性曲线 VCE VBE 共射电路输入特性曲线 共射电路输出特性曲线 双极型晶体管 BJT 1 输入特性曲线 输入特性的意义 输入特性曲线就是研究三极管be之间输入电流IB随输入电压VBE的变化规律 三 晶体管的特性曲线 1 输入特性 VBB VCC c e b 输入特性曲线的作法 VCE 常数 继续 VBE V IB A IB f VBE 此式的意义是 令三极管ce间电压VCE保持不变 研究be间电流IBE随电压VBE的变化规律 1 共射电路的特性曲线 共射电路输入特性曲线 共射电路输出特性曲线 双极型晶体管 BJT IB IC IE VCE VBE 0 三 晶体管的特性曲线 1 输入特性 1 输入特性曲线 vCE 0V时 先令VCC 0即VCE 0 VBB VCC c e b 继续 令VBB从0开始增加即VBE从0开始增加 VCE 0V 1 共射电路的特性曲线 共射电路输入特性曲线 共射电路输出特性曲线 双极型晶体管 BJT IB IC IE VBE V IB A 0 VCE VBE 输入特性曲线的作法 VCE 常数 IB f VBE 此式的意义是 令三极管ce间电压VCE保持不变 研究be间电流IBE随电压VBE的变化规律 VCE 0V时的输入特性曲线 三 晶体管的特性曲线 1 输入特性 1 输入特性曲线 vCE 0 5V时 然后增大VCC使VCE 0 5V VBB VCC c e b 继续 再令VBB从0开始增加即VBE从0开始增加 VCE 0V 0 5V VCE 0 5V 1 共射电路的特性曲线 共射电路输入特性曲线 共射电路输出特性曲线 双极型晶体管 BJT IB IC IE VBE V IB A 0 VCE VBE 输入特性曲线的作法 VCE 常数 IB f VBE 此式的意义是 令三极管ce间电压VCE保持不变 研究be间电流IBE随电压VBE的变化规律 VCE 0V时的输入特性曲线 VCE 0 5V时的输入特性曲线 三 晶体管的特性曲线 1 输入特性 1 输入特性曲线 vCE 1V时 继续增大VCC使VCE 1V VBB VCC c e b 继续 再令VBB从0开始增加即VBE从0开始增加 VCE 0V 1V VCE 0 5V VCE 1V 1 共射电路的特性曲线 共射电路输入特性曲线 共射电路输出特性曲线 双极型晶体管 BJT IB IC IE VBE V IB A 0 VCE VBE 输入特性曲线的作法 VCE 常数 IB f VBE 此式的意义是 令三极管ce间电压VCE保持不变 研究be间电流IBE随电压VBE的变化规律 VCE 1V时的输入特性曲线 三 晶体管的特性曲线 1 输入特性 1 输入特性曲线 vCE 1V时 VBB VCC c e b 继续 本页完 VCE 0V 1V VCE 0 5V VCE 1V 1 共射电路的特性曲线 共射电路输入特性曲线 共射电路输出特性曲线 双极型晶体管 BJT IB IC IE VBE V IB A 0 VCE VBE 输入特性曲线的作法 VCE 常数 IB f VBE 此式的意义是 令三极管ce间电压VCE保持不变 研究be间电流IBE随电压VBE的变化规律 当VCE超过1V后输入特性曲线基本与VCE 1V的曲线重合 三 晶体管的特性曲线 1 输入特性 1 输入特性曲线综述 VBB VCC c e b 继续 本页完 1V VCE 1V 1 共射电路的特性曲线 共射电路输入特性曲线 共射电路输出特性曲线 双极型晶体管 BJT IB IC IE VBE V IB A 0 VCE VBE 输入特性曲线的作法 VCE 常数 IB f VBE 此式的意义是 令三极管ce间电压VCE保持不变 研究be间电流IBE随电压VBE的变化规律 三极管正常使用时VCE一般都超过1V 所以三极管的输入特性曲线一般只画出这一根曲线 三 晶体管的特性曲线 1 输入特性 2 输出特性曲线输出特性曲线的意义 画法动画显示 2 输出特性 VBB VCC c e b 输出特性曲线的作法 IB 常数 继续 本页完 输出特性曲线就是研究三极管ce之间集电极电流IC随ce间电压VCE的变化规律 此式的意义是 令三极管be间电流IB保持不变 研究ce间电流IC随电压VCE的变化规律 IC f VCE 共射电路输出特性曲线作法演示 1 共射电路的特性曲线 共射电路输出特性曲线 双极型晶体管 BJT IB IC IE VCE VBE 三 晶体管的特性曲线 1 输入特性 2 输出特性 绘输出特性曲线的过程 继续 本页完 O 先把IB调至某一固定值并保持不变 然后再调节电源电压使VCE改变 观察IC的变化 记录下来 某一固定IB时的输出曲线 共射电路输出特性曲线作法演示 1 共射电路的特性曲线 共射电路输出特性曲线 双极型晶体管 BJT 根据记录可绘出IC随VE变化的伏安特性曲线 此曲线称为输出特性曲线 三 晶体管的特性曲线 1 输入特性 2 输出特性 绘输出特性曲线的过程 继续 本页完 O 再把IB调至稍小的另一固定值IB1并保持不变 仍旧调节电源电压使VCE改变 观察IC的变化 记录下来 IB1 IB2 共射电路输出特性曲线作法演示 重复此过程可绘出一组输出特性曲线 1 共射电路的特性曲线 共射电路输出特性曲线 双极型晶体管 BJT 根据记录可绘出IC随VCE变化的另一根输出特性曲线 某一固定IB时的输出曲线 三 晶体管的特性曲线 1 输入特性 2 输出特性 输出特性曲线的特点 某一固定IB时的输出曲线 IB1 继续 本页完 O IB2 共射电路输出特性曲线作法演示 VCEQ Q ICQ IBQ 1 共射电路的特性曲线 共射电路输出特性曲线 双极型晶体管 BJT 刚开始时 每一根输出特性曲线都很陡 表明IC随VCE的增大而急剧增大 当VCE增至一定数值时 一般小于1V 输出特性曲线变得较为平坦段 表明IC基本不随VCE而变化 输出特性曲线是由一簇间隔基本均匀 比较平坦的平行直线组成的 每一根曲线上的一点都对应一组IBE VCE和IC 双极型晶体管 BJT 三 晶体管的特性曲线 1 输入特性 2 输出特性 利用输出特性曲线求电流放大倍数 继续 本页完 取任意两条曲线的平坦段 读出其基极电流之差 hfe IC IB iC iB IB IB1 IB2 IC IC1 IC2 共射电路输出特性曲线作法演示 从输出特性曲线可以求出三极管的交流电流放大系数hfe 即输出电流的变化 IC量是输入电流变化量 IB的多少倍 下面介绍求 的方法 1 共射电路的特性曲线 共射电路输出特性曲线 继续 返回 再读出这两条曲线对应的集电极电流之差 四 半导体三极管 BJT 的主要参数1 与 四 半导体三极管的主要参数 1 电流放大系数hfe 和hfb 继续 本页完 VEE VCC 直流 和交流 直流 和交流 电流放大系数 hfe 与 极间反向电流ICBO ICEO 频率参数fhfe fhfb fT 双极型晶体管 BJT 极限参数ICM VBR PCM 极间反向电流ICBO ICEO 频率参数fhfe fhfb fT 极限参数ICM VBR PCM 四 半导体三极管的主要参数 2 极间反向电流集基反向ICBO穿透电流ICEO 2 极间反向电流 继续 本页完 VEE VCC 集电极 基极反向饱和电流ICBO 集电极 发射极反向饱和电流ICEO 习惯称为穿透电流 双极型晶体管 BJT 1 电流放大系数hfe 和hfb 四 半导体三极管的主要参数 3 频率参数 1 共发射极截止频率fhfe 三极管的放大倍数hfe和hfb在一定的频率范围内是不变的 但当频率增加到一定大小后 由于PN结电容的存在 都将随着频率的升高而下降 频率参数就是表征电流放大倍数随频率变化而变化的参数 3 频率参数 1 共发射极截止频率fhfe 继续 共发射极截止频率fhfe 设三极管在低频时的共射电流放大倍数为hfe0 此时为最大值 当工作频率升高至使三极管的hfe下降至0 707hfe0时所对应的工作频率 称为共发射极截止频率fhfe 本页完 双极型晶体管 BJT 频率参数fhfe fhfb fT 极限参数ICM VBR PCM fhfe f 0 hfe 0 707 hfe0 由曲线知 hfe在较低频率段是不变 数值为hfe0 但当频率高于某一数值后 hfe开始下降 hfe0 这个频率fhfe就称为共射极截止频率 在工程上一般认为此时三极管已经没有放大能力 所以三极管是不能在此频率的范围外工作的 四 半导体三极管的主要参数 3 频率参数 1 共发射极截止频率fhfe 共射电流放大倍数与频率的关系为 讨论曲线的来源 继续 本页完 双极型晶体管 BJT 频率参数fhfe fhfb fT 极限参数ICM VBR PCM f 0 fhfe f 1 j 因为hfe是相量 所以必须写成复变量形式 其模 即电流放大倍数的数值 为 f fhfe 2 1 由此可绘出如右图所示的共射电流放大倍数随频率变化的曲线 共发射极截止频率fhfe 设三极管在低频时的共射电流放大倍数为hfe0 此时为最大值 当工作频率升高至使三极管的hfe下降至0 707hfe0时所对应的工作频率 称为共发射极截止频率fhfe fhfe hfe 0 707 hfe0 hfe0 四 半导体三极管的主要参数 3 频率参数 2 共基极截止频率fhfb 2 共基极截止频率fhfb 继续 同理 共基极截止频率fhfb 设三极管在低频时的共基电流放大倍数为hfb0 此时为最大值 当工作频率升高至使三极管的hfb下降至0 707hfb0时所对应的工作频率 称为共基极截止频率fhfb 本页完 双极型晶体管 BJT 频率参数fhfe fhfb fT 极限参数ICM VBR PCM fhfb f 0 hfb 0 707 hfb0 hfb0 1 共发射极截止频率fhfe 共基极截止频率fhfb远大于共发射极截止频率fhfe 其关系式如下 fhfb 1 fhfe 在正常情形下hfeo 1 所以有 fhfb fhfe 所以在高频段和宽频带的放大器中 多使用共基电路 如在电视机的第一级与天线相连的高频接收器 俗称高频头 中 基本上都使用共基极电路 因为电视信号的频率都比较高 四 半导体三极管的主要参数 3 频率参数 2 共基极截止频率fhfb 3 特征频率fT 继续 当共射极电流放大倍数hfe下降到等于1时所对应的频率 称为特征频率fT 本页完 双极型晶体管 BJT 频率参数fhfe fhfb fT 极限参数ICM VBR PCM fT f 0 hfe 1 hfe0 1 共发射极截止频率fhfe 3 特征频率fT 四 半导体三极管的主要参数 4 极限参数 1 集电极最大允许电流ICM 所谓三极管的极限参数就是三极管工作时不允许超过的一些指标 使用中若超过这些参数三极管就不能正常工作甚至会损坏 4 极限参数 1 集电极最大允许电流ICM 继续 ICM是指集电极电流增大使 下降到额定值的2 3时 所达到的集电极电流值 使用中若超过此值 晶体管的 就会达不到要求 长时间工作还可能会损坏管子 本页完 双极型晶体管 BJT 极限参数ICM VBR PCM 2 反向击穿电压 V BR CEO 2 反向击穿电压V BR V BR CEO是指基极开路时集电极与发射极间的反向击穿电压 V BR CEO 集发间的反向击穿电压V BR CEO 继续 本页完 四 半导体三极管的主要参数 1 集电极最大允许电流ICM c 基极开路 e b VCC V BR CEO 使用中若超过此值 晶体管的集电结就会出现雪崩击穿 双极型晶体管 BJT 4 极限参数 极限参数ICM VBR PCM 2 反向击穿电压V BR 集发间的反向击穿电压V BR CEO V BR EBO V BR EBO是指集电极开路时发射极与基极间的反向击穿电压 使用中若超过此值 晶体管的发电结就可能会击穿 V BR CEO 发基间的反向击穿电压V BR EBO 继续 本页完 晶体管工作在放大状态时发基极一般是处于正向偏置 但在某些场合 如作电子开关使用时 发基极会处于反向偏置 这时就要考虑V BR EBO 四 半导体三极管的主要参数 1 集电极最大允许电流ICM 双极型晶体管 BJT 4 极限参数 极限参数ICM VBR PCM 2 反向击穿电压V BR 集发间的反向击穿电压V BR CEO 发基间的反向击穿电压V BR EBO V BR CBO V BR CBO是指发射极开路时集电极与基极间的反向击穿电压 其数值较高 使用中若超过此值 晶体管的集电结就可能会产生雪崩击穿 V BR CEO 继续 本页完 晶体管工作在放大状态时发基极处于正向偏置 电压较小 集基间的反向击穿电压V BR CBO 集发处于反偏 电压较大 所以集基间是处于反偏状态的 四 半导体三极管的主要参数 1 集电极最大允许电流ICM 双极型晶体管 BJT 4 极限参数 极限参数ICM VBR PCM 2 反向击穿电压V BR 3 集电极最大允许功率损耗PCM PCM是指集电结上允许损耗功率的最大值 集电结上有电流和电压 会产生一定的热功率 热功率达到一定的数值后产生的热量会损坏集电结 PCM就是规定了晶体管在使用中的热功率不能超过此值 V BR CEO 继续 3 集电极最大允许功率损耗PCM 确定了PCM后 晶体管在使用过程中流过集电结的电流iC和电压vCE的乘积不能超过此值 即PCM iCvCE 晶体管在使用过程中集电结的功率PC PCM iCvCE 则晶体管是安全的 若超过此值晶体管就可能会损坏 根据PCM iCvCE 在输出特性曲线上作一曲线 属反比例曲线 曲线外是不安全区 曲线内是安全区 不安全区 四 半导体三极管的主要参数 1 集电极最大允许电流ICM 双极型晶体管 BJT 4 极限参数 极限参数ICM VBR PCM 2 反向击穿电压V BR 3 集电极最大允许功率损耗PCM 确定了PCM后 晶体管在使用过程中流过集电结的电流iC和电压vCE的乘积不能超过此值 即PCM iCvCE 晶体管在使用过程中集电结的功率PC PCM iCvC