聚洵低功耗运算放大器GS8551-GS8552-GS8554

描述：GS8551/GS8552/GS8554放大器是单/双/四电源，微功耗，零漂移CMOS运算放大器，这些放大器提供1.8MHz的带宽，轨至轨输入和输出以及1.8V至5.5V的单电源供电。GS855X使用斩波稳定技术来提供非常低的失调电压（最大值小于5µV），并且在整个温度范围内漂移接近零。每个放大器的静态电源电流低至180µA，输入偏置电流极低，仅为20pA，因此该器件是低失调，低功耗和高阻抗应用的理想选择。GS855X提供了出色的CMRR，而没有与传统的互补输入级相关的分频器。该设计为驱动模数转换器带来了卓越的性能转换器（ADC），而不会降低差分线性度。GS8551提供SOT23-5和SOP-8封装。GS8552提供MSOP-8和SOP-8封装。GS8554Quad具有绿色SOP-14和TSSOP-14封装。在所有电源电压下，-45oC至+125oC的扩展温度范围提供了额外的设计灵活性。特点：+1.8V〜+5.5V单电源供电•嵌入式RF抗EMI滤波器•轨到轨输入/输出•小型封装：•增益带宽乘积：1.8MHz（典型@25°C）GS8551采用SOT23-5和SOP-8封装•低输入偏置电流：20pA（典型值@25°C）GS8552采用MSOP-8和SOP-8封装•低失调电压：30µV（最大@25°C）GS8554采用SOP-14和TSSOP-14封装•静态电流：每个放大器180µA（典型值）•工作温度：-45°C〜+125°C•零漂移：0.03µV/oC（典型值）应用：换能器应用•手持测试设备•温度测量•电池供电的仪器•电子秤Features•Single-SupplyOperationfrom+1.8V~+5.5V•EmbeddedRFAnti-EMI•Rail-to-RailInput/Output•SmallPackage:•Gain-BandwidthProduct:1.8MHz@25°C)GS8551inSOT23-5andSOP-8Packages•InputCurrent:20pA@25°C)GS8552inMSOP-8andSOP-8Packages•Offset30V(Max.@25°C)GS8554inSOP-14andTSSOP-14Packages•QuiescentCurrent:180µAperAmplifier•Operating-45°C~+125°C•ZerooCGeneralDescriptionApplications•TransducerApplication•HandheldEquipment•Measurements•Battery-PoweredInstrumentation•ElectronicsScalesPinConfigurationFigure1.AssignmentDiagramAbsoluteMaximumRatingsConditionMinMaxPowerSupply(VDDVss)-0.5V+7.5VAnalogInput(IN+orVss-0.5VVDD+0.5VPDBInputVss-0.5V+7VOperatingRange-45°C+125°CJunction+160°CRange-55°C+150°CLead(soldering,10sec)+260°CPackageThermal(T=+25)SOP-8,θJA125MSOP-8,θJA216SOT23-5,θJA190ESDSusceptibilityHBM6KV400VNote:greaterthanthoselistedunderAbsoluteMaximumRatingsmaycausepermanentdamagetodevice.Thisastressratingonlyandfunctionaloperationofdeviceattheseorotherconditionsthoseindicatedtheoperationalsectionsofthisspecificationnotimplied.ExposuretoabsolutemaximumratingconditionsforextendedperiodsmayaffectPackage/OrderingInformationMODELCHANNELORDERNUMBERDESCRIPTIONOPTIONMARKINGGS8551SingleGS8551-TRSOT23-5andReel,3000GS8551-SRSOP-8andReel,4000GS8551GS8552DualGS8552-SRSOP-8andReel,4000GS8552GS8552-MRMSOP-8andReel,3000GS8552GS8554QuadGS8554-TRTSSOP-14andReel,3000GS8554GS8554-SRSOP-14andReel,2500GS8554ElectricalCharacteristics(VS=VCM=VO=A=,unlessotherwisenoted.)CONDITIONS MINTYPUNITSINPUTCHARACTERISTICSInput(VOS)130µVInputBiasCurrent(I)20pAInputCurrent(IOS)10pACommon-ModeRejectionRatio(CMRR)VCM=0Vto5VdBLargeSignal(A)RL=10kΩ,VO=0.3V4.7V 145dBInputDrift(∆VOS/∆T)30nV/OUTPUTCHARACTERISTICSOutputHigh(VOH)RL=100kΩto-VS4.998VRL=10kΩto-VS4.994VOutput(VOL)RL=100kΩto+VS2mVRL=10kΩto+VS5mVShortCircuitLimit)RL=10Ωto-VS 60mAOutputCurrent(IO)65mAPOWERPowerSupplyRejectionRatio(PSRR)VS=2.5Vto5.5V dBQuiescentCurrent(IQ)VO=RL=0Ω 180µADYNAMICPERFORMANCEGain-BandwidthProductG=+1001.8SlewRate(SR)RL=10kΩ0.95V/µsOverloadRecovery0.10msNOISEPERFORMANCENoisenp-p)0Hzto10Hz0.3µVP-PNoiseDensity(en)f=1kHz38nV/HzPerformancecharacteristicsLargeSignalResponseat+5VLargeSignalResponseat+2.5VCL=300pFRL=2kΩAV=+1CL=300pFRL=2kΩAV=+1Time(4µs/div)Time(2µs/div)SmallSignalResponseat+5VSmallSignalResponseat+2.5VCL=50pFRL=∞AV=+1CL=50pFRL=∞AV=+1Time(4µs/div)Time(4µs/div)ClosedLoopvs.Frequencyat+5VClosedLoopvs.Frequencyat+2.5VG=-100G=-100G=-10G=-10G=+1G=+1Frequency(kHz)Frequency(kHz)PerformancecharacteristicsOpenLoopGain,Phasevs.Frequency+5VOpenLoopGain,Phasevs.Frequency+2.5VPhaseVL=0pFRL=∞VL=0pFRL=∞PhaseOpenLoopOpenLoopFrequency(Hz)Frequency(Hz)PositiveOvervoltageRecoveryNegativeOvervoltageRecoveryV=2.5VVIN=-200mVp-p(RETtoGND)CL=0pFRL=10kΩAV=-100V=2.5VVIN=-200mVp-p(RETtoGND)CL=0pFRL=10kΩAV=-100(40µs/div)(40µs/div)0.1Hzto10HzNoiseat+5V0.1Hzto10HzNoiseat+2.5VG=10000

G=10000(10s/div)(10s/div)ApplicationNoteGS855X系列运算放大器具有单位增益稳定的特性，适用于各种通用应用。GS855X系列封装的占地面积小，可以节省印刷电路板上的空间，并可以设计更小的电子产品。电源旁路和电路板布局GS855X系列采用1.8V至5.5V单电源或±0.9V至±2.75V双电源供电。为了获得最佳性能，在单电源供电模式下，应将一个0.1pF的陶瓷电容器靠近VDD引脚放置。对于双电源供电，应使用单独的0.1pF陶瓷电容器将VDD和VSS电源均旁路到地。低电源电流GS855X系列的低电源电流（每通道典型值为180uA）将有助于最大程度地延长电池寿命。它们是电池供电系统的理想选择。工作电压GS855X系列在宽输入电源电压（1.8V至5.5V）下工作。此外，所有温度规格适用于-40oC至+125oC。在整个工作电压范围内，大多数行为保持不变。这些保证可确保在整个锂离子电池整个使用寿命内都能正常工作。轨到轨输入GS855X系列的输入共模范围超出电源轨（VSS-0.1V至VDD+0.1V）100mV。这是通过使用互补输入级来实现的。对于正常操作，输入应限制在此范围内。轨到轨输出轨到轨输出摆幅可在输出端提供最大可能的动态范围。在低电源电压下运行时，这一点尤其重要。GS855X系列的输出电压在轻阻负载（>100kΩ）时通常可从供电轨摆动至小于5mV，而在中等阻性负载（10kΩ）时可降至60mV。容性负载公差GS855x系列针对带宽和速度进行了优化，而不是用于驱动电容性负载。输出电容将在放大器的反馈路径中形成一个极点，从而导致过度的峰值和电势振荡。如果需要使用负载电容，则要考虑的两种策略是（1）使用与放大器的输出和负载电容串联的小电阻，以及（2）通过增加放大器的反馈环路来减小放大器反馈环路的带宽。总体噪声增益。图2.显示了采用串联电阻器策略的单位增益跟随器。电阻将输出与电容隔离，更重要的是，在反馈路径中产生一个零，以补偿由输出电容产生的极点。Figure2.IndirectlyDrivingaCapacitiveLoadUsingIsolationResistorbiggerRISOresistorvalue,themorestableVOUTwillbe.iftherearesistiveloadRLinparallelthecapacitiveload,avoltagedivider(proportionaltoRISO/RL)isformed,thiswillresultagaincircuitinFigure3animprovementtotheoneinFigure2.RFprovidesDCaccuracybyfeed-forwardtheVINtoRL.CFRISO通过将输出信号的高频分量反馈回放大器的反相输入来抵消相位裕量的损失，从而在整个反馈环路中保留了相位裕量。电容驱动可通过增加CF值来增加。这反过来会减慢脉冲响应。.Figure3.IndirectlyDrivingaCapacitiveLoadDCAccuracyTypicalApplicationCircuitsDifferentialamplifierdifferentialamplifierallowssubtractionofinputorcancellationasignalcommontheItusefulasacomputationalamplifiermakingadifferentialtosingle-endconversionorrejectingacommonmodesignal.Figure4.shownthedifferentialamplifierusingGS855X.Figure4.DifferentialAmplifierR+V−2V+()V124123RRRRRRV()=R1RRRRRREF341341Iftheresistorratiosare(i.e.R1=R3andR2=R4),then=V−V+R2(V)R1VREFFilterlowactivefilterinFigure5.TheDCgaindefinedby–R2/R1.filterhasa-20dB/decadecornerfrequencyƒC=1/(2πR31).Figure5.PassActiveFilterInstrumentationAmplifierFigure6.InstrumentAmplifier.PackageInformationSOP-8MSOP-8SOP-14TSSOP-14以上是“奥伟斯科技”分享的产品信息，如果您需要订购此款物料，请查看我们的官网与我们联系，非常感谢您的关注与支持！奥伟斯科技提供专业的智能电子锁触摸解决方案,并提