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第6章集成电路器件及SPICE模型26.1无源器件结构及模型6.2二极管电流方程及SPICE模型6.3双极晶体管电流方程及SPICE模型6.4结型场效应管JFET模型6.5MESFET模型6.6MOS管电流方程及SPICE模型N沟JFET的结构示意图和电路符号3结型场效应JFET(NJF/PJF)

模型JFET模型源于Shichman和Hodges给出的FET模型。其直流特性由反映漏极电流随栅极电压变化的参数VTO和BETA、确定输出电导的参数LAMBDA和栅-源结与栅-漏结饱和电流的参数IS共同描述。包含了RD和RS两个欧姆电阻。其电荷存储效应由随结电压的平方根变化的栅-源与栅-漏两个结的非线性耗尽层电容模拟，参数为CGS，CGD和PB。456.1无源器件结构及模型6.2二极管电流方程及SPICE模型6.3双极晶体管电流方程及SPICE模型6.4结型场效应管JFET模型6.5MESFET模型6.6MOS管电流方程及SPICE模型6.7SPICE数模混合仿真程序的设计流程及方法（见CH06-2课件）MESFET模型源于Statz等给出的GaAs模型其直流特性由反映漏极电流随栅极电压变化的参数VTO、B和BETA，并由确定饱和电压的参数ALPHA和确定输出电导的参数LAMBDA共同描述，表达式为模型包含了RD和RS两个欧姆电阻。其电荷存储效应由随结电压的平方根变化的栅-源与栅-

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