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文档简介

GB/T30544.12—2023/ISO/TSPart12:Quantumphenomenainnanote国家市场监督管理总局国家标准化管理委员会I 1 1 1 3 4 4 5 7附录B(资料性)纳米科技术语与实际应用和产品之间的对照关系表 8 Ⅲ本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定本文件是GB/T30544《纳米科技术语》的第12部分。GB/T30544已经发布了以下部分:本文件等同采用ISO/TS80004-12:2016《纳米科技术语第12部分:纳米科技中的量子现象》,文件类型由ISO的技术规范调整为我国的国家标准。V 1GB/T30544.12—2023/ISO/TS80004-12:20162GB/T30544.12—2023/ISO/TS8具有强相互作用粒子系统的激发基元(一种集体振荡量子)。双态量子系统中能够处于一个状态或两者叠加态的表面等离激元surfaceplasmon3AB效应相干输运coherenttransport量子现象quantumphenomenon45等离激元学plasmonics量子计算quantumcomputing量子电子学quantumelectronics67(资料性)8GB/T30544.12—2023/ISO/TS8(资料性)表B.1给出了纳米科技术语与实际应用和产品之间的对照关系。表B.1纳米科技术语与实际应用和产品(例如,工业)产品阿哈罗诺夫-玻姆效应电子器件、传感器等X光通信电子器件、传感器等电子器件、传感器等电子电子器件(单电子晶体管)、传感器等X光通信电子电子器件、传感器等光子带隙光通信光通信巨磁阻效应电子电子器件(单电子晶体管)、传感器等X电子器件、传感器等量子点生物医学显像剂、实时细胞内生物分子探测器/传感器、干细胞标签设备、基因表达探测器、DNA突变探测器、光动力治疗(PDT)系电子电子器件、传感器等量子叠加XX电子器件、传感器等X量子化的X9GB/T30544.12—2023/ISO/TS8(例如,工业)产品电子器件、传感器等X量子隧穿X隧道场效应晶体管电子器件、传感器等电子器件、传感器等XX电子器件、传感器等电子电子电子器件、传感器等光通信电子器件、传感器等自旋电子学电子电子器件、传感器等X注:X表示为通用量子概念相关术语。[1]GB/T30544.1—2014纳米科技术语第1部分:核心术语[2]Nanotechnology,metrology,standardizationandcertificationintertedbyKovalchukM.V.andToduaP.A.,red.Tekhno[3]Glossaryofnanotechnologyandrelatedterms,http://en[4]McGraw-Hilldictionaryofscientificand[5]PROHOROVA.M.PhysicalEncyclopedia:M:Big[6]EncyclopediaBritannica.Encyclo[7]TheAmericanHeritageandreg;DictionaryoftheEnglishLanguag[8]SMITHA.D.OxfordDictionaryofBiochemistryandMolecularBiology,OxfordUniversity[10]TheColumbiaEncyclopedia.ColumbiaUniveGB/T30544.12—2023/ISO/TSABCD弹道输运4.2德布罗意波长3.1等离激元学7.4FGH海森堡不确定原理A.3JKL量子超密编码7.9量子点5.1量子电子学7.7量子叠加3.9量子干涉3.7量子化3.2量子化的3.3量子霍尔效应4.9量子计算7.5量子结构效应6.6量子阱5.2量子纠缠3.6量子密码学7.6量子密钥分发7.6量子数3.8量子隧穿3.10量子弦5.3量子线5.3量子现象4.8量子限域3.5量子相干性3.4量子效应4.8量子信息学7.8量子异质结6.3量子隐形传态7.10N纳米尺度现象4.7纳米磁性4.6纳米电子学7.2纳米光子学7.3X相干输运4.4YZ准粒子3.11ABCDGHMNPQquantization……quantumeffect………quantumHalleffect……………quantuminformation………………………quantuminterference…………quantumnumber………………………3.8quantumphenomenon………quantumsize-effectquantumstring………………quasi-particle…Ssingleelectronelectronics…spintronics……………surfaceplasmon………………surfaceplasmonresonance…………………W

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